东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP5702H(D4TP4,E 编号：C6553544

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥3.69
10+
￥2.95
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￥2.58
100+
￥2.22
500+
￥2
1500+
￥1.88

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型号：TC4011BF(EL,N,F) 编号：C66920

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4011B 分别为 2 输入正逻辑与非门。由于这些门电路的所有输出端均配备反相器作为缓冲器，因此改善了输入/输出特性，并将负载电容增加导致的传播延迟时间变化降至最低。

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￥4.21
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￥3.37
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￥2.95
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￥2.53

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型号：TLP266J(V4-TPL,E 编号：C3002259

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅组成，与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0mm，电气间隙最小为 5.0mm，绝缘厚度最小为 0.4mm。因此，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

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￥4.3392 ￥13.56
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￥2.5454 ￥11.57
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￥1.2396 ￥10.33
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￥1.086 ￥9.05
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￥1.0176 ￥8.48
1000+
￥0.9876 ￥8.23

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C516863

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥4.4
10+
￥3.58
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￥3.17
100+
￥2.76
500+
￥2.52

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型号：TK12A50D(STA4,X,M) 编号：C5154560

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.45Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用

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1+
￥4.59
10+
￥3.6
50+
￥2.96
100+
￥2.47

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型号：74LCX126FT 编号：C2676039

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压四总线缓冲器，具有5V容限输入和输出。设计用于3.3V系统，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件设计用于低电压（3.3V）VCC应用，但可用于输入连接到5V电源环境。该器件需要将三态控制输入（OE）设置为低电平，以使输出进入高阻抗状态。所有输入均配备防静电放电保护电路。

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￥4.6201 ￥9.83
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￥3.0377 ￥8.21
30+
￥1.9764 ￥7.32
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￥1.7037 ￥6.31
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￥1.5822 ￥5.86
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￥1.5282 ￥5.66

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型号：TC7SZ07FU,LJ(CT 编号：C388848

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

非反相器（开漏）

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￥4.6201 ￥9.83
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￥3.0377 ￥8.21
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￥1.9764 ￥7.32
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￥1.7037 ￥6.31
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￥1.5822 ￥5.86
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￥1.5282 ￥5.66

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型号：TPN1200APL,L1Q 编号：C6886409

封装：TSON-8(3.1x3.1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 7.5 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 24 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 9.8 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥4.91
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￥4.79
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￥4.72
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￥4.64

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型号：TPH2R306NH,L1Q(M 编号：C5370557

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 26 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。增强模式：VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥5.18
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￥4.14
30+
￥3.63

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型号：TLP387(D4-TPL,E 编号：C17474491

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

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￥5.27
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￥4.19
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￥3.65
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￥3.12
500+
￥2.79

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型号：TLP2768A(D4TP4,E 编号：C5370563

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥5.32
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￥4.3
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￥3.79
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￥3.29
500+
￥2.99

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型号：TLP2761(TP4,E 编号：C20613155

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥5.75
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￥4.66
30+
￥4.12
100+
￥3.58
500+
￥3.26

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型号：TLP548J(TP1,F) 编号：C393900

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

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1+
￥5.75
10+
￥5.61
30+
￥5.51
100+
￥5.41

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型号：TLP3052A(D4TP1,F 编号：C28260533

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥5.87
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￥5.32
30+
￥5.01
100+
￥4.67

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型号：2SA1941-O(Q) 编号：C4153788

封装：TO-3PN

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于70W高保真音频放大器输出级。

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￥6.05
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￥4.89
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￥4.31

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型号：TLP293-4(4LGBTPE 编号：C17297808

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥6.38
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￥5.73
30+
￥5.37
100+
￥4.96
500+
￥4.78

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型号：TLP3083(TP1,F 编号：C146363

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥6.545 ￥8.5
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￥5.2394 ￥7.82
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￥4.218 ￥7.4
100+
￥3.9729 ￥6.97
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￥3.8646 ￥6.78
1500+
￥3.8133 ￥6.69

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型号：TK13A65U 编号：C556316

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.32Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 5.0 至 5.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用

数据手册

1+
￥7.7264 ￥8.78
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￥5.7252 ￥7.34
50+
￥4.454 ￥6.55
100+
￥3.8488 ￥5.66
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￥3.5768 ￥5.26
1000+
￥3.4544 ￥5.08

