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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
型号：TPH2R408QM,L1Q 编号：C5802574
封装：SOP-8
品牌：TOSHIBA(东芝)
特性：高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 28 nC（典型值）。 小输出电荷：Q_SS = 90 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_RSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。 增强模式：V_th = 2.5 至 3.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器

  • 1+

    ￥15.82

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    ￥13.3

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    ￥11.72

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    ￥10.1
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    AC,DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP5214(TP,E 编号：C695256
    封装：SO-16-300mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是高度集成的4.0A输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。这款智能栅极驱动器光电耦合器具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 等功能。适用于驱动逆变器应用中的IGBT和功率MOSFET，由两个红外LED和两个高增益、高速IC组成，可实现高电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。
    数据手册

    • 1+

      ￥16.9336 ￥27.76

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      ￥12.1941 ￥23.91

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      ￥7.2816 ￥17.76
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
    型号：TPH1R104PB,L1XHQ 编号：C7364710
    封装：SOIC-8-5mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 小尺寸、薄封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.95 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。 增强模式：VDM = 2.0至3.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：汽车。 电机驱动器

    • 1+

      ￥17.3

    • 10+

      ￥14.78

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      ￥13.21

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      ￥11.6
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLP117(TPL,F 编号：C99473
    封装：SOP-5-3.6mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成
    数据手册

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      ￥17.74

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      ￥15.06

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      ￥13.46
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    东芝 TC358775XBG CMOS 数字集成电路硅单片机 移动外围设备
    型号：TC358775XBG 编号：C500468
    封装：BGA-64
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    该芯片的主要功能是DSI-to-LVDS桥接，支持高达1600x1200 24位/像素分辨率的单链路LVDS和高达WUXGA (1920x1200 24位/像素)分辨率的双链路LVDS。
    数据手册

    • 1+

      ￥17.96

    • 10+

      ￥15.23

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      ￥13.53
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：TLX9291A 编号：C911122
    封装：SOP-4-1.27mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    数据手册

    • 1+

      ￥18.53

    • 10+

      ￥15.73

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      ￥13.98
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    DC 3.75kV
    型号：TLP3905(TPL,E 编号：C5985865
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用SO6封装的光耦合器，由一个红外LED和一个光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

    • 1+

      ￥18.92

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      ￥16.14

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      ￥14.41
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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V
    型号：TLP3451(TP,F 编号：C2152050
    封装：VSON-4(1.5x2.5)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    TLP3451是非常小外形的非引线光电继电器，适用于表面贴装组装。TLP3451由与光电MOSFET光耦合的红外LED组成，采用VSON 4引脚封装。TLP3451具有低输出电容CoFF，因此可实现高频信号的快速开关，非常适合高速测试仪中的开关应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥24.94

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      ￥21.19

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      ￥18.96
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    TC358768AXBG/TC358778XBG CMOS数字集成电路硅单片
    型号：TC358778XBG(EL) 编号：C190417
    封装：VFBGA-80(7x7)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    Parallel Port to MIPI DSI转换器，支持RGB到DSI的转换。所有内部寄存器可以通过I²C或SPI访问。

    • 1+

      ￥26.57

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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压100V
    型号：TLP3320(TP15,F 编号：C2152123
    封装：USOP-4-2.1mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    是一款采用4引脚USOP封装的光电继电器，由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。
    数据手册

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      ￥31.4

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      ￥23.93

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      ￥21.11
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    80V 100mA
    型号：1SS387,H3F 编号：C5381786
    封装：SOD-523
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101 合格。 紧凑型 2 引脚封装。 适合高密度安装。 低正向电压：Vr v = 0.98V（典型值）。 快速反向恢复时间：trr = 1.6 ns（典型值）。 小总电容：CT = 0.5pF（典型值）
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1854

    • 200+

      ￥0.1391

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      ￥0.1133
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    用于静电放电保护的二极管
    型号：DF3A5.6FV,L3F 编号：C1976510
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    本产品仅用于静电放电（ESD）防护。该产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。由于两个器件安装在超紧凑型封装中，因此可以减少零件数量和安装成本。

