EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LC024-I/ST 编号：C619652

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC024-I/ST 是一款2-Kbit I2C串行电可擦除只读存储器（EEPROM）。该设备组织为一个256x8位的内存块，具有两线串行接口。

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￥2.8782 ￥7.02
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型号：24LC024T-E/SN 编号：C2061224

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。

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型号：93LC46BT-I/OT 编号：C2649426

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX46A/B/C 器件是 1Kbit 的低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA46C、93LC46C 或 93C46C 这类字可选器件，需依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 器件；而 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：24LC08BT-E/MNY 编号：C616489

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx08 是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256×8 位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作

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￥3.5075 ￥5.75
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型号：24LC01B-I/P 编号：C511279

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：CAT24C128LI-G-TUDI 编号：C36533638

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C128/CAT24C128提供131,072位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为16,384个8位字。设备支持1.7V到5.5V的工作电压，具有硬件数据保护功能，支持64字节页写模式，写周期寿命为1,000,000次，数据保留时间为40年。

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￥3.5815 ￥3.77
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型号：BR24L16F-WE2 编号：C2061982

封装：SOIC-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

是一款采用I²C总线接口方式的串行EEPROM。

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型号：24C02CT-I/MNY 编号：C2061333

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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￥3.953 ￥6.7
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型号：24LC024T-I/MC 编号：C612277

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由一个256×8位的存储块组成。其低电压设计允许在低至1的电压下工作

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￥4.309 ￥6.95
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型号：M24C64-DRMF3TG/K 编号：C2970696

封装：WFDFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24C64-A125是一款64Kbit的串行I2C总线EEPROM，支持高达1 MHz的时钟频率，适用于汽车级应用，最高工作温度可达125°C。该设备符合AEC-Q100 Grade 1标准，具有增强的温度和电压范围，以及内置错误校正码逻辑，确保数据完整性。

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型号：CAT25080YI-GT3 编号：C154601

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25080 是 EEPROM 串行 8-Kb SPI 器件，内部组织为 1024x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25080 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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￥4.3524 ￥8.37
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型号：93AA66C-I/SN 编号：C153277

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93AA66C 是一个4K位低电压串行EEPROM，支持8位或16位组织，具有自动擦除/写入功能，适用于低功耗、非易失性存储应用。

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型号：M24256-DRMN8TP/K 编号：C2062050

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M24256-DRMN8TP/K 是一款256-Kbit的串行I2C总线EEPROM，支持最高105°C的工作温度。该器件符合AEC-Q100 Grade 2可靠性标准，通过I2C兼容接口运行，最高时钟频率可达1MHz。存储阵列基于先进的真正EEPROM技术，具备嵌入式错误校正码逻辑。此外，还提供一个可锁定的识别页（64字节）。

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型号：24AA02E64T-I/OT 编号：C616198

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E64T-I/OT 是一款2Kbit的I2C串行EEPROM，具有EUI-64节点身份，8字节页，适用于工业温度范围。该器件支持单电源供电，工作电压为1.7V至5.5V，时钟频率为400kHz。

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型号：AT25160B-SSHL-B 编号：C615489

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25160B是一款16K位（2048 x 8）的串行EEPROM，支持SPI接口，工作电压为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至+85°C，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留时间。

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￥4.9358 ￥6.67
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型号：AT24C512C-SSHD-B 编号：C615465

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 3.6V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 65,536 x 8（512K）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

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￥4.02
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型号：24AA256T-I/ST-TUDI 编号：C41411032

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥5.1205 ￥5.39
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￥3.8475 ￥4.05

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型号：93LC46B/SN 编号：C1348804

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC46AX/BX 是 1Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件的存储器配置为×8（93LC46A）或×16 位（93LC46B）。先进的 CMOS 技术使这些器件非常适合用于低功耗非易失性存储器应用

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￥5.21
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型号：AT24C32E-STUM-T 编号：C616256

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C32E是一款32K位的I2C兼容串行EEPROM，具有3.6V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至+85°C，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为100年。

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型号：24CW1280T-I/SN 编号：C615645

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

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￥5.546 ￥9.4
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￥5.4221 ￥9.19
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￥5.2569 ￥8.91

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型号：24AA04HT-I/OT 编号：C616200

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24××04H 是一款 4 Kbit 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个 256×8 位的存储块组成。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作

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型号：24AA02E48-I/SN 编号：C81475

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48（24AAXXXE48*）是一款容量为2Kb的电可擦除式可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个128x8位存储器块构成，为2线串行接口。器件采用低电压设计技术，允许工作电压最低可至1.7V，而最高待机电流和工作电流分别仅为1μA和1mA。

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型号：AT24C16D-STUM-T 编号：C616254

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16D是一款16Kbit（2,048 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V到3.6V的低电压操作。它具有多种工作模式，包括标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和快速模式加（1MHz）。该器件还具有硬件写保护功能、超低功耗和高可靠性。

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型号：M95P08-IXMNT/E 编号：C22396240

封装：SO-8N-150mil

品牌：ST(意法半导体)

M95P08-I和M95P08-E采用先进的专有非易失性存储器（NVM）技术制造。它们具备字节灵活性、页面可修改性、高页面循环性能以及超低功耗，与电可擦可编程只读存储器（EEPROM）技术的功耗相当。M95P08-I和M95P08-E是一款8 Mbit的串行外设接口（SPI）页面EEPROM器件，其结构为2048个可编程页面，每个页面512字节，可通过具有高性能双路和四路SPI输出的SPI总线进行访问