东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8-5mm

特性：AEC-Q101合格。小型、薄型封装。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.3 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VDM = 2.5至3.5V (VDS = 10V, ID = 0.5 mA)。应用：汽车。电机驱动器

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型号：TC74HC123AF(ELNE,F) 编号：C5381647

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS单稳态多谐振荡器，能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。有两个触发输入，A(overline)输入（负边沿）和B输入（正边沿），这些输入对于慢上升/下降时间信号有效，因为它们是施密特触发输入。该器件也可以通过CLR输入（正边沿）触发。触发后，输出在由外部电阻和电容 (Rx, Cx) 确定的时间段内保持单稳态。A(overline)CLR输入为低电平时会打破该状态。在单稳态下，如果施加新的触发，会延长单稳态周期（重触发模式）。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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型号：TLP3052A(D4TP1,F 编号：C28260533

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：2SC3303-Y(T6L1,NQ) 编号：C5502682

封装：TO-251-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低集电极饱和电压：VCE (sat) = 0.4V (max) (IC = 3A)。高速开关时间：tSTG = 1.0 μs (typ.)。应用：工业应用。高电流开关应用

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型号：TLP701H(TP,F) 编号：C4153777

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品是一款采用SDIP6封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125°C的温度下保证性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，该光耦合器体积更小，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。它具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，拥有图腾柱输出，能够吸收和提供电流，非常适合用于IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP628(GB,F) 编号：C435821

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓红外发光二极管与光电晶体管光耦合而成，集电极-发射极击穿电压为350V。TLP628-2在八引脚塑料DIP封装中提供两个隔离通道，而TLP628-4每个封装提供四个隔离通道。

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型号：TPC8132,LQ(S 编号：C6886359

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C7124390

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。特别地，该光耦合器保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。此外，它具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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型号：CMS15(TE12L,Q,M) 编号：C5599368

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于开关稳压器、DC-DC转换器中的射频整流。由于采用小型封装，适合高密度电路板组装。

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C516863

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP292-4(V4LATPE 编号：C5351376

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与两个反向并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO16封装。保证宽工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥7.7221 ￥16.43
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型号：TLP719(D4-TP,F) 编号：C393901

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs高输出发光二极管和高速探测器组成。这是一款6引脚SDIP封装产品，比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽层，可有效抗共模噪声瞬变，适用于嘈杂的环境条件。

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型号：TLP292-4(4LGBTP,E 编号：C5348963

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP3906(C20TL,E 编号：C7528661

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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型号：TK72E12N1,S1X 编号：C556306

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 120 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

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￥10.0023 ￥12.99
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￥8.5701 ￥11.13
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￥6.1677 ￥8.01

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型号：TK72E12N1,S1X(S 编号：C4153811

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥10.77
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￥8.89
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￥7.71

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型号：TPH1R306P1,L1Q 编号：C6290261

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥11.14
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￥10.9
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￥10.74

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型号：TLP2662(TP1,F) 编号：C5381897

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2662/TLP2662F由高强度GaAℓAs红外发光二极管（LED）与高增益、高速感光芯片光耦合组成。TLP2662/TLP2662F可保证在最高125 °C的温度下，以及2.7 V至5 V的电源电压下工作。

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型号：tlp548j 编号：C165888

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料DIP封装。

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￥12.9276 ￥20.52
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￥11.0313 ￥17.51
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￥9.8469 ￥15.63
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￥8.631 ￥13.7
500+
￥8.0829 ￥12.83
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￥7.8435 ￥12.45

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型号：TMPM372FWUG 编号：C4153831

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ARM Cortex-M3微处理器核心。通过使用Thumb -2指令实现了更高的代码效率。新的16位Thumb指令用于改进程序流程，新的32位Thumb指令用于提高性能，新的Thumb混合16/32位指令集可生成更快、更高效的代码。实现了高性能和低功耗。高性能方面，32位乘法(32×32 = 32bit)可在一个时钟内执行，除法根据被除数和除数需要2到12个周期；低功耗方面，采用低功耗库进行优化设计，具备停止微控制器核心操作的待机功能。具有适合实时控制的高速中断响应，有可中断的长指令，硬件自动处理堆栈推送。片上程序存储器和数据存储器：片上RAM为6Kbyte，片上FlashROM为128Kbyte。16位定时器(TMRB)：8个通道，具有16位间隔定时器模式、16位事件计数器模式、输入捕获功能、外部触发PPG输出

