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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 11.7 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 87 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 7.3 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_RSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 150 V)。 增强模式:V_th = 3.3 至 4.3 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
  • 1+

    ¥25.77
  • 10+

    ¥21.92
  • 30+

    ¥19.64
  • 有货
  • 是一款采用4引脚USOP封装的光电继电器,由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.05
    • 10+

      ¥26.37
    • 30+

      ¥23.58
    • 100+

      ¥20.77
  • 有货
  • 应用:低频放大器
    • 50+

      ¥0.0838
    • 500+

      ¥0.0661
    • 3000+

      ¥0.0563
    • 6000+

      ¥0.0504
    • 24000+

      ¥0.0453
    • 51000+

      ¥0.0425
  • 订货
  • 应用:ESD保护
    • 5+

      ¥0.2546
    • 50+

      ¥0.2483
    • 150+

      ¥0.2441
  • 有货
    • 5+

      ¥0.2842
    • 50+

      ¥0.2782
    • 150+

      ¥0.2741
    • 500+

      ¥0.2701
  • 有货
  • 特性:小封装。 低导通电阻:Rₒₙ = 12Ω(最大值)(V_GS =-4V);Rₒₙ = 32Ω(最大值)(V_GS =-2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥0.2884
    • 50+

      ¥0.2818
    • 150+

      ¥0.2775
  • 有货
  • 特性:小封装(双类型)。 高电压和高电流:VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至400。 出色的hFE线性度:hFE(Ic = 0.1mA)/ hFE(Ic = 2mA) = 0.95(典型值)
    • 10+

      ¥0.3342
    • 100+

      ¥0.2685
    • 300+

      ¥0.2356
    • 3000+

      ¥0.1803
    • 6000+

      ¥0.1606
    • 9000+

      ¥0.1507
  • 订货
  • 特性:1.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 5.60Ω 最大 (VGS = 1.5V);RDS(ON) = 4.05Ω 最大 (VGS = 1.8V);RDS(ON) = 3.02Ω 最大 (VGS = 2.5V);RDS(ON) = 2.20Ω 最大 (VGS = 4.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 10+

      ¥0.3746
    • 100+

      ¥0.2934
    • 300+

      ¥0.2529
  • 有货
  • 适用于音频通用放大器应用。具有高电压和高电流特性,VCEO =-50V,IC =-150mA(最大值)。hFE线性优异,hFE (IC =-0.1mA) / hFE (IC =-2mA) = 0.95(典型值),hFE为70~400,与2SC4738互补,采用小封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3757
    • 100+

      ¥0.3007
    • 300+

      ¥0.2631
  • 有货
  • 应用:高速开关
    • 10000+

      ¥0.495
    • 20000+

      ¥0.473
    • 30000+

      ¥0.462
    特性:AEC-Q101合格。应用:ESD保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4047
    • 50+

      ¥0.3947
    • 150+

      ¥0.3881
  • 有货
  • 特性:小封装。 低正向电压:VF(2) = 0.45 V(典型值)。应用:高速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4433
    • 100+

      ¥0.3473
    • 300+

      ¥0.2993
  • 有货
  • 特性:1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON)=9.0Ω (max) (@VGS=1.2V, ID=10mA)。RDS(ON)=3.1Ω (max) (@VGS=1.5V, ID=20mA)。RDS(ON)=2.4Ω (max) (@VGS=1.8V, ID=150mA)。RDS(ON)=1.6Ω (max) (@VGS=2.5V, ID=150mA)。RDS(ON)=1.1Ω (max) (@VGS=4.5V, ID=150mA)。应用:高速开关。 模拟开关
    • 5+

      ¥0.568
    • 50+

      ¥0.4462
    • 150+

      ¥0.3852
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5681
    • 50+

      ¥0.4451
    • 150+

      ¥0.3836
  • 有货
  • CMOS单输出电压调节器,带有开/关控制输入,具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压,能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降,2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms,负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV(I_OUT = 1mA⇔150mA,C_OUT = 1.0μF)。因此,适用于模拟和射频等敏感电源应用。
    • 5+

      ¥0.6023
    • 50+

      ¥0.516
    • 150+

      ¥0.4791
    • 500+

      ¥0.4329
    • 2500+

      ¥0.4124
  • 有货
  • 该产品是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS 2输入施密特与非门。 它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗。 引脚配置和功能与74VHC00FT相同,但输入具有滞后特性,凭借其施密特触发器功能,可作为接收慢速输入信号的线路接收器。 输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加0至5.5V的电压。该器件可用于5至3V系统和双电源系统(如备用电池)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    • 5+

