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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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应用:高速开关
  • 1+

    ¥1.81
  • 10+

    ¥1.76
  • 30+

    ¥1.73
  • 100+

    ¥1.7
  • 有货
    • 1+

      ¥1.82
    • 10+

      ¥1.79
    • 30+

      ¥1.76
    • 100+

      ¥1.73
  • 有货
  • 应用:高速开关
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.82
    • 30+

      ¥1.78
  • 有货
  • 特性:小封装。 VZ的典型电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 1+

      ¥1.91
    • 10+

      ¥1.86
    • 30+

      ¥1.83
    • 100+

      ¥1.8
  • 有货
  • 低电压六施密特反相器,具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同,但输入具有滞后特性,带有施密特触发功能,可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 5+

      ¥1.9439
    • 50+

      ¥1.5145
    • 150+

      ¥1.3305
  • 有货
  • 施密特缓冲器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9642
    • 50+

      ¥1.561
    • 150+

      ¥1.3882
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥1.99
    • 10+

      ¥1.75
    • 30+

      ¥1.65
    • 100+

      ¥1.52
    • 500+

      ¥1.47
    • 1000+

      ¥1.43
  • 有货
    • 1+

      ¥1.99
    • 10+

      ¥1.94
    • 30+

      ¥1.92
  • 有货
  • TC4W53FU 是一个多路复用器,具有选择和混合模拟信号和数字信号的能力。它具有2通道配置。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9914
    • 50+

      ¥1.5515
    • 150+

      ¥1.3629
  • 有货
  • TC75S57F/TC75S57FU是一款CMOS通用单比较器。该器件可采用单电源供电,且与传统双极型通用比较器相比,其电源电流更低。该器件的推挽输出级可直接连接到TTL或CMOS逻辑IC等。
    • 1+

      ¥2.03
    • 10+

      ¥1.99
    • 30+

      ¥1.96
  • 有货
  • 开关模式电源应用、便携式设备电池应用
    数据手册
    • 1+

      ¥2.0629
    • 10+

      ¥1.601
    • 30+

      ¥1.403
    • 100+

      ¥1.156
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 260 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 180 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 132 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 103 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用:电源管理开关
    • 1+

      ¥2.07
    • 10+

      ¥2.03
    • 30+

      ¥2
  • 有货
  • 用于一般电源管理的负载开关IC,具有压摆率控制驱动器,特点是超低静态电流、低开关导通电阻和1.0至5.5V的宽输入工作电压范围。静态电流仅为0.08nA,输出电流可达1.0A,还具备输出自动放电功能。采用0.35mm间距的超小型封装WCSP4G(0.645mm×0.645mm,最大厚度0.465mm),背面有涂层,可防止外部损坏。
    • 5+

      ¥2.2184
    • 50+

      ¥1.7607
    • 150+

      ¥1.5645
  • 有货
  • 四输入与门。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与门。实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持了CMOS的低功耗。内部电路由包括缓冲输出的4级组成,提供高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统和双电源系统(如备用电池)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏
    数据手册
    • 1+

      ¥2.3
    • 10+

      ¥2.24
    • 30+

      ¥2.2
  • 有货
    • 5+

      ¥2.3228
    • 50+

      ¥1.844
    • 150+

      ¥1.6388
  • 有货
  • 特性:1.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 63.2mΩ(最大值)(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 41.1mΩ(最大值)(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 31.0mΩ(最大值)(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 25.8mΩ(最大值)(VGS =-4.5V)
    • 1+

      ¥2.49
    • 10+

      ¥1.98
    • 30+

      ¥1.75
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。 1.2-V 驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 67 mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 74 mΩ(典型值)(@ VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 84 mΩ(典型值)(@ VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 94 mΩ(典型值)(@ VGS = 1.5V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    • 1+

      ¥2.54
    • 10+

      ¥2.48
    • 30+

      ¥2.44
  • 有货
  • TLP2703由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管晶体管芯片耦合而成。它采用薄型SO6L封装,厚度最大为2.3 mm。
    • 1+

      ¥2.56
    • 10+

      ¥2.26
    • 30+

      ¥2.11
    • 100+

      ¥1.96
    • 500+

      ¥1.87
  • 有货
  • TLP185(SE)由一个与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP185(SE)光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO6封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.64
    • 10+

      ¥2.36
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥2.08
    • 500+

      ¥2
    • 1000+

      ¥1.95
  • 有货
  • 特性:最适合为TTL/CMOS供电。 无需外部组件。 内置过热保护。 内置过流保护。 最大输出电流为150mA(Tj = 25℃)。 采用PW-mini(SOT-89)封装
    • 1+

      ¥2.79
    • 10+

      ¥2.22
    • 30+

      ¥1.97
    • 100+

      ¥1.66
    • 500+

      ¥1.53
  • 有货
  • 特性:4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 115 mΩ(典型值)(VGS = 4.0V)。RDS(ON) = 101 mΩ(典型值)(VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 84 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关
    • 1+

      ¥2.88
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.77
  • 有货
  • 8位移位寄存器/锁存器(三态)。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器,在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作。包含一个8位静态移位寄存器,为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成,输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容
    • 1+

      ¥3.24
    • 10+

      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.26
  • 有货
  • 由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成,采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作,最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎),有助于设备节能,可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度,具有反相器输出。
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥3.16
    • 30+

      ¥3.11
  • 有货
  • 八进制 D 型锁存器,具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制锁存器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作,同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,可将 0 至 5.5V 电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如电池备份、热板插入等)而导致器件损坏
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3376 ¥5.96
    • 10+

      ¥2.6818 ¥5.83
    • 30+

      ¥2.07 ¥5.75
    • 100+

      ¥2.0376 ¥5.66
  • 有货
  • 适用于音频通用放大应用,高电压:VCEO = 120V,高hFE:hFE = 200至700,出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值),低噪声:NF = 1dB(典型值)
    • 1+

      ¥3.52
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥3.38
  • 有货
  • 由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。采用 SO6 封装,保证最小爬电距离为 5.0mm,最小电气间隙为 5.0mm,最小绝缘厚度为 0.4mm。因此,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥3.36
    • 30+

      ¥3.13
    • 125+

      ¥2.91
    • 500+

      ¥2.77
  • 有货
  • 74VHCT240AFT 和 74VHCT244AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。它们实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作,同时保持了 CMOS 的低功耗。 74VHCT240AFT 是一个反相三态缓冲器,有两个低电平有效输出使能端。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.86
    • 10+

      ¥3.17
    • 30+

      ¥2.82
  • 有货
  • TLP266J 由一个过零光控双向晶闸管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成。TLP266J 采用 SO6 封装,保证爬电距离为 5.0 mm(最小值),电气间隙为 5.0 毫米,绝缘厚度最小为 0.4 毫米。因此,TLP266J 符合国际安全标准的增强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.9984 ¥7.84
    • 10+

      ¥3.3354 ¥6.54
    • 30+

      ¥2.9733 ¥5.83
    • 100+

      ¥2.5653 ¥5.03
    • 500+

      ¥2.3817 ¥4.67
    • 1000+

      ¥2.3001 ¥4.51
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。输入引脚在正向和负向阈值之间具有迟滞特性,因此能够对缓慢变化的输入信号(如线路接收器)进行整形。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入和输出引脚可以承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如电池备份等情况)而导致器件损坏。
    数据手册
    • 1+

      ¥4
    • 10+

      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.85
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 17 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 56 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IJSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:VTH = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器-开关稳压器
    • 1+

      ¥4.14
    • 10+

      ¥4.05
    • 30+

      ¥3.99
  • 有货
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