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￥15.72
10+
￥15.33
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￥15.07
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￥14.8

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型号：TLP3910(D4C20TPE 编号：C5960932

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3910是一款采用SO6L封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管与一个光电二极管阵列光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使TLP3910适用于MOS栅极驱动应用。此外，为提高开路电压（VOC），TLP3910也适用于驱动超结结构（SJ）MOSFET

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￥20.9
10+
￥18
30+
￥16.27

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型号：TLP5231(D4-TP,E 编号：C691205

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5231是一款高度集成的2.5 A双输出IGBT栅极驱动光电耦合器，其多功能IC采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。该光电耦合器适合作为预驱动器，通过外部p沟道和n沟道MOSFET作为缓冲器来驱动功率器件。TLP5231是一款智能栅极驱动光电耦合器，具备IGBT/功率MOSFET去饱和检测、隔离故障状态反馈、软关断栅极、有源密勒钳位和欠压锁定（UVLO）等功能

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1+
￥23.4688 ￥36.67
10+
￥20.2112 ￥31.58
30+
￥18.2784 ￥28.56
100+
￥16.32 ￥25.5
500+
￥15.4176 ￥24.09
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￥15.008 ￥23.45

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型号：TRS10A65F,S1Q(S2 编号：C47147824

封装：TO-220F-2L

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥25.11
10+
￥21.62
50+
￥19.55

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型号：TPH9R00CQH,LQ 编号：C6290267

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 11.7 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 87 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 7.3 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_RSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 150 V)。增强模式：V_th = 3.3 至 4.3 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥25.77
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￥21.92
30+
￥19.64

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型号：TC62D723FNG,C,EL 编号：C2679135

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：电源电压：VDD = 3.0 至 5.5 V。16 路输出内置，输出电流设置范围：IOUT = 1.5 至 90 mA。恒流输出精度（@ REXT = 1.2 kΩ，VOUT = 1.0 V，VDD = 3.3 V、5.0 V）：S 级，输出间 ±1.5%（最大值）；S 级，器件间 ±1.5%（最大值）；N 级，输出间 ±2.5%（最大值）；N 级，器件间 ±2.5%（最大值）。输出电压：VOUT = 17 V（最大值）。I/O 接口：CMOS 接口（施密特触发器输入）。数据传输频率：fSCK = 30 MHz（最大值）

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1+
￥34.4584 ￥45.34
10+
￥25.9314 ￥39.29
30+
￥19.9416 ￥35.61
100+
￥18.2112 ￥32.52

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型号：TLP3406S(TP,E 编号：C2152167

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3406S光电继电器由一个与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用SVSON4封装。TLP3406S的特点是导通电阻非常小，能够对高达1的电流进行开/关切换

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1+
￥34.97
10+
￥29.72
30+
￥26.59

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型号：TLP3407S(TP,E 编号：C2152160

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外发光二极管光耦合，采用S-VSON4封装。具有极低的导通电阻，能够实现高达1.0A电流的导通和关断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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1+
￥38.58
10+
￥33.05
30+
￥29.68

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型号：TBD62503AFNG,EL 编号：C2150031

封装：SSOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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1+
￥38.796 ￥73.2
10+
￥31.476 ￥73.2
30+
￥24.156 ￥73.2

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型号：2SC6026MFV-Y,L3F 编号：C6667943

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于通用放大器应用，具有高电压和高电流特性，VCEO = 50V，IC = 150mA（最大值），hFE线性良好，hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95（典型值），hFE为120至400，与2SA2154MFV互补。

10+
￥0.2121
100+
￥0.2065
300+
￥0.2028

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型号：DF2B26M4SL,L3F 编号：C1974529

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B26M4SL是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B26M4SL利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B26M4SL采用超紧凑封装（0.62 mm×0.32 mm），满足对空间要求较小的应用需求。

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5+
￥0.2893
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￥0.2821
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