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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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特性:低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@VGS = 10 V);RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@VGS = 5.0 V);RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@VGS = 4.5 V)。应用:高速开关
  • 5+

    ¥0.3454
  • 50+

    ¥0.3369
  • 150+

    ¥0.3312
  • 有货
  • 逆变器(开漏)
    • 5+

      ¥0.3716
    • 50+

      ¥0.3627
    • 150+

      ¥0.3567
  • 有货
  • 东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4109
    • 50+

      ¥0.3584
    • 150+

      ¥0.3321
    • 500+

      ¥0.3124
    • 2000+

      ¥0.2967
  • 有货
  • 特性:小封装:SC-70。 低正向电压:ΔVF(3) = 0.92V(典型值)。 快速反向恢复时间:trF = 1.6ns(典型值)。 小总电容:CT = 2.2pF(典型值)
    数据手册
    • 1+

      ¥0.4357
    • 10+

      ¥0.3487
    • 30+

      ¥0.3051
    • 100+

      ¥0.2725
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 120V。 出色的hFE线性度:hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 高hFE:hFE = 200至700。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。 与2SA1163互补。应用:音频频率通用放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4564
    • 100+

      ¥0.3652
    • 300+

      ¥0.3196
  • 有货
  • 特性:小封装。 低导通电阻:Ron = 4.0Ω 最大 (VGS = 4V);Ron = 7.0Ω 最大 (VGS = 2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥0.4806
    • 50+

      ¥0.4693
    • 150+

      ¥0.4618
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有各种电阻值的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2114至RN2118互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5005
    • 50+

      ¥0.4877
    • 150+

      ¥0.4792
    • 500+

      ¥0.4707
  • 有货
  • DF2B7ACT是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管(静电放电保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。DF2B7ACT利用回滞特性,具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外,其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B7ACT采用超紧凑型封装(1.0 mm×0.6 mm),满足对空间要求苛刻的应用需求。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5053
    • 50+

      ¥0.3959
    • 150+

      ¥0.3411
    • 500+

      ¥0.3001
  • 有货
  • 特性:2.5V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω (max) (@ VGS = 4V);RDS(ON) = 6.0Ω (max) (@ VGS = 2.5V)。应用:负载开关
    • 5+

      ¥0.5221
    • 50+

      ¥0.511
    • 150+

      ¥0.5036
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 US6封装中包含两个器件(超小型6引脚)。 集成偏置电阻,减少外部零件数量,可减小系统尺寸并缩短组装时间。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5395
    • 50+

      ¥0.5259
    • 150+

      ¥0.5169
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至700。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    • 5+

      ¥0.5666
    • 50+

      ¥0.5546
    • 150+

      ¥0.5465
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5835
    • 50+

      ¥0.4605
    • 150+

      ¥0.3989
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高速运行:tod = 5.0 ns(典型值)(VCC = 5.0V, CL = 15 pF)。 低功耗:ICC = 2.0 μA(最大值)(Ta = 25℃)。 与 TTL 输出兼容:VIL = 0.8V(最大值) VIH = 2.0V(最小值)。 5.5V 耐受输入
    数据手册
    • 5+

      ¥0.623
    • 50+

      ¥0.4881
    • 150+

      ¥0.4206
  • 有货
  • 特性:低正向电压:Vr(3) = 0.40V(典型值)。 通用USC封装,相当于SOD-323和SC-76封装。应用:高速开关
    • 5+

      ¥0.7006
    • 50+

      ¥0.5489
    • 150+

      ¥0.473
  • 有货
  • 特性:适合高密度安装,采用紧凑型封装。 低导通电阻:Ron = 3.0Ω max (VGS = 4V);Ron = 4.0Ω max (VGS = 2.5V);Ron = 15Ω max (VGS = 1.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥0.712
    • 50+

      ¥0.6945
    • 150+

      ¥0.6828
  • 有货
  • 特性:小封装。 典型VZ电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 5+

      ¥0.8025
    • 50+

      ¥0.6263
    • 150+

      ¥0.5382
  • 有货
  • CMOS通用单输出电压调节器,具有开/关控制输入,特点是低压降、低输出噪声电压和低浪涌电流。提供1.0V至4.5V的固定输出电压,能够驱动高达300mA的电流。具有过流保护、过温保护、浪涌电流保护电路和自动放电功能。采用超小型塑料模制封装DFN4/DFN4E(1.0mm x 1.0mm;厚度0.58mm)。在2.5V输出时,压降为210mV(典型值),输出噪声电压为38μVrms(典型值),负载瞬态响应仅为ΔVOUT = ±80mV(典型值)。由于可以使用小型陶瓷输入和输出电容器,因此适用于需要高密度电路板组装的便携式应用,如手机。
    • 5+

