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价格(含税)

库存

操作

DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5752(D4-TP,E 编号：C2990806

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。

数据手册

1+
￥6.62
10+
￥5.54
30+
￥4.95
100+
￥4.28
500+
￥3.98
1500+
￥3.84

有货

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8位微控制器

型号：TMP86FS49BFG(CZHZ) 编号：C1342661

封装：QFP-64(14x14)

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥6.804 ￥8.1
10+
￥5.8608 ￥7.92
30+
￥4.9856 ￥7.79
90+
￥4.9088 ￥7.67

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：TLP3083(TP1,F 编号：C146363

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥7.14 ￥8.5
10+
￥5.7868 ￥7.82
30+
￥4.736 ￥7.4
100+
￥4.4608 ￥6.97
500+
￥4.3392 ￥6.78
1500+
￥4.2816 ￥6.69

有货

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TLP2710(D4-TP,E(T

型号：TLP2710(D4-TP,E 编号：C5370561

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

5-Mbps低功耗光电耦合器，采用小型SO6L封装，厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.3mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。

数据手册

1+
￥7.32
10+
￥6.01
30+
￥5.29
100+
￥4.47
500+
￥4.11

有货

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1个N沟道耐压:900V 电流:0.2A

型号：2SK3564(STA4,Q,M) 编号：C6997454

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7Ω（典型值）。高正向传输导纳：|γfs| = 2.6S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 720V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用

1+
￥8.51
10+
￥7.07
50+
￥6.28

有货

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N沟道 600V 20A

型号：TK20A60W5,S5VX(M 编号：C6423737

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：快速反向恢复时间：trr = 110 ns（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.15Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VCu = 3至4.5V，VDS = 10V，ID = 1mA。应用：开关稳压器

1+
￥9.44
10+
￥7.94
50+
￥7

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:10A

型号：2SK3569(STA4,X,S) 编号：C396021

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.54Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5S（典型值）。低漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0至4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用

数据手册

1+
￥11.0538 ￥20.47
10+
￥9.5364 ￥17.66
50+
￥8.6292 ￥15.98
100+
￥7.7166 ￥14.29
500+
￥7.2954 ￥13.51
1000+
￥7.1064 ￥13.16

有货

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硅N沟道MOS（U-MOSIX-H）

型号：XPHR7904PS,L1XHQ 编号：C41488267

封装：SOPAdvance(WF)-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。小尺寸、薄封装。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.65 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：汽车。电机驱动器

1+
￥11.46
10+
￥9.65
30+
￥8.52

有货

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TLP5751H(D4TP4,E

型号：TLP5751H(D4TP4,E 编号：C17221388

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5754H由一个红外LED和一个集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。它能在高达125°C的温度下保证性能和规格。

1+
￥13.4862 ￥17.29
10+
￥11.5128 ￥14.76
30+
￥10.2726 ￥13.17
100+
￥9.009 ￥11.55
500+
￥8.4318 ￥10.81
1500+
￥8.1822 ￥10.49

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压20V

型号：TLP3450(TP,F 编号：C2152243

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3450是一款超小外形、无引脚的光电继电器，适用于表面贴装。TLP3450由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合而成，采用VSON 4引脚封装。TLP3450的特点是输出电容CoFF低，因此能够快速开关高频信号，非常适合高速测试仪中的开关应用

数据手册

1+
￥29.51
10+
￥25.01
30+
￥22.33
100+
￥19.62

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V

型号：TLP3412(TP,F 编号：C2653904

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外LED光耦合，采用VSON4封装。具有低CR乘积和低导通电阻，因此可提供高导通电流。

数据手册

1+
￥31.09
10+
￥26.46
30+
￥23.64
100+
￥21.27

有货

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TLX9309(TPL,F

型号：TLX9309(TPL,F 编号：C17381893

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥31.51
10+
￥27.14
30+
￥24.54
100+
￥21.91

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载DC 负载电压60V

型号：TLP3107A(TP,F 编号：C1857558

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外 LED 光耦合的光电 MOSFET 组成，采用 2.54SOP6 封装。低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用。

数据手册

1+
￥32.66
10+
￥27.67
30+
￥24.71

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V

型号：TLP3407SRH(TP,E 编号：C1880964

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3407SRH光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用S-VSON4T封装。TLP3407SRH的特点是导通电阻非常小，导通/关断时的电流高达1 A，非常适合高速测试仪中的开关应用

