东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-25-5

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围：Topt = -40 至 125℃。高输出电流：在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA（最小值）。超高速运行：在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时，tpd = 3.7ns（典型值）。工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 耐压输入。 5.5V 掉电保护输出。在 3.3V VCC 下运行时，性能与 TC74LCX 系列匹配

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￥1.1059
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￥0.8789
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￥0.6602

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型号：TC75S63TU,LF 编号：C2058745

封装：SON-5(1.7x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低噪声：VNI = 7.8 nV/Hz（典型值）@VDD = 3.3 V。小相位延迟：-2.5 度 @VDD = 3.3 V（典型值），f = 2 kHz。低电流供应：500 μA @VDD = 3.3 V（典型值）。超紧凑型封装

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型号：SSM3K329R,LF 编号：C150127

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于电源管理开关应用和高速开关应用，具有低导通电阻的特点。

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3000+
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型号：SSM3J378R,LF 编号：C5908545

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的零件编号列表）。 1.5-V栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -ΔRDS(ON) = 88.4 mΩ（最大值）(@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 56.0 mΩ（最大值）(@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 39.7 mΩ（最大值）(@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 29.8 mΩ（最大值）(@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关

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型号：TA75S01F(TE85L,F) 编号：C7421334

封装：SOT-25

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：在线性模式下，输入共模电压范围包含地。内部补偿运算放大器采用小封装。低功耗和低电流消耗，适合电池供电。差分输入电压范围等于电源电压。大输出电压摆幅：0VDC 至 3.4VDC（VCC = 5V）。宽电源电压范围，支持单电源供电。单电源 3VDC 至 12VDC 或双电源 ±1.5VDC 至 ±6VDC

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￥1.1903
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型号：2SA1873-GR(TE85L,F 编号：C17478686

封装：TSSOP-5(SC-70-5)SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于音频频率通用放大器应用。小封装（双类型），高电压和高电流：VCEO = -50V，IC = -150mA（最大值），高hFE，出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值），与2SC4944互补。

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￥1.2971
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型号：74HC595D(BJ) 编号：C7421255

封装：SOIC16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8-位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅C2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器，能实现与等效LSTTL类似的高速操作，同时保持CMOS低功耗特性。包含一个8位静态移位寄存器，该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成。输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号相互独立，因此在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且，由于并行输出是三态的，它可以直接连接到8位总线。该寄存器可用于串并转换、数据接收器等。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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￥1.3716
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型号：2SA2061(TE85L,F) 编号：C6054119

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高 DC 电流增益：hF 在 200 至 500 之间（IC =-0.5 A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) =-0.19V（最大值）。高速开关：tF = 40 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

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￥1.66
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型号：TA75W393FU,LF 编号：C5975496

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TCR3UF20A,LM(CT 编号：C7067134

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCR3UF 系列是采用 CMOS 工艺的单输出电压调节器，带有开/关控制输入，具有超低静态偏置电流和低压差电压的特点。这些电压调节器提供 0.8V 至 5.0V 之间的固定输出电压，能够驱动高达 300 mA 的电流。它们具备过流保护、热关断功能和自动放电选项

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￥2.0082
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型号：TLP265J(V4-TPL,E）编号：C516861

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。

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￥2.0862 ￥3.42
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型号：TCK106AF,LF 编号：C2653753

封装：SOT-25(SC-74A)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AF、TCK107AF 和 TCK108AF 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，特点是开关导通电阻低，输入电压工作范围宽，为 1.1 至 5.5 V。在 VIN = 5.0 V、lOUT = -0.5 A 的条件下，开关导通电阻典型值仅为 63 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AF 和 TCK108AF 具备输出自动放电功能

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￥2.1101
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型号：74VHC540FT(BE) 编号：C7421295

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器，反相、三态输出。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压，该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如电池备用）的接口，此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

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￥2.25
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型号：74VHCV541FT 编号：C2675740

封装：TSSOP-20-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制施密特总线缓冲器 74VHCV540FT：反相、三态输出 74VHCV541FT：同相、三态输出 74VHCV540FT 和 74VHCV541FT 是采用硅栅 CMOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。