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型号：TK17A65W,S5X(M 编号：C5307665

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.17 Ω（典型值），采用超级结结构：DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.5 至 3.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.9 mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥8.87
10+
￥8.09
50+
￥7.59
100+
￥7.09

有货

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型号：TPH3300CNH,L1Q(M 编号：C396030

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 4.5 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）。低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）（VDS = 150 V）。增强模式：VTM = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.3 mA）。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥9.126 ￥11.7
10+
￥6.8 ￥10
30+
￥5.1852 ￥8.94
100+
￥4.553 ￥7.85
500+
￥4.263 ￥7.35
1000+
￥4.1412 ￥7.14

有货

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型号：TK20A60W5,S5VX(M 编号：C6423737

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：快速反向恢复时间：trr = 110 ns（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.15Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VCu = 3至4.5V，VDS = 10V，ID = 1mA。应用：开关稳压器

1+
￥9.44
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￥7.94
50+
￥7

有货

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型号：TLP2405(TP,F) 编号：C99489

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用8引脚SO8封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±15 kV/μs的共模瞬态抗扰度，有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

数据手册

1+
￥9.96
10+
￥8.45
30+
￥7.51
100+
￥6.54
500+
￥6.11

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型号：74LCX540FT 编号：C2676210

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压八进制总线缓冲器（反相），具有 5V 容限输入和输出。是一款高性能 CMOS 八进制总线缓冲器，专为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但可用于输入和输出的 5V 电源环境接口。是一个反相三态缓冲器，有两个低电平有效的输出使能端。当 OE1 或 OE2 为高电平时，终端输出处于高阻抗状态。该器件设计用于三态内存地址驱动器等。所有输入均配备防静电放电保护电路。

数据手册

1+
￥10.96
10+
￥10.73
30+
￥10.58
100+
￥2.084 ￥10.42

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型号：TLP2662(TP1,F) 编号：C5381897

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2662/TLP2662F由高强度GaAℓAs红外发光二极管（LED）与高增益、高速感光芯片光耦合组成。TLP2662/TLP2662F可保证在最高125 °C的温度下，以及2.7 V至5 V的电源电压下工作。

数据手册

1+
￥12.41
10+
￥10.45
30+
￥9.22

有货

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型号：TDS4B212MX,ELF 编号：C38598693

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥12.82
10+
￥10.93
30+
￥9.75

有货

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型号：TJ60S04M3L(T6L1,NQ 编号：C6284763

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.8 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。低泄漏电流：ILSS = -10 μA（最大值）(VDS = -40 V)。增强模式：VDM = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)。应用：汽车。电机驱动器

1+
￥13.25
10+
￥11.23
30+
￥9.96

有货

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型号：TLP2367(E 编号：C6285469

封装：11-4L1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2367是一款采用小型SO6封装的50 Mbps高速光电耦合器。TLP2367由高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，可在-40°C至125°C的工作温度范围以及2.7 V至5.5 V的电源电压下实现高速开关性能。

1+
￥13.58
10+
￥11.41
30+
￥10.06
125+
￥8.68

有货

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型号：TLP292-4(V4LATPE 编号：C5351376

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与两个反向并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO16封装。保证宽工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

1+
￥16.43
10+
￥14.02
30+
￥12.51
100+
￥5.1559 ￥10.97
500+
￥4.8269 ￥10.27
1000+
￥4.6859 ￥9.97

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型号：TPH1R104PB,L1XHQ 编号：C7364710

封装：SOIC-8-5mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小尺寸、薄封装。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.95 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：VDM = 2.0至3.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：汽车。电机驱动器

1+
￥16.87
10+
￥14.35
30+
￥12.78

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型号：TC358775XBG 编号：C500468

封装：BGA-64

品牌：TOSHIBA(东芝)

该芯片的主要功能是DSI-to-LVDS桥接，支持高达1600x1200 24位/像素分辨率的单链路LVDS和高达WUXGA (1920x1200 24位/像素)分辨率的双链路LVDS。

数据手册

1+
￥20.41
10+
￥16.81
30+
￥14.55

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