    • 20+

      ￥0.2202

    • 200+

      ￥0.1722

    • 600+

      ￥0.1482
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:250mA
    型号：SSM3J35AFS,LF 编号：C7320707
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值），@VGS = -1.2V。RDS(ON) = 2.3Ω（典型值），@VGS = -1.5V。RDS(ON) = 2.0Ω（典型值），@VGS = -1.8V。RDS(ON) = 1.5Ω（典型值），@VGS = -2.5V。RDS(ON) = 1.1Ω（典型值），@VGS = -4.5V。应用：模拟开关

    • 20+

      ￥0.2217

    • 200+

      ￥0.1737

    • 600+

      ￥0.1497
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:170mA
    型号：SSM3K72CFS,LF 编号：C5761411
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：ESD 保护栅极。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8Ω（典型值）（VGS = 10V）；RDS(ON) = 3.1Ω（典型值）（VGS = 5.0V）；RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）（VGS = 4.5V）。应用：高速开关

    • 10+

      ￥0.3249

    • 100+

      ￥0.2545

    • 300+

      ￥0.2194
  • 有货
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    TVS 3.6V截止 峰值浪涌电流：2A@8/20us
    型号：DF2S5M4CT,L3F 编号：C556302
    封装：DFN1006-2L
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    DF2S5M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2S5M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S5M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。

    • 5+

      ￥0.3307

    • 50+

      ￥0.3225

    • 150+

      ￥0.3171

    • 500+

      ￥0.3116
  • 有货
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    电压:40V 电流:1A
    型号：CUS10S40,H3F 编号：C5331522
    封装：USC
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：小封装。 低正向电压：VF(2) = 0.45 V（典型值）。应用：高速开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4433

    • 100+

      ￥0.3473

    • 300+

      ￥0.2993
  • 有货
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    带内置偏置电阻的晶体管，适用于开关、逆变器电路等应用
    型号：RN1311,LF 编号：C85639
    封装：SOT-323
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。 与RN2310和RN2311互补。应用：开关。 逆变器电路
    数据手册

    • 5+

      ￥0.486625 ￥0.5725

    • 50+

      ￥0.343575 ￥0.4581

    • 150+

      ￥0.260585 ￥0.4009

    • 500+

      ￥0.2327 ￥0.358

    • 3000+

      ￥0.210405 ￥0.3237

    • 6000+

      ￥0.199225 ￥0.3065
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：SSM3J15FS,LF 编号：C6824725
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：高速开关应用。 模拟开关应用。 小封装。 低导通电阻：Rₒₙ = 12Ω（最大值）(V₍GS₎ =-4V)；Rₒₙ = 32Ω（最大值）(V₍GS₎ =-2.5V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用

    • 5+

      ￥0.532

    • 50+

      ￥0.4156

    • 150+

      ￥0.3574

    • 500+

      ￥0.3138
  • 有货
    • 立即购买
    3V 200mA 5.5V
    型号：TCR2EF30,LM(CT 编号：C2692312
    封装：SOT-25-5
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    CMOS单输出电压调节器，带有开/关控制输入，具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应。这些稳压器的固定输出电压范围为1.0 V至5.0 V，能够驱动高达200 mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列稳压器在2.5 V输出、I_OUT = 150 mA时具有180 mV的低压降，2.5 V输出时输出噪声电压低至35 μV_rms，在I_OUT = 1 mA至150 mA、C_OUT = 1.0 μF时负载瞬态响应仅为±60 mV。因此，该系列适用于模拟和射频等敏感电源应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5549

    • 50+

      ￥0.4412

    • 150+

      ￥0.3843

    • 500+

      ￥0.3417

    • 3000+

      ￥0.2777
  • 有货
    • 立即购买
    80V 100mA
    型号：1SS184,LF 编号：C165922
    封装：SC-59
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101认证。 小封装：SC-59。 低正向电压：VF(3) = 0.90V（典型值）。 快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。 小总电容：CT = 0.9pF（典型值）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.647072 ￥0.8864