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型号：TLP383(GRL-TPR,E 编号：C39623338

封装：SO-4L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP290(TP,SE 编号：C5362374

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反并联连接的红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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型号：TC75S57FU(TE85L,F) 编号：C5797399

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

是CMOS通用单比较器。该器件可采用单电源供电，且与传统双极型通用比较器相比，其电源电流更低。该器件的推挽输出级可直接连接到TTL或CMOS逻辑IC等。

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￥2.49
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型号：74HC151D 编号：C2674446

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC151D是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS 8通道多路复用器。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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￥2.64
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型号：74HC138D 编号：C2674688

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC138D是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS 3线-8线解码器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。当器件使能时，3个二进制选择输入（A、B和C）决定输出（\(\overline{{\mathrm{Y}}}0\cdot\overline{{\mathrm{Y}}}7\)）中的哪一个将变为低电平

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￥2.71
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￥2.12
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型号：TLP185(GB-TPR,E 编号：C7421357

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥2.76
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型号：TLP290(V4-GB,SE) 编号：C3002260

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小且薄的SO4封装，保证在宽工作温度Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750 Vrms）下工作，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

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￥2.95
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型号：74VHCV245FT 编号：C2675683

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCV245FT是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行

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￥3.29
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￥2.55
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型号：TLP160G(TPL,U,F) 编号：C2848498

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装，由光控三端双向可控硅和红外发光二极管光耦合而成。

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￥3.65
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￥3.57
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￥3.46

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型号：TLP385(D4BLLTL,E 编号：C3008595

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装，保证高隔离电压 (5000 Vrms)。由于与标准 DIP 封装相比，它的封装小而薄，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥3.918 ￥6.53
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￥2.725 ￥5.45
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￥1.944 ￥4.86
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￥1.676 ￥4.19
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￥1.556 ￥3.89
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￥1.504 ￥3.76

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型号：TLP266J(V4-TPL,E 编号：C3002259

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅组成，与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0mm，电气间隙最小为 5.0mm，绝缘厚度最小为 0.4mm。因此，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥3.971 ￥10.45
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￥2.6936 ￥9.62
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￥1.638 ￥9.1
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￥1.5426 ￥8.57
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￥1.4994 ￥8.33
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￥1.4814 ￥8.23

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型号：SSM6J808R,LXHF 编号：C6685676

封装：TSOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 4-V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)；RDS(ON) = 35 mΩ（典型值）(VGS = -4.5 V)；RDS(ON) = 38 mΩ（典型值）(VGS = -4 V)。应用：电源管理开关

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￥4.12
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￥4.01
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￥3.93

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型号：TLP2962F(TP4,F) 编号：C4153773

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。满足8mm的PC板间距要求。

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￥4.25
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型号：TCK106AG,LF 编号：C2149807

封装：WCSPD-4(0.79x0.79)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AG、TCK107AG 和 TCK108AG 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，具有低导通电阻和 1.1 至 5.5 V 的宽输入电压工作范围。在 5.0 V、-0.5 A 条件下，典型导通电阻仅为 34 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AG 和 TCK108AG 具备输出自动放电功能

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型号：TB62747AFNG(O,C,8,EL) 编号：C38761607

封装：SSOP-24

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62747系列是由为LED和LED面板显示屏设计的恒流驱动器组成的。调节电流源被设计为提供可调的恒定电流，该电流可以通过一个外部电阻进行调整。TB62747系列集成了16通道移位寄存器、锁存器、与门以及恒流输出。采用Bi-CMOS工艺制造，TB62747系列满足了高速数据传输的系统需求。它可在3.3或5.0 V电源下工作。

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￥4.18

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型号：74LCX245FT(AJ) 编号：C7473283

封装：TSSOP-20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压八进制总线收发器，具有5V容限输入和输出。是高性能CMOS八进制总线收发器，专为3.3V系统设计，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC应用而设计，但可用于输入和输出的5V电源环境接口。数据传输方向由DIR输入的电平决定。使能输入 (OE(overline)) 可用于禁用该器件，以使总线有效隔离。所有输入均配备防静电放电保护电路。

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