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价格(含税)

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光电耦合器（GaAlAs红外LED与光电IC）

型号：TLP2761(D4-TP,E 编号：C5798523

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥4.61
10+
￥4.14
30+
￥3.9
100+
￥3.67
500+
￥3.53
1500+
￥3.46

有货

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光电耦合器，GaAs红外LED与光电IC

型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

数据手册

1+
￥5.3
10+
￥4.76
30+
￥4.46
100+
￥4.12
500+
￥3.97

有货

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8位微控制器

型号：TMP86FS49BFG(CZHZ) 编号：C1342661

封装：QFP-64(14x14)

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥6.075 ￥8.1
10+
￥5.148 ￥7.92
30+
￥4.2845 ￥7.79
90+
￥4.2185 ￥7.67

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:15A

型号：TK15J50D(F) 编号：C5361057

封装：SC-65

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.33Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

数据手册

1+
￥6.47
10+
￥5.81
30+
￥5.45
100+
￥5.03
500+
￥4.85

有货

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7通道灌电流型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62503AFNG(Z,EL) 编号：C5381640

封装：SSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

7通道灌电流型DMOS晶体管阵列是具有7个电路的DMOS晶体管阵列。使用时请留意热条件。

数据手册

1+
￥6.73
10+
￥5.46
30+
￥4.83
100+
￥4.2
500+
￥3.82
1000+
￥3.62

有货

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TLP240J(TP1,F(O

型号：TLP240J(TP1,F 编号：C2835182

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥7.5012 ￥7.98
10+
￥6.5352 ￥7.78
30+
￥5.6536 ￥7.64
100+
￥5.5574 ￥7.51

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:60A

型号：XPH4R714MC,L1XHQ 编号：C7397254

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥8.26
10+
￥8.08
30+
￥7.96
100+
￥7.85

有货

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NPN 15A 230V

型号：2SC5200N(S1,E,S) 编号：C5362566

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：ΔVCEO = 230 V（最小值）。与2SA1943N互补。推荐用于100W高保真音频放大器输出级。应用：功率放大器

1+
￥9.1
10+
￥7.56
25+
￥6.72
100+
￥5.76

有货

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3.75kV

型号：TLP292-4(4LGBTRE 编号：C17309043

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥9.44
10+
￥7.94
30+
￥7
100+
￥6.03

有货

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2SA1943-O(S1,F,S)

型号：2SA1943-O(S1,F,S) 编号：C2929212

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥10.72
10+
￥9.06
25+
￥8.02

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：TK160F10N1L,LQ 编号：C5370535

封装：TO-220SM(W)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.5至3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：汽车。开关稳压器

数据手册

1+
￥13.13
10+
￥12.43
30+
￥12.01
100+
￥11.59
500+
￥11.39
1000+
￥11.3

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:160A

型号：TPH2R506PL,L1Q 编号：C2758656

封装：SOPAdvance-8(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Qsw = 19 nC (典型值)。小输出电荷：QBS = 51 nC (典型值)。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ (典型值)(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA (最大值)(VDS = 60 V)。增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

1+
￥13.94
10+
￥11.69
30+
￥10.29
100+
￥8.85

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:120A

型号：TPH2R408QM,L1Q 编号：C5802574

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 28 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 90 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_RSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。增强模式：V_th = 2.5 至 3.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥15.7
10+
￥13.18
30+
￥11.6
100+
￥9.98

有货

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8通道灌电流型DMoS晶体管阵列

型号：TBD62083APG 编号：C114143

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2803APG(C5252)升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥16.57
10+
￥13.94
40+
￥12.29

有货

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DC 2.5kV

型号：TLP190B(TPL,U,C,F) 编号：C4153841

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOSFET栅极驱动器。

1+
￥17.52
10+
￥14.87
30+
￥13.21
100+
￥11.51

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:250mA

型号：SSM3J35AFS,LF 编号：C7320707

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值），@VGS = -1.2V。RDS(ON) = 2.3Ω（典型值），@VGS = -1.5V。RDS(ON) = 2.0Ω（典型值），@VGS = -1.8V。RDS(ON) = 1.5Ω（典型值），@VGS = -2.5V。RDS(ON) = 1.1Ω（典型值），@VGS = -4.5V。应用：模拟开关

20+
￥0.2217
200+
￥0.1737
600+
￥0.1497

有货

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80V 100mA

型号：1SS187,LF 编号：C5381785

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装：SC-59。低正向电压：VF = 0.92V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 2.2pF（典型值）

