东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP2962(F) 编号：C146458

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用DIP8封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为20kV/μs。

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型号：74HCT244D 编号：C3754113

封装：SOIC-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74HCT240D：反相、三态输出；74HCT244D：同相、三态输出。

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型号：TLP293-4(V4-GB,E 编号：C94261

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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型号：TBD62783AFWG(Z,EHZ) 编号：C5349737

封装：SOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：8 个电路内置。高电压：Vₒᵤₜ = 50V（最大值）。高电流：Iₒᵤₜ = -500mA（每个通道最大值）。输入电压（输出开启）：2.0V（最小值）。输入电压（输出关闭）：0.6V（最大值）。封装：PG 型 P-DIP18-300-2.54-001；FG 型 SOP18-P-375-1.27；FNG 型 SSOP18-P-225-0.65；FVG 型 P-SOP18-0812-1.27-001

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型号：TC74AC640FTEL 编号：C6331343

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八总线收发器 TC74AC245F：三态、同相 TC74AC640F：三态、反相 TC74AC245F、TC74AC640F 是采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八总线收发器。

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型号：TBD62064AFG(Z,EL) 编号：C4153830

封装：HSOP-16-6.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

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型号：TK72E12N1,S1X(S 编号：C4153811

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：XPHR7904PS,L1XHQ 编号：C41488267

封装：SOPAdvance(WF)-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。小尺寸、薄封装。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.65 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：汽车。电机驱动器

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型号：TK72E12N1,S1X 编号：C556306

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 120 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

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型号：TPD2005F(EL,F) 编号：C386786

封装：SSOP-24-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高侧电源开关阵列（8通道）适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC，它可以由CMOS或TTL逻辑电路（如MPU）直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET（最大1.2 Ω）和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压：40 V。低导通电阻：最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A（每通道）)。支持并行操作。低电源电流：最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装（300 mil），带压纹带包装。

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500+
￥12.96
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型号：TLP2767(TP,E 编号：C7124357

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥17.51
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型号：TLP521-2(GB) 编号：C43687163

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLX9188(GBTPL,F 编号：C17336323

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLX9188由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLX9188采用非常小巧轻薄的SO6（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 125 °C）。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高（VCEO = 200 V），TLX9188适用于电池管理系统

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￥28.2
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型号：TC62D723FNG,C,EL 编号：C2679135

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：电源电压：VDD = 3.0 至 5.5 V。16 路输出内置，输出电流设置范围：IOUT = 1.5 至 90 mA。恒流输出精度（@ REXT = 1.2 kΩ，VOUT = 1.0 V，VDD = 3.3 V、5.0 V）：S 级，输出间 ±1.5%（最大值）；S 级，器件间 ±1.5%（最大值）；N 级，输出间 ±2.5%（最大值）；N 级，器件间 ±2.5%（最大值）。输出电压：VOUT = 17 V（最大值）。I/O 接口：CMOS 接口（施密特触发器输入）。数据传输频率：fSCK = 30 MHz（最大值）

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1+
￥31.738 ￥45.34
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型号：TBD62503AFNG,EL 编号：C2150031

封装：SSOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥33.672 ￥73.2
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￥19.032 ￥73.2

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型号：TLP5231(D4-TP,E 编号：C691205

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5231是一款高度集成的2.5 A双输出IGBT栅极驱动光电耦合器，其多功能IC采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。该光电耦合器适合作为预驱动器，通过外部p沟道和n沟道MOSFET作为缓冲器来驱动功率器件。TLP5231是一款智能栅极驱动光电耦合器，具备IGBT/功率MOSFET去饱和检测、隔离故障状态反馈、软关断栅极、有源密勒钳位和欠压锁定（UVLO）等功能

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1+
￥36.67
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￥28.56
100+
￥16.32 ￥25.5
500+
￥15.4176 ￥24.09
1500+
￥15.008 ￥23.45

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型号：RN1107MFV,L3F(CT 编号：C17532991

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

10+
￥0.2344
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￥0.2294
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￥0.2261

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型号：TC7SZ05FU,LJ(CT 编号：C7121129

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

逆变器（开漏）

5+
￥0.3716
50+
￥0.3627
150+
￥0.3567

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型号：2SC3326-A,LF 编号：C5502685

封装：TO-236

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高发射极-基极电压：VEBO = 25 V。高反向hFE。反向hFE = 150（典型值）(VCE = -2V, IC = -4mA)。低导通电阻：RON = 1 Ω（典型值）(IB = 5mA)。高直流电流增益：hFE = 200至1200。应用：静音和开关应用

3000+
￥0.46
6000+
￥0.4025

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型号：DF2S6M4CT,L3F(B 编号：C2847408

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S6M4CT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性，具有低动态电阻和出色的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。

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5+
￥0.4099
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￥0.4018
150+
￥0.3965

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型号：TC7PZ14FU,LJ(CT 编号：C7066977

封装：SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

双施密特反相器

5+
￥0.4589
50+
￥0.4474
150+
￥0.4397

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型号：2SC2712-GR,LXHF 编号：C6054196

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至700。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA） = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

5+
￥0.4888
50+
￥0.4767
150+
￥0.4687

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型号：RN1115,LF(CT 编号：C17400542

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有各种电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2114至RN2118互补。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.5005
50+
￥0.4877
150+
￥0.4792
500+
￥0.4707

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型号：SSM3J15F,LF 编号：C7088702

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低导通电阻：Rₒₙ = 12Ω（最大值）(V_GS =-4V)，Rₒₙ = 32Ω（最大值）(V_GS =-2.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥0.5018
50+
￥0.396
150+
￥0.3431

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型号：DF2B7ACT,L3F 编号：C1976591

封装：X1-DFN1006-2

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B7ACT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B7ACT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B7ACT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），满足对空间要求苛刻的应用需求。

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5+
￥0.5053
50+
￥0.3959
150+
￥0.3411

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型号：1SV280,H3F 编号：C146342

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C2V/C10V = 2.4（典型值）。低串联电阻：rs = 0.44Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

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5+
￥0.516
50+
￥0.5032
150+
￥0.4947

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型号：2SC4738-GR,LF 编号：C7174978

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：Ic = 150 mA（最大值）。高hFE：hFE = 120至700。出色的hFE线性度：hFE (Ic = 0.1mA) / hFE (Ic = 2mA) = 0.95（典型值）。与2SA1832互补。应用：低频放大器。 AM放大器

3000+
￥0.38985
9000+
￥0.37968

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型号：DF3A6.2FV,L3F 编号：C710253

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。由于两个器件封装在超紧凑型封装中，因此可以减少元件数量和安装成本。

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5+
￥0.5855
50+
￥0.4685
150+
￥0.41

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型号：TC7SET34FU,LJ(CT 编号：C2676122

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。高速运行：tod = 5.0 ns（典型值）(VCC = 5.0V, CL = 15 pF)。低功耗：ICC = 2.0 μA（最大值）(Ta = 25℃)。与 TTL 输出兼容：VIL = 0.8V（最大值） VIH = 2.0V（最小值）。 5.5V 耐受输入

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5+
￥0.6147
50+
￥0.4797
150+
￥0.4122

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型号：TLP785(D4GHTR6,F 编号：C5331607

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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5+
￥0.6421
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￥0.5161
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￥0.4531
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