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价格(含税)

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CMOS数字集成电路单硅片低电压六施密特反相器

型号：74LCX14FT(AJ) 编号：C7421264

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压六施密特反相器，具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同，但输入具有滞后特性，带有施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。

5+
￥1.9439
50+
￥1.5145
150+
￥1.3305

有货

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CMOS数字集成电路八进制D型触发器

型号：74LCX273FT 编号：C2677961

封装：TSSOP-20-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74LCX273FT是高性能CMOS 8位D型触发器，专为3.3 V系统设计，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件适用于低电压（3.3 V）VCC应用，但也可用于输入和输出均为5 V电源环境的接口。这个8位D型触发器由时钟输入（CK）和清零输入（CLR）控制。

数据手册

5+
￥2.0434
50+
￥1.5898
150+
￥1.3954

有货

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超低静态电流1.0A负载开关IC

型号：TCK127BG,LF 编号：C17341073

封装：WCSPG-4(0.7x0.7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于一般电源管理的负载开关IC，具有压摆率控制驱动器，特点是超低静态电流、低开关导通电阻和1.0至5.5V的宽输入工作电压范围。静态电流仅为0.08nA，输出电流可达1.0A，还具备输出自动放电功能。采用0.35mm间距的超小型封装WCSP4G（0.645mm×0.645mm，最大厚度0.465mm），背面有涂层，可防止外部损坏。

5+
￥2.072
50+
￥1.6143
150+
￥1.4181

有货

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ESD 12V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：DF2B18FU,H3F 编号：C1973063

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC Q101合格。应用：ESD保护

数据手册

5+
￥2.1233
50+
￥1.6398
150+
￥1.4326

有货

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74VHC125FT(BE)

型号：74VHC125FT(BE) 编号：C5331505

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

5+
￥2.3228
50+
￥1.844
150+
￥1.6388

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP385(D4GR-TR,E 编号：C38086789

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

5+
￥2.45
50+
￥1.95
150+
￥1.73
500+
￥1.46

有货

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CMOS 八通道多路复用器

型号：74HC151D 编号：C2674446

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC151D是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS 8通道多路复用器。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

1+
￥2.62
10+
￥2.03
30+
￥1.78

有货

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12V 150mA 27V

型号：TA78L12F(TE12L,F) 编号：C4153785

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：最适合为TTL/CMOS供电。无需外部组件。内置过热保护。内置过流保护。最大输出电流为150mA（Tj = 25℃）。采用PW-mini（SOT-89）封装

1+
￥2.79
10+
￥2.22
30+
￥1.97
100+
￥1.66
500+
￥1.53

有货

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3线-8线译码器

型号：74HC138D 编号：C2674688

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC138D是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS 3线-8线解码器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。当器件使能时，3个二进制选择输入（A、B和C）决定输出（\(\overline{{\mathrm{Y}}}0\cdot\overline{{\mathrm{Y}}}7\)）中的哪一个将变为低电平

数据手册

1+
￥2.85
10+
￥2.27
30+
￥2.01

有货

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DC 3.75kV

型号：TLP2309(TPL,E 编号：C7527971

封装：SOIC-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

1+
￥3.2
10+
￥2.48
30+
￥2.17

有货

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三态输出，8位移位寄存器/锁存器

型号：74VHC595FT 编号：C3304543

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器，在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作。包含一个8位静态移位寄存器，为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成，输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容

1+
￥3.24
10+
￥2.58
30+
￥2.26

有货

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光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP291(GR-TP,E 编号：C5370571

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

1+
￥3.31
10+
￥2.63
30+
￥2.34
100+
￥1.98
500+
￥1.81

有货

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TLP265J(T7-TPL,E(T

型号：TLP265J(T7-TPL,E 编号：C2987242

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥3.478 ￥7.4
10+
￥2.2866 ￥6.18
30+
￥1.4877 ￥5.51
100+
￥1.2825 ￥4.75
500+
￥1.1907 ￥4.41
1000+
￥1.1502 ￥4.26

有货

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有 1

型号：TLP268J(E 编号：C6553530

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。采用 SO6 封装，保证最小爬电距离为 5.0mm，最小电气间隙为 5.0mm，最小绝缘厚度为 0.4mm。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥3.81
10+
￥3.36
30+
￥3.13
125+
￥2.91
500+
￥2.77

有货

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N沟道耐压:600V 电流:7.5A

型号：TK8A60DA(STA4,X,S) 编号：C471289

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.8Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