数据手册

10+
￥0.2231
100+
￥0.1729
300+
￥0.1478

有货

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用于静电放电保护的二极管

型号：DF3A5.6FV,L3F 编号：C1976510

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护。该产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。由于两个器件安装在超紧凑型封装中，因此可以减少零件数量和安装成本。

20+
￥0.2327
200+
￥0.1847
600+
￥0.1607

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:170mA

型号：SSM3K72CFS,LF 编号：C5761411

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ESD 保护栅极。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8Ω（典型值）（VGS = 10V）；RDS(ON) = 3.1Ω（典型值）（VGS = 5.0V）；RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）（VGS = 4.5V）。应用：高速开关

10+
￥0.3214
100+
￥0.2511
300+
￥0.2159

有货

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硅NPN外延型晶体管，内置偏置电阻

型号：RN1301,LF 编号：C146301

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：内置偏置电阻。简化电路设计。减少零件数量和制造工艺。与RN2301至RN2306互补。应用：开关电路。逆变器电路

数据手册

10+
￥0.3583
100+
￥0.2799
300+
￥0.2407

有货

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80V 100mA

型号：1SS302A,LXGF 编号：C22391509

封装：USM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。快速反向恢复时间：trr = 1.6 ns（典型值）。应用：超高速开关

10+
￥0.3751
100+
￥0.2935
300+
￥0.2527

有货

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用于静电放电保护的二极管

型号：DF5A6.8CJE.LM 编号：C2762689

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。低端子电容（阴极与阳极之间）：CT = 23 pF（典型值）

数据手册

10+
￥0.432
100+
￥0.3456
300+
￥0.3024
1000+
￥0.27

有货

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ESD 23V截止

型号：DF2S30FS,L3M 编号：C1973663

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

10+
￥0.4363
100+
￥0.3426
300+
￥0.2958

有货

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带内置偏置电阻的晶体管，适用于开关、逆变器电路等应用

型号：RN1311,LF 编号：C85639

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：内置偏置电阻。简化电路设计。减少零件数量和制造工艺。与RN2310和RN2311互补。应用：开关。逆变器电路

数据手册

5+
￥0.44655 ￥0.5725
50+
￥0.311508 ￥0.4581
150+
￥0.232522 ￥0.4009
500+
￥0.20764 ￥0.358
3000+
￥0.187746 ￥0.3237
6000+
￥0.17777 ￥0.3065

有货

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15V

型号：1SV279(TPH3,F) 编号：C6423713

封装：1-1G1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于V/UHF频段无线电的VCO，具有高电容比和低串联电阻的特点，适用于小型调谐器。

5+
￥0.493
50+
￥0.3853
150+
￥0.3314
500+
￥0.291

有货

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1个P沟道耐压:30V

型号：SSM3J15FV,L3F 编号：C6916294

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：适合小封装的高密度安装。低导通电阻：RDS(ON) = -12Ω (max)(VGS = -4V)；RDS(ON) = 32Ω (max)(VGS = -2.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥0.5066
50+
￥0.4054
150+
￥0.3548
500+
￥0.3168

有货

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3.3V 200mA 5.5V

型号：TCR2EF33,LXGM(CT 编号：C7421354

封装：SOT-25

品牌：TOSHIBA(东芝)

CMOS单输出电压调节器，带有开/关控制输入，具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压，能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降，2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms，负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV（I_OUT = 1mA⇔150mA，C_OUT = 1.0μF）。因此，适用于模拟和射频等敏感电源应用。

5+
￥0.5598
50+
￥0.4878
150+
￥0.4518
500+
￥0.4248
3000+
￥0.4032

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:100mA

型号：SSM6N15AFU,LF 编号：C146433

封装：SC-88

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动。 N沟道2合1。低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω（最大值）(@VGS = 4.0V)；RDS(ON) = 6.0Ω（最大值）(@VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用

数据手册

5+
￥0.6118
50+
￥0.4917
150+
￥0.4317
500+
￥0.3867

有货

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4.5V 200mA 5.5V

型号：TCR2EF45,LM(CT 编号：C5981497

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

CMOS单输出电压调节器，带有开/关控制输入，具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压，能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降，2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms，负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV（I_OUT = 1mA⇔150mA，C_OUT = 1.0μF）。因此，适用于模拟和射频等敏感电源应用。

5+
￥0.6247
50+
￥0.4903
150+
￥0.4231
500+
￥0.3727

有货

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TVS 3.6V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

型号：DF2S5M4CT,L3F 编号：C556302

封装：DFN1006-2L

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S5M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2S5M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S5M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。

5+
￥0.6267
50+
￥0.491
150+
￥0.4231

有货

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