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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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      ¥14.9
    • 10+

      ¥12.72
    • 30+

      ¥11.35
    • 100+

      ¥9.95
  • 有货
    • 1+

      ¥20.41
    • 10+

      ¥17.33
    • 30+

      ¥15.5
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:使用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.073Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强型:Vth = 2.7至3.7V(VDS = 10V,ID = 1.5mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥21.02 ¥52.55
    • 10+

      ¥13.677 ¥45.59
    • 30+

      ¥8.27 ¥41.35
    • 90+

      ¥7.56 ¥37.8
  • 有货
  • 迷你扁平光耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个串联的光电二极管阵列光耦合而成,适用于MOSFET栅极驱动器。
    • 1+

      ¥22.95
    • 10+

      ¥20.3
    • 30+

      ¥18.64
    • 100+

      ¥16.94
  • 有货
    • 1+

      ¥24.16
    • 10+

      ¥20.68
    • 30+

      ¥18.61
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 30 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 81.3 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.36 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VTH = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥34.87
    • 10+

      ¥29.91
    • 30+

      ¥26.89
  • 有货
  • 应用:低频放大器
    • 50+

      ¥0.0838
    • 500+

      ¥0.0661
    • 3000+

      ¥0.0563
    • 6000+

      ¥0.0504
    • 24000+

      ¥0.0453
    • 51000+

      ¥0.0425
  • 订货
  • 应用:ESD保护
    • 5+

      ¥0.2546
    • 50+

      ¥0.2483
    • 150+

      ¥0.2441
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCDS = -50V。 高集电极电流:IC = -150 mA (最大)。 高hFE:hFE = 70至400。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。 与2SC1738互补。应用:低频放大器
    • 10+

      ¥0.2651
    • 100+

      ¥0.2075
    • 300+

      ¥0.1786
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:Ic = 150 mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至700。 出色的hFE线性度:hFE (Ic = 0.1mA) / hFE (Ic = 2mA) = 0.95(典型值)。 与2SA1832互补。应用:低频放大器。 AM放大器
    • 5+

      ¥0.278
    • 50+

      ¥0.2709
    • 150+

      ¥0.2662
  • 有货
  • 特性:1.8V驱动,低导通电阻:RDS(ON) = 144 mΩ(最大值) (VG S =-1.8V)。 RDS(ON) = 72.0 mΩ(最大值) (VG S =-2.5V)。 RDS(ON) = 50.0 mΩ(最大值) (VG S =-4.5V)。 RDS(ON) = 42.0 mΩ(最大值) (VG S =-10V)
    数据手册
    • 1+

      ¥0.2823
    • 10+

      ¥0.2207
    • 30+

      ¥0.1899
    • 100+

      ¥0.1669
    • 500+

      ¥0.1484
    • 1000+

      ¥0.1392
  • 有货
  • 总线缓冲器,具有三态输出
    数据手册
    • 1+

      ¥0.3223
    • 10+

      ¥0.2528
    • 30+

      ¥0.2181
  • 有货
  • 特性:小封装(双类型)。 高电压和高电流:VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至400。 出色的hFE线性度:hFE(Ic = 0.1mA)/ hFE(Ic = 2mA) = 0.95(典型值)
    • 10+

      ¥0.3342
    • 100+

      ¥0.2685
    • 300+

      ¥0.2356
    • 3000+

      ¥0.1803
    • 6000+

      ¥0.1606
    • 9000+

      ¥0.1507
  • 订货
  • 特性:小反向传输电容:Cre = 0.7 pF(典型值)。 低噪声系数:NF = 2.5 dB(典型值)。应用:高频放大器应用。 FM、RF、MIX、IF放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3549
    • 100+

      ¥0.2781
    • 300+

      ¥0.2396
  • 有货
    • 5+

      ¥0.3711
    • 50+

      ¥0.3628
    • 150+

      ¥0.3573
  • 有货
    • 5+

      ¥0.37197 ¥1.2399
    • 50+

      ¥0.19254 ¥0.9627
    • 150+

      ¥0.08439 ¥0.8439
    • 500+

      ¥0.06957 ¥0.6957
    • 2000+

      ¥0.06297 ¥0.6297
    • 4000+

      ¥0.059 ¥0.59
  • 有货
  • 特性:1.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 5.60Ω 最大 (VGS = 1.5V);RDS(ON) = 4.05Ω 最大 (VGS = 1.8V);RDS(ON) = 3.02Ω 最大 (VGS = 2.5V);RDS(ON) = 2.20Ω 最大 (VGS = 4.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 10+

      ¥0.3746
    • 100+

      ¥0.2934
    • 300+

      ¥0.2529
  • 有货
  • 双施密特反相器
    • 5+

      ¥0.4589
    • 50+

      ¥0.4474
    • 150+

      ¥0.4397
    • 500+

      ¥0.432
  • 有货
  • 该产品仅用于静电放电(ESD)防护。在超紧凑型封装中安装两个器件可减少零件数量并降低安装成本。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5372
    • 50+

      ¥0.4211
    • 150+

      ¥0.363
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2401至RN2406互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5385
    • 50+

      ¥0.5271
    • 150+

      ¥0.5194
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5559
    • 50+

      ¥0.4407
    • 150+

      ¥0.3831
  • 有货
  • 特性:宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:±24 mA(最小值),VCC = 3.0V。 超高速运行:tpd = 2.3 ns(典型值),VCC = 5.0V,CL = 50 pF。 工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 耐压输入。 5.5V 掉电保护输出。 当在 3.3V VCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列匹配
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5827
    • 50+

      ¥0.5683
    • 150+

      ¥0.5587
  • 有货
  • 本产品仅用于静电放电(ESD)防护,不用于任何其他用途,包括但不限于恒压二极管应用。由于两个器件封装在超紧凑型封装中,因此可以减少元件数量和安装成本。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5855
    • 50+

      ¥0.4685
    • 150+

      ¥0.41
  • 有货
  • 应用:高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6289
    • 50+

      ¥0.4982
    • 150+

      ¥0.4328
    • 500+

      ¥0.3838
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7756
    • 50+

      ¥0.7591
    • 150+

      ¥0.7481
  • 有货
  • 应用:高速开关
    • 5+

      ¥0.8545
    • 50+

      ¥0.8363
    • 150+

      ¥0.8242
  • 有货
  • DF2B6M4BSL是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管(静电放电保护二极管),用于保护电子设备天线和高速接口端口中的半导体元件免受静电和噪声影响。该产品具有超低电容特性,能够抑制天线和高速信号线中令人担忧的信号质量下降问题。此外,DF2B6M4BSL在施加静电放电时可提供较低的峰值电压,具备出色的保护性能
    • 5+

      ¥0.9032
    • 50+

      ¥0.7227
    • 150+

      ¥0.6325
    • 500+

      ¥0.5648
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topt = -40 至 125℃。 高输出电流:在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA(最小值)。 超高速运行:在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时,tpd = 3.7ns(典型值)。 工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 耐压输入。 5.5V 掉电保护输出。 在 3.3V VCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列匹配
    • 5+

      ¥1.1059
    • 50+

      ¥0.8789
    • 150+

      ¥0.7816
    • 500+

      ¥0.6602
  • 有货
  • 特性:低噪声:VNI = 7.8 nV/Hz(典型值)@VDD = 3.3 V。 小相位延迟:-2.5 度 @VDD = 3.3 V(典型值),f = 2 kHz。 低电流供应:500 μA @VDD = 3.3 V(典型值)。 超紧凑型封装
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1415
    • 50+

      ¥1.1156
    • 150+

      ¥1.0983
  • 有货
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