    • 50+

      ￥0.517789 ￥0.7093

    • 150+

      ￥0.453111 ￥0.6207

    • 500+

      ￥0.404639 ￥0.5543

    • 3000+

      ￥0.365876 ￥0.5012

    • 6000+

      ￥0.346458 ￥0.4746
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:1.5A
    型号：CUS15S30,H3F 编号：C5977971
    封装：SC-76(SOD-323)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低正向电压：VF(1) = 0.33V（典型值）。应用：高速开关

    • 5+

      ￥0.659

    • 50+

      ￥0.5273

    • 150+

      ￥0.4615
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 5V截止
    型号：DF5A6.8CFU(TE85L,F 编号：C1975493
    封装：SOT-353
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    该产品仅用于静电放电（ESD）保护，不用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装上安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。低端子电容（阴极和阳极之间）：Cτ = 23 pF（典型值）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8016

    • 50+

      ￥0.6264

    • 150+

      ￥0.5388

    • 500+

      ￥0.4731
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SSM3K344R,LF 编号：C146323
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：1.5V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 51mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 63mΩ（典型值）(@VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 81mΩ（典型值）(@VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 102mΩ（典型值）(@VGS = 1.5V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8273

    • 50+

      ￥0.6486

    • 150+

      ￥0.5593

    • 500+

      ￥0.4923
  • 有货
    • 立即购买
    DF5A6.2LFUTE85LF
    型号：DF5A6.2LFUTE85LF 编号：C3712515
    封装：SOT-353
    品牌：TOSHIBA(东芝)

    • 5+

      ￥0.8752

    • 50+

      ￥0.8557

    • 150+

      ￥0.8427

    • 500+

      ￥0.8297
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:400mA
    型号：SSM3K7002KFU,LXH 编号：C6497285
    封装：SC-70(SOT-323)
    品牌：TOSHIBA(东芝)

    • 5+

      ￥0.8991

    • 50+

      ￥0.88

    • 150+

      ￥0.8672

    • 500+

      ￥0.8545
  • 有货
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    二输入或门
    型号：TC7S32FU,LF 编号：C7121123
    封装：SSOP-5
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：高速：在VCC = 5V时，tpHL = 7ns（典型值）。 低功耗：在Ta = 25°C时，ICC = 1μA（最大值）。 高抗噪性：VNH = VNL = 28%VCC（最小值）。 输出驱动能力：5个LSTTL负载。 对称输出阻抗：|IOH| = |IOL| = 2mA（最小值）。 平衡传播延迟：tpLH ÷ tpHL。 宽工作电压范围：VCC = 2至6V

    • 3000+

      ￥0.528

    • 6000+

      ￥0.5192

    • 12000+

      ￥0.506

    • 24000+

      ￥0.484
    我要订货
    1个P沟道 耐压:30V
    型号：TPC8129,LQ(S 编号：C5986801
    封装：SOP-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：由于采用小型薄型封装，占用空间小。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 17 mΩ（典型值）(VGS = -10V)。 低漏电流：IDSS = -10μA（最大值）(VDS = -30V)。 增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -0.2mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关

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    N沟道硅MOS型场效应晶体管，2.5V驱动，低导通电阻
    型号：SSM6N15AFE,LM 编号：C3034752
    封装：SOT-563(SOT-666)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：2.5V驱动。 N沟道2合1。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (max) (VGS = 4.0V)；RDS(ON) = 6.0Ω (max) (VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用
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    80V 100mA
    型号：1SS309(TE85L,F) 编号：C146344
    封装：SC-74A(SOT-753)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：小封装：SC-74A。 低正向电压：Vr(3) = 0.90V（典型值）。 快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。 小总电容：Cₜ = 0.9pF（典型值）。 重量：0.014g（典型值）
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    2SA1213-Y(TE12R,ZC
    型号：2SA1213-Y(TE12R,ZC 编号：C261916
    封装：SC-62
    品牌：TOSHIBA(东芝)

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