      ¥0.8092
    • 50+

      ¥0.7891
    • 150+

      ¥0.7756
    • 500+

      ¥0.7622
  • 有货
  • 特性:N-ch: 4.0-V drive。 P-ch: 4.0-V drive。 N-ch, P-ch, 2-in-1。 低 ON 电阻: -Q1 N-ch: Ron = 182 mΩ (max) (@VGS = 4 V)。 -Ron = 132 mΩ (max) (@VGS = -10 V)。 -Q2 P-ch: Ron = 403 mΩ (max) (@VGS = -4 V)。应用:电源管理开关应用。 高速开关应用
    • 5+

      ¥0.8984
    • 50+

      ¥0.8749
    • 150+

      ¥0.8591
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高速运行:tod = 3.8 ns(典型值)(VCC = 5.0V, CL = 15 pF)。 低功耗:ICC = 2.0 μA(最大值)(Ta = 25℃)。 高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28% VCC(最小值)。 5.5V 容限输入。 平衡传播延迟:tPLH = tPHL。 宽工作电压范围:VCC = 2.0 至 5.5V。 与 TC7W34 引脚分配和功能相同
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9197
    • 50+

      ¥0.8967
    • 150+

      ¥0.8813
  • 有货
  • 特性:高电容比:C₁V / C₄V = 2.3(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.42Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器
    数据手册
    • 4000+

      ¥0.64975
    • 8000+

      ¥0.6328
    该产品仅用于静电放电 (ESD) 保护,不用于任何其他用途,包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装上安装两个器件可减少零件数量和安装成本。低终端电容:CT = 6.0 pF(典型值)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9549
    • 50+

      ¥0.744
    • 150+

      ¥0.6536
  • 有货
  • 特性:小封装。 由2个独立二极管组成。 低正向电压:V(3)=0.54V(典型值)。 低反向电流:IR = 5μA(最大值)
    • 5+

      ¥1.1897
    • 50+

      ¥0.9467
    • 150+

      ¥0.8425
  • 有货
  • 双2输入与非门
    • 5+

      ¥1.1961
    • 50+

      ¥1.1714
    • 150+

      ¥1.1549
  • 有货
  • 特性:低正向电压:VFM = 0.37V @ IFM = 0.7A。 平均正向电流:IF(AV) = 1.0A。 重复峰值反向电压:VRRM = 30V。 适合采用小型表面贴装封装“S-FLAT”进行紧凑组装
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.4708
    • 9000+

      ¥0.4664
    是高速C²MOS施密特触发器,采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同,但输入具有25% VCC的滞后,凭借其施密特触发功能,可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 3000+

      ¥1.121
    • 6000+

      ¥1.0925
    • 9000+

      ¥1.0545
    • 18000+

      ¥1.026
    特性:小封装。 典型的VZ电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 5+

      ¥1.3282
    • 50+

      ¥1.0423
    • 150+

      ¥0.9198
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hPE = 200 至 500(IC =-0.2 A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) =-0.19V(最大值)。 高速开关:tf = 25 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3353
    • 50+

      ¥1.0403
    • 150+

      ¥0.9139
  • 有货
  • 特性:输入和输出全范围。 超低电源电流 0.27μA(典型值)@VDD=1.5V。 低输入失调电压 1.3mV(最大值)@VDD=1.5V。 宽工作电压范围 1.5V 至 5.5V
    • 1+

      ¥1.37
    • 10+

      ¥1.34
    • 30+

      ¥1.32
    • 100+

      ¥1.3
  • 有货
  • 通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。
    • 1+

      ¥1.48
    • 10+

      ¥1.45
    • 30+

      ¥1.43
    • 100+

      ¥1.4
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 (Rev. D) 合格。 4.0V 驱动。 内置 47 kΩ 下拉电阻。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 480 mΩ(最大)(VGS = 4.0V);RDS(ON) = 410 mΩ(最大)(VGS = 4.5V);RDS(ON) = 340 mΩ(最大)(VGS = 10V)。应用:继电器驱动器
    • 1+

      ¥1.65
    • 10+

      ¥1.61
    • 30+

      ¥1.58
  • 有货
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