1+
￥3.94
10+
￥3.15
50+
￥2.76

有货

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P沟道耐压:12V 电流:12A

型号：SSM6J505NU,LF 编号：C7320743

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 61mΩ（最大值）@VGS = -1.2V。RDS(ON) = 30mΩ（最大值）@VGS = -1.5V。RDS(ON) = 21mΩ（最大值）@VGS = -1.8V。RDS(ON) = 16mΩ（最大值）@VGS = -2.5V。RDS(ON) = 12mΩ（最大值）@VGS = -4.5V。应用：电源管理开关

1+
￥4.04
10+
￥3.22
30+
￥2.81
100+
￥2.4

有货

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光电耦合器，GaAs红外LED与光电IC

型号：TLP2962F(TP4,F) 编号：C4153773

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。满足8mm的PC板间距要求。

1+
￥4.25
10+
￥3.8
30+
￥3.58
100+
￥3.35
500+
￥3.22

有货

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N沟道耐压:100V 电流:3.5A

型号：SSM6N813R,LF 编号：C5930520

封装：TSOP-6F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 110 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 88 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。应用：电源管理开关

1+
￥4.61
10+
￥3.69
30+
￥3.22
100+
￥2.77

有货

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CMOS数字集成电路

型号：TC74HC4050AFELF 编号：C3755469

封装：SOIC-16-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC4049AFT和TC74HC4050AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS六缓冲器。它们能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

1+
￥4.98
10+
￥4.85
30+
￥4.77

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:34A

型号：TPH9R506PL,LQ 编号：C6886368

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 6.6 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 18 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.3 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥5.08
10+
￥4.96
30+
￥4.87

有货

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光电耦合器，GaAlAs红外LED与光电IC

型号：TLP2748(TP,E 编号：C2848502

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2748由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

数据手册

1+
￥5.39
10+
￥4.27
30+
￥3.71
100+
￥3.15
500+
￥2.82

有货

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NPN 电流:5A 电压:80V

型号：2SC3303-Y(T6L1,NQ) 编号：C5502682

封装：TO-251-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低集电极饱和电压：VCE (sat) = 0.4V (max) (IC = 3A)。高速开关时间：tSTG = 1.0 μs (typ.)。应用：工业应用。高电流开关应用

1+
￥5.87
10+
￥5.66
30+
￥5.52

有货

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红外LED与光电IC光耦合器

型号：TLP2348(V4-TPL,E 编号：C6285465

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎)，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度，具有反相器输出。

1+
￥6.01
10+
￥4.81
30+
￥4.2
100+
￥3.6

有货

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八进制D型触发器，带三态输出

型号：TC74ACT574FTEL 编号：C146345

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74ACT574是一款采用硅栅和双层金属布线C²MOS技术制造的先进高速CMOS八进制触发器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。该器件可用作将TTL或NMOS与高速CMOS接口的电平转换器

数据手册

1+
￥6.08
10+
￥4.95
30+
￥4.38

有货

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电压:60V 电流:3A

型号：CMS15(TE12L,Q,M) 编号：C5599368

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于开关稳压器、DC-DC转换器中的射频整流。由于采用小型封装，适合高密度电路板组装。

1+
￥6.68
10+
￥5.48
30+
￥4.81
100+
￥4.07

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP719(D4-TP,F) 编号：C393901

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs高输出发光二极管和高速探测器组成。这是一款6引脚SDIP封装产品，比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽层，可有效抗共模噪声瞬变，适用于嘈杂的环境条件。

数据手册

1+
￥8.05
10+
￥6.72
30+
￥5.99

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:136A

型号：TPH2R306NH1,LQ 编号：C7125473

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 26 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 91 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥9.06
10+
￥8.83
30+
￥8.67

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:148A

型号：TK65E10N1,S1X 编号：C6332866

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VtA = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

1+
￥9.25
10+
￥7.63
50+
￥6.74

有货

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八路总线缓冲器

型号：TC74VHC541F(EL,K,F 编号：C6880157

封装：SOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC540/TC74VHC541是采用硅栅极I²MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器。它们能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。TC74VHC540为反相类型，而TC74VHC541为同相类型

1+
￥9.44
10+
￥7.94
30+
￥7

有货

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低压四通道2输入或门，输入输出5V容限

型号：74LCX32FT 编号：C5155296

封装：TSSOP-14-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74LCX32FT是一款高性能的CMOS二输入或门。它专为3.3 V系统设计，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行

数据手册

1+
￥9.83
10+
￥8.21
30+
￥7.32

有货

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