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封装：TDFN-8-EP(2x3)

GT5SLCD2E-1A是一款支持16-192点阵的矢量字库芯片，使用灰度算法使汉字边缘变得比纯点阵字更加柔和、平滑。采用高通超小型嵌入式矢量字库，具有字体平滑及不失真等特点，可以产生多种高质量的文字输出，可以支持加粗、倾斜、反白、阴影等文字特效，支持ASCII码字符、拉丁文、GBK汉字。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GT30L24T3Y 编号：C126764

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT30L24T3Y是一款包含12x12点阵、16x16点阵和24x24点阵的中文字库芯片。它支持GB2312国家标准汉字（含国家标委会授权）、BIG5字符集和ASCII字符，并且兼容Unicode编码格式。

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型号：FJBD4N8GT6L9-SKC 编号：C49302893

封装：FBGA-96

品牌：KFSemi(堃方)

DDR4 SDRAM 8Gb 512Mx16 2666 96BGA （仅限单板单颗使用）

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型号：GT31L16M1Y80 编号：C126765

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT31L16M1Y80是一款16x16点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（同时支持UNICODE编码）。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。GT31L16M1Y80除含有上述字库以外，还提供1024KB字节的可自由读写空间，包括256个扇区，每个扇区4K字节或16页，每页256字节，可自由读写空间地址范围为：0x000000-0xfffff，可重复擦写10万次以上。

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型号：GT32L32M4W40 编号：C515660

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

是一款12、16、24、32点阵字库芯片，支持GB18030和GB2312国标简体汉字、BIG5繁体字符集并均兼容Unicode。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。除含有上述字库以外，还提供客户512KB字节的可自由读写空间，还提供128个扇区，每个扇区4K字节或16页，每页256字节，可自由写入空间地址范围为：0x380000-0x400000。仅支持上位机烧录，可重复擦写10万次以上。

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型号：GT5DL24A2W 编号：C515661

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

GT5DL24A2W是一款具备16点阵和24点阵的字库芯片，支持GBK汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集以及其他180种外文符号，并且兼容上述文字的Unicode字符集。排列格式为横排和竖排。用户可通过字符内码，利用本公司提供的库文件中的功能接口，直接读取内码的点阵信息

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型号：GT5SL24K4W(HS) 编号：C2874948

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

是一款含有点阵字库和矢量字库的字库芯片，其中点阵字库含有12、16、24 点阵字库，矢量字库最大可支持64 点，同时支持GBK 国标简体汉字。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GT22L16M1Y 编号：C515654

封装：SOP-8

品牌：GENITOP(高通)

GT22L16M1Y是一款16x16点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（同时支持UNICODE编码）。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GT5HL16S2W 编号：C42438374

封装：SOP-8A

品牌：GENITOP(高通)

GT5HL16S2W是一款内含16x16灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（兼容UNICODE编码）、ASCII字符编码。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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型号：GT31L16S2W80 编号：C515655

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT31L16S2W80是一款内含 12x12 点阵和16x16点阵的汉字字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符及Unicode转GB2312编码表。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GT5HL20K2W 编号：C42438423

封装：SOP-8A

品牌：GENITOP(高通)

GT5HL20K2W是一款内含16X16和20X20灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（兼容UNICODE编码）、ASCII字符编码，排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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￥6.12
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型号：GT5HL24A2W 编号：C42438424

封装：SOP-8B

品牌：GENITOP(高通)

GT5HL24A2W是一款含16及24灰度点阵的字库芯片，支持GBK中文及繁体汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集等180国外文字符，同时兼容以上各种文字的Unicode字符集。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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型号：MT40A4G4NEA-062E-R 编号：C5128615

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

32Gb TwinDie DDR4 SDRAM 是高速CMOS动态随机存取存储器设备，内部配置为两个16-bank DDR4 SDRAM设备。每个die在双die封装内单独测试。

单价：
￥288.83 / 个

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型号：GT32L24M0140 编号：C126767

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT32L24M0140是一款拥有12X12，16X16，24X24点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符及条形码图库。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：IS62WVS5128GBLL-45NLI 编号：C3646907

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS5128GALL/GBLL是4M位的快速串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字节×8位。它是由两片2Mb串行SRAM堆叠而成的双芯片堆栈。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C2950646

封装：VBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。

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型号：IS46QR16256B-083RBLA2 编号：C5119925

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJT 编号：C5827969

封装：FBGA

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：F70ME0101D-RDWA 编号：C5126836

封装：BGA-162

品牌：FORESEE(江波龙)

该多芯片封装存储器结合了1Gbit NAND Flash和1Gbit LPDDR2 SDRAM，支持独立的接口和核心电源连接，适用于需要高性能和高密度存储的应用。

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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C5340038

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。

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型号：KM4X6001KM-B321 编号：C2803266

封装：SMD

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：32EP16-M4FTC32-GA68 编号：C21555750

封装：FBGA-144(8x9.5)

品牌：Kingston(金士顿)

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型号：FJAD4N8GT6L9-QHC 编号：C49302892

封装：FBGA-96

品牌：KFSemi(堃方)

DDR4 SDRAM 8Gb 512Mx16 3200 96BGA

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￥83.32
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型号：MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT 编号：C2917791

封装：VFBGA-130

品牌：micron(镁光)

Micron的多芯片封装（PoP）产品将NAND Flash和Mobile LPDRAM设备组合在一个单个多芯片封装（MCP）中，适用于低功耗、高性能和小封装尺寸设计的移动应用。NAND Flash和Mobile LPDRAM设备具有独立的接口（无共享地址、控制、数据或电源球）。这种总线架构支持与具有独立NAND Flash和Mobile LPDRAM总线的处理器的优化接口。

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型号：MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT 编号：C5128470

封装：VFBGA-137

品牌：micron(镁光)

特性：美光NAND闪存和LPDDR组件。符合RoHS标准的“绿色”封装。独立的NAND闪存和LPDDR接口。节省空间的多芯片封装/堆叠封装组合。低电压工作（1.70-1.95V）。工业温度范围：-40℃至+85℃。无需外部电压参考。无最小时钟频率要求。1.8V LVCMOS兼容输入。可编程突发长度。部分阵列自刷新（PASR）。深度掉电（DPD）模式。可选输出驱动强度。支持状态寄存器读取（SRR）。页面大小-x8：2112字节（2048 + 64字节）。页面大小-x16：1056字（1024 + 32字）。块大小：64页（128K + 4K字节）

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型号：MX25V4035FZUI 编号：C6704275

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：S78HL512TC0BHB003 编号：C22246228

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：MT40A2G16TBB-062E:F 编号：C20566282

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

16Gb DDR4 SDRAM 芯片；两个 x8 组合成一个 x16。它使用与单 x16 类似的信号，并且有一个额外的 ZQ 连接用于更快的 ZQ 校准，以及一个 x8 寻址所需的 BG1 控制信号。

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型号：GT60L16M2K4 编号：C126771

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

高通曲线字库模组GT60L16M2K4是以二次余弦曲线函数算法来描述汉字和字符的字型笔划轮廓。它的特点是字形压缩比高，可以任意缩放（16点到192点），变形效果（加粗，倾斜，反白，钩边，灰度等），具有字体平滑而不失真等优点，可产生多种高质量的汉字输出，适用于各种嵌入式电子产品，包括需要高分辨率的显示或打印设备。

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￥8.09
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990+
￥7.32

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型号：GT22L16U1Y40 编号：C515653

封装：SOP-8

品牌：GENITOP(高通)

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