数据手册

1+
￥46.3
10+
￥39.52
30+
￥35.39

有货

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16路输出恒流LED驱动器

型号：TB62747AFNG,C8EL 编号：C2653365

封装：SSOP-24-300mil-0.65mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62747 系列是专为 LED 和 LED 面板显示器设计的恒流驱动器。调节电流源旨在通过一个外部电阻提供可调的恒定电流。TB62747 系列集成了 16 通道的移位寄存器、锁存器、与门和恒流输出。该系列采用 Bi-CMOS 工艺制造，满足高速数据传输的系统需求。它可以在 3.3 或 5.0 V 的电源下工作。主要特性包括：- 内置 16 路输出- 输出电流设置范围：在 VDD = 3.3 V, V0 = 0.4 至 1.0 V 时为 1.5 至 35 mA；在 VDD = 5.0 V, V0 = 0.4 至 1.2 V 时为 1.5 至 45 mA- 电流精度（REXT = 1.2 kΩ, V0 = 0.4 V, VDD = 3.3 V, S.0 V）：输出之间 ±1.5%（最大值）；器件之间 ±1.5%（最大值）- 高速输出切换：tE(L) = 100 ns（最小值）- 控制数据格式：串行输入并行输出- 输入信号电压电平：3.3 V 和 5.0 V CMOS 接口（施密特触发器输入）- 串行数据传输速率：fSCK = 25 MHz（最大值）@ 级联连接- 电源电压：VDD = 3.0 V 至 5.5 V- 工作温度范围：Topr = -40 至 85 °C- 输出电压：VO = 26 V（最大值）- 上电复位 (POR)- 封装：AFG 类型：SSOP24-P-300-1.00B；AFNG 类型：SSOP24-P-300-0.65A重量：- SSOP24-P-300-1.00B：0.29 g（典型值）- SSOP24-P-300-0.65A：0.14 g（典型值）引脚功能包括：- GND：接地引脚。- SIN：串行数据输入引脚。- SCK：串行数据传输时钟输入引脚。数据在上升沿移位。- SLAT：锁存信号输入引脚。数据在低电平时保存。- OUT0 至 OUT15：灌电流型恒流输出引脚。- OE：恒流输出使能信号输入引脚。在“高”电平时，输出将被强制关闭。- SOUT：串行数据输出引脚。- REXT：恒流值设定电阻连接引脚。然后将电阻连接到地。所有输出电流都设置为相同。- VDD：电源输入引脚。

数据手册

1+
￥47.71
10+
￥45.69
30+
￥44.46

有货

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二输入异或门

型号：TC7SH86FU,LJ(CT 编号：C5156529

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入异或门

数据手册

5+
￥0.3423
50+
￥0.3348
150+
￥0.3298

有货

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NPN 电流:300mA 电压:20V

型号：2SC3326-A,LF 编号：C5502685

封装：TO-236

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高发射极-基极电压：VEBO = 25 V。高反向hFE。反向hFE = 150（典型值）(VCE = -2V, IC = -4mA)。低导通电阻：RON = 1 Ω（典型值）(IB = 5mA)。高直流电流增益：hFE = 200至1200。应用：静音和开关应用

9000+
￥0.428
9000+
￥0.424

我要订货

NPN 电流:500mA 电压:50V

型号：2SC3325-Y(TE85L,F) 编号：C7421247

封装：TO-236

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：出色的hPE线性度：hPE(q) = 25（最小值）（VCE = 6V，IC = 400 mA）。高电压：VCEO = 50V（最小值）。与2SA1313互补。小封装。应用：音频低功率放大器。驱动级放大器

10+
￥0.3907
100+
￥0.2995
300+
￥0.2539

有货

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TC7SZ04FE,LJ(CT

型号：TC7SZ04FE,LJ(CT 编号：C6284098

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围：Top = -40 至 125℃。高输出电流：±24 mA（最小值），VCC = 3.0 V。超高速运行：tpd = 2.4 ns（典型值），VCC = 5.0 V，CL = 50 pF。工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5 V。 5.5 V 耐受输入。 5.5 V 掉电保护输出。在 VCC = 3.3 V 下运行时，性能与 TC74LCX 系列匹配