      ¥0.7004
    • 50+

      ¥0.6831
    • 150+

      ¥0.6716
  • 有货
  • 东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。
    • 5+

      ¥0.8158
    • 50+

      ¥0.6526
    • 150+

      ¥0.571
    • 500+

      ¥0.5098
  • 有货
    • 5+

      ¥0.8752
    • 50+

      ¥0.8557
    • 150+

      ¥0.8427
    • 500+

      ¥0.8297
  • 有货
    • 5+

      ¥0.9426
    • 50+

      ¥0.9196
    • 150+

      ¥0.9042
  • 有货
  • 特性:小封装。 典型VZ电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 5+

      ¥1.1387
    • 50+

      ¥0.8921
    • 150+

      ¥0.7864
  • 有货
  • 特性:低噪声:VNI = 7.8 nV/Hz(典型值)@VDD = 3.3 V。 小相位延迟:-2.5 度 @VDD = 3.3 V(典型值),f = 2 kHz。 低电流供应:500 μA @VDD = 3.3 V(典型值)。 超紧凑型封装
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1415
    • 50+

      ¥1.1156
    • 150+

      ¥1.0983
  • 有货
  • 双2输入与非门
    • 5+

      ¥1.1961
    • 50+

      ¥1.1714
    • 150+

      ¥1.1549
  • 有货
  • 特性:低正向电压:VFM = 0.37V @ IFM = 0.7A。 平均正向电流:IF(AV) = 1.0A。 重复峰值反向电压:VRRM = 30V。 适合采用小型表面贴装封装“S-FLAT”进行紧凑组装
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.506
    • 3000+

      ¥0.484
    • 9000+

      ¥0.4708
    特性:输入和输出全范围。 超低电源电流 0.27μA(典型值)@VDD=1.5V。 低输入失调电压 1.3mV(最大值)@VDD=1.5V。 宽工作电压范围 1.5V 至 5.5V
    • 1+

      ¥1.21
    • 10+

      ¥1.18
    • 30+

      ¥1.16
    • 100+

      ¥1.14
  • 有货
  • 是CMOS通用单比较器。该器件可采用单电源供电,且与传统双极型通用比较器相比,其电源电流更低。该器件的推挽输出级可直接连接到TTL或CMOS逻辑IC等。
    • 1+

      ¥1.21
    • 10+

      ¥1.18
    • 30+

      ¥1.16
  • 有货
  • 8-位移位寄存器/锁存器(三态)。采用硅栅C2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器,能实现与等效LSTTL类似的高速操作,同时保持CMOS低功耗特性。包含一个8位静态移位寄存器,该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成。输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号相互独立,因此在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且,由于并行输出是三态的,它可以直接连接到8位总线。该寄存器可用于串并转换、数据接收器等。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥1.2587
    • 50+

      ¥0.976
    • 150+

      ¥0.8548
  • 有货
  • TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装,是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110°C)和较高的隔离电压(3750Vrms),因此适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4151
    • 50+

      ¥1.2261
    • 150+

      ¥1.1451
    • 500+

      ¥1.044
  • 有货
    • 1+

      ¥1.43
    • 10+

      ¥1.4
    • 30+

      ¥1.38
  • 有货
  • CMOS通用单输出电压调节器,具有开/关控制输入,特点是超低静态偏置电流和低压差电压。这些电压调节器提供0.8V至5.0V的固定输出电压,能够驱动高达300mA的电流。它们具有过流保护、热关断功能和自动放电功能。采用超小塑料模制封装DFN4/DFN4E 1.0mm×1.0mm,0.60mm(最大),在3.3V输出、I0UT = 300mA时具有196mV的低压差电压。由于TCR3UM系列可以使用1μF的小型陶瓷输入和输出电容器,这些器件非常适合需要高密度电路板组装的便携式应用,如手机、物联网设备和可穿戴设备。
    • 5+

      ¥1.5267
    • 50+

      ¥1.1895
    • 150+

      ¥1.0449
    • 500+

      ¥0.8646
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 5+

      ¥1.58
    • 50+

      ¥1.37
    • 150+

      ¥1.28
    • 500+

      ¥1.16
  • 有货
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