东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP268J(TPL,E 编号：C71643

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥4.39
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￥3.29
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￥2.74
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型号：TLP185(GB-TPR,E 编号：C7421357

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：TC7SZ07F,LJ(CT 编号：C2675571

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

非反相器（开漏）

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￥3.0972 ￥3.48
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￥2.2436 ￥2.84
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￥1.38 ￥2
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型号：TLP292(TPL,E 编号：C3008596

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥3.25
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型号：TC74HC4050AFTEL 编号：C3755193

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP2309(TPL,E 编号：C7527971

封装：SOIC-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

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￥3.56
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型号：TK8A50D(STA4,X,M) 编号：C2848496

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)=0.7Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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￥3.6556 ￥9.88
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￥2.2302 ￥8.26
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￥1.2529 ￥7.37
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型号：TLP184(TPR,SE 编号：C5370579

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

AC输入型光耦合器，由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于比DIP封装小，适用于混合集成电路等高密度表面贴装应用。

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￥3.8
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型号：TC7WH125FK,LJ(CT 编号：C2676198

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双总线缓冲器，具有三态输出

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型号：TK10A60D(STA4,X,M) 编号：C2936833

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用

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型号：HN4A06J(TE85L,F) 编号：C22443435

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥3

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型号：TLP183(GRL-TPL,E 编号：C192587

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

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￥3.16
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型号：TC74HC4051AFT(EL) 编号：C5348958

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器，采用硅栅C²MOS技术制造。它们实现了与等效LSSTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。具有不同的通道配置，控制终端的数字信号可打开相应通道的开关，能通过小逻辑幅度控制信号切换大幅度信号。由于每个开关的导通电阻低，可连接到低输入阻抗的电路。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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型号：TC7S04F,LF 编号：C7473284

封装：SSOP

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS反相器。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持C2MOS的低功耗。内部电路由3级组成，包括缓冲输出，具有高抗噪性和稳定的输出。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。输出电流是TC74HC系列型号的1/2。

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型号：TPH4R50ANH,L1Q(M 编号：C516864

封装：SOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 22 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥4.8972 ￥6.36
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￥3.4706 ￥5.18
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￥2.622 ￥4.6
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￥2.2857 ￥4.01
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型号：TK8A60DA(STA4,X,S) 编号：C471289

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.8Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

1+
￥4.96
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￥4.17
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￥3.78

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型号：TK10A60D(STA4,Q,M) 编号：C192040

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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￥5.35
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￥3.73

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型号：TC7SZ07FU,LJ(CT 编号：C388848

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

非反相器（开漏）

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￥5.5048 ￥9.83
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￥3.7766 ￥8.21
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￥2.6352 ￥7.32
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￥2.0376 ￥5.66

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型号：TK15A60U(S4PHI,Q) 编号：C3011029

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：无载流子存储效应；卓越的频率和开关特性。坚固耐用，无电流集中现象。电压控制型器件，驱动功率低。易于并联连接。保证雪崩能力，可简化吸收电路。内置二极管性能改善，增强电路设计灵活性。应用：手机。笔记本电脑

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￥5.6589 ￥14.51
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￥3.596 ￥12.4
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￥2.1052 ￥11.08
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￥1.8487 ￥9.73
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￥1.7328 ￥9.12
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￥1.6815 ￥8.85

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型号：74LCX126FT 编号：C2676039

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压四总线缓冲器，具有5V容限输入和输出。设计用于3.3V系统，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件设计用于低电压（3.3V）VCC应用，但可用于输入连接到5V电源环境。该器件需要将三态控制输入（OE）设置为低电平，以使输出进入高阻抗状态。所有输入均配备防静电放电保护电路。

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1+
￥5.6952 ￥10.17
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￥3.933 ￥8.55
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￥2.7576 ￥7.66
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￥2.394 ￥6.65
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￥2.1384 ￥5.94
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￥2.0628 ￥5.73

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型号：TBD62783APG 编号：C146380

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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1+
￥6.38
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￥5.3
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￥4.71
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￥4.04

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型号：2SA1941-O(S1,E,S) 编号：C261917

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于70W高保真音频放大器输出级

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1+
￥6.86
10+
￥5.63
25+
￥4.67

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型号：TLP2761(TP4,E 编号：C20613155

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥6.93
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￥5.84
30+
￥5.3
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￥4.76
500+
￥4.44

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型号：TLP2962(F) 编号：C146458

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用DIP8封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为20kV/μs。

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1+
￥7.03
10+
￥5.77
30+
￥5.08
100+
￥4.3

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型号：TPN1200APL,L1Q 编号：C6886409

封装：TSON-8(3.1x3.1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 7.5 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 24 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 9.8 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥8.05
10+
￥6.57
30+
￥5.76
100+
￥4.84

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型号：TK13A65U 编号：C556316

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.32Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 5.0 至 5.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用

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1+
￥8.341 ￥8.78
10+
￥6.239 ￥7.34
50+
￥4.9125 ￥6.55
100+
￥4.245 ￥5.66
500+
￥3.945 ￥5.26
1000+
￥3.81 ￥5.08

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型号：2SK3564(STA4,Q,M) 编号：C6997454

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7Ω（典型值）。高正向传输导纳：|γfs| = 2.6S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 720V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用

1+
￥8.51
10+
￥7.07
50+
￥6.28

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型号：GT30J122A(STA1,E,D 编号：C435817

封装：TO-3PN

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第四代。增强模式。高速开关：U = 0.20 μs（典型值）(IC = 50 A)。低饱和电压：VCE(sat) = 1.7V（典型值）(IC = 50 A)。应用：专用电流谐振逆变器开关应用。专用部分开关功率因数校正（PFC）应用

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1+
￥8.75
10+
￥8.04
25+
￥6.81
100+
￥6.35

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型号：TPH3300CNH,L1Q(M 编号：C396030

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 4.5 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）。低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）（VDS = 150 V）。增强模式：VTM = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.3 mA）。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥9.945 ￥11.7
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￥7.5 ￥10
30+
￥5.811 ￥8.94
100+
￥5.1025 ￥7.85
500+
￥4.7775 ￥7.35
1000+
￥4.641 ￥7.14

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型号：TLP700H(TP,F) 编号：C4153775

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP700H是一款采用6引脚SDIP封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电检测IC芯片光学耦合而成。它在高达125℃的温度下提供保证的性能和规格。TLP700H比采用8引脚DIP封装的产品体积更小，并符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小的占位解决方案。内部噪声屏蔽确保了±20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。它非常适合用于IGBT和功率MOSFET的栅极驱动。

1+
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