5+
￥0.3938
50+
￥0.3844
150+
￥0.3781

有货

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N沟道耐压:20V 电流:250mA

型号：SSM6N35AFE,LF 编号：C17584221

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2 V驱动。低漏源导通电阻: -R₍DS(ON)₎ = 9.0 Ω (max)(@V₍GS₎ = 1.2 V, I_D = 10 mA)。R₍DS(ON)₎ = 3.1 Ω (max)(@V₍GS₎ = 1.5 V, I_D = 20 mA)。应用：高速开关模拟开关

5+
￥0.4376
50+
￥0.4268
150+
￥0.4196

有货

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二输入或门

型号：TC7SH32FU,LJ(CT 编号：C4153822

封装：SOT-353-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速运行：在VCC = 5V、15pF时，tpd = 3.8ns（典型值）。低功耗：在Td = 25℃时，UCC = 2μA（最大值）。高抗噪性：VNI = VNL = 28%VCC（最小值）。 5.5V耐受输入。宽工作电压范围：VCC = 2至5.5V

5+
￥0.4658
50+
￥0.3397
150+
￥0.2856

有货

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1.1V 200mA 5.5V

型号：TCR2LF11,LM(CT 编号：C6716945

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCR2LF和TCR2LE系列是具备通/断控制输入的CMOS通用单输出电压调节器，具有超低静态偏置电流和低压差的特点。这些电压调节器提供0.8 V至3 V之间的固定输出电压。

1+
￥0.4712 ￥1.52
10+
￥0.4619 ￥1.49
30+
￥0.4526 ￥1.46
100+
￥0.4464 ￥1.44

有货

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数字输出磁传感器

型号：TCS40DLR,LLCFCF 编号：C7421355

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：开漏输出。南极和北极检测。重量：11.0mg（典型值）

5+
￥0.4788
50+
￥0.3732
150+
￥0.3204
500+
￥0.2808
3000+
￥0.2491

有货

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ESD 9V截止峰值浪涌电流：1A@8/20us

型号：DF2S12FS,L3M 编号：C1974747

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

5+
￥0.4827
50+
￥0.3827
150+
￥0.3327

有货

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2.8V 200mA 5.5V

型号：TCR2LE28,LM(CT 编号：C6284228

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCR2LF和TCR2LE系列是具备通/断控制输入的CMOS通用单输出电压调节器，具有超低静态偏置电流和低压差的特点。这些电压调节器提供0.8 V至3 V之间的固定输出电压。

1+
￥0.4929 ￥1.59
10+
￥0.4805 ￥1.55
30+
￥0.4743 ￥1.53
100+
￥0.4681 ￥1.51

有货

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ESD 5V截止

型号：DF3A6.8LFV,L3F 编号：C1974393

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电（ESD）防护。在超紧凑型封装中安装两个器件可减少零件数量并降低安装成本。

数据手册

5+
￥0.5372
50+
￥0.4211
150+
￥0.363

有货

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80V 100mA

型号：1SS387(TPL3,F) 编号：C2847902

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：紧凑的2引脚封装。适用于高密度安装。低正向电压：VF(3) = 0.98V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 0.5pF（典型值）

数据手册

5+
￥0.5498
50+
￥0.3915
150+
￥0.3124
500+
￥0.253

有货

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ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：DF2B5M5CT,L3F 编号：C5623482

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B5M5CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B5M5CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B5M5CT采用超紧凑型封装（1.0 mmx0.6 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

5+
￥0.6647
50+
￥0.6483
150+
￥0.6373
500+
￥0.6264

有货

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5.5V 2A@8/20us

型号：DF2B6M4SL,L3F 编号：C1973332

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

TVS二极管（ESD保护二极管）可保护移动设备接口和其他应用中使用的半导体器件，免受静电和噪声影响。利用回滞特性，提供低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。采用超紧凑封装（0.32×0.62mm），以满足对占用空间要求小的应用。

数据手册

5+
￥0.7313
50+
￥0.5729
150+
￥0.4937

有货

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光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP785(TELS,F 编号：C41382561

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

5+
￥0.7501
50+
￥0.5869
150+
￥0.5053

有货

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