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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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符合条件商品:共15338
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由与砷化镓红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压 (AC: 5kVRMS (min))。
数据手册
  • 5+

    ¥1.4671
  • 50+

    ¥1.1647
  • 200+

    ¥1.0351
  • 有货
  • 高速CMOS 3-to-8译码器,具有低功耗和宽工作电压范围。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.477
    • 50+

      ¥1.1746
    • 150+

      ¥1.045
  • 有货
  • 是低输入和高隔离型光耦合器,由光电晶体管和红外 LED 光耦合组成,采用 SO4 封装。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽工作温度范围 (-55 至 125℃),适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5513
    • 50+

      ¥1.3414
    • 150+

      ¥1.2515
    • 500+

      ¥1.1393
  • 有货
  • TLP185(SE)由一个与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP185(SE)光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO6封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.58
    • 50+

      ¥1.37
    • 150+

      ¥1.28
    • 500+

      ¥1.16
  • 有货
  • 74VHC4066AFT是一款高速、低电压驱动的四通道双边开关,采用C2MOS技术。适用于3V和5V系统,具有高操作速度和低功耗的特点。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5974
    • 50+

      ¥1.2392
    • 150+

      ¥1.0856
    • 500+

      ¥0.8941
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.6
    • 30+

      ¥1.5
    • 100+

      ¥1.36
    • 500+

      ¥1.3
    • 1000+

      ¥1.26
  • 有货
  • 特性:1.5-V drive。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 66mΩ (最大值) (@VGS = 1.5V)。 RDS(ON) = 43mΩ (最大值) (@VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 32mΩ (最大值) (@VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 28mΩ (最大值) (@VGS = 4.0V)。应用:电源管理开关。 高速开关
    • 5+

      ¥1.8621
    • 50+

      ¥1.4489
    • 150+

      ¥1.2719
    • 500+

      ¥1.0509
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 3至8线解码器。它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行,同时保持了CMOS的低功耗特性。当器件使能时,3个二进制选择输入(A、B和C)决定哪个输出(Y0-Y7)将变为高电平。当使能输入G1为低电平,或者G2A(overline)或G2B(overline)为高电平时,解码功能被禁止,所有输出变为低电平
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9862
    • 50+

      ¥1.5475
    • 150+

      ¥1.3594
    • 500+

      ¥1.1248
  • 有货
  • 东芝小型扁平耦合器TLP184是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP184由一个光电晶体管和两个反并联连接的红外发光二极管光耦合而成,可由交流输入电流直接驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.13
    • 10+

      ¥1.84
    • 30+

      ¥1.72
    • 100+

      ¥1.57
    • 500+

      ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.46
  • 有货
    • 5+

      ¥2.1568
    • 50+

      ¥1.678
    • 150+

      ¥1.4728
    • 1000+

      ¥1.2168
  • 有货
  • 由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.287
    • 50+

      ¥1.7836
    • 150+

      ¥1.5679
  • 有货
  • 74HC4051D:8通道模拟多路复用器/解复用器 74HC4052D:双4通道模拟多路复用器/解复用器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.45
    • 10+

      ¥1.91
    • 30+

      ¥1.68
    • 100+

      ¥1.39
    • 500+

      ¥1.26
    • 1000+

      ¥1.18
  • 有货
    • 1+

      ¥2.46
    • 10+

      ¥1.92
    • 30+

      ¥1.69
    • 100+

      ¥1.39
  • 有货
  • 八进制总线收发器。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持了CMOS的低功耗。用于数据总线之间的双向异步通信。数据传输方向由DIR输入的电平决定。使能输入 (G(overline)) 可用于禁用该器件,以使总线有效隔离。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5.5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,可向输入和输出引脚施加0V至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如备用电池等)而导致的器件损坏。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.14
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.61
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥2.89
    • 10+

      ¥2.55
    • 30+

      ¥2.38
    • 100+

      ¥2.21
    • 500+

      ¥2.11
    • 1500+

      ¥2.06
  • 有货
  • 由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度(-55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥1.99
    • 175+

      ¥1.65
    • 525+

      ¥1.49
    • 1050+

      ¥1.4
  • 有货
  • 高开关速度、低功耗、高噪声免疫性、低导通电阻的双4通道模拟多路复用器/解复用器。
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.41
    • 100+

      ¥2.24
    • 500+

      ¥2.13
    • 1000+

      ¥2.08
  • 有货
    • 1+

      ¥3.03
    • 10+

      ¥2.41
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.67
  • 有货
  • 由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合组成,采用 SO6 封装。使用高速、高增益检测元件,电流传输比在 -40 至 125℃ 范围内最小为 900%(IF = 0.5 mA),适用于需要低输入电流和高速数据传输的应用。传输速率为 100 kbps,填补了通用晶体管耦合器和对应 1 Mbps 的 IC 耦合器之间的空白。
    • 1+

      ¥3.22
    • 10+

      ¥2.57
    • 30+

      ¥2.25
    • 100+

      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.63
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.4 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 60V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥3.5916 ¥4.38
    • 10+

      ¥2.9274 ¥3.57
    • 50+

      ¥2.5994 ¥3.17
    • 100+

      ¥2.2714 ¥2.77
    • 500+

      ¥2.0664 ¥2.52
    • 1000+

      ¥1.968 ¥2.4
  • 有货
  • 由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成,采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽,可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.4
    • 10+

      ¥3.87
    • 30+

      ¥3.61
    • 100+

      ¥3.36
  • 有货
  • 适用于音频低噪声放大器应用,在一个 SM5(超小型 5 引脚)封装中包含两个器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.18
    • 30+

      ¥3.68
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm(最大)的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。具有内部法拉第屏蔽,可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥5.42
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥3.74
    • 100+

      ¥3.19
    • 500+

      ¥2.86
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压(3750 Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 1+

      ¥5.79
    • 10+

      ¥5.2
    • 30+

      ¥4.88
    • 100+

      ¥4.51
  • 有货
  • 特性:7 电路内置。 高电压:VDUT = 50V(最大值)。 高电流:IOUT = 300mA/ch(最大值)。 输入电压(输出开启):TBD62502A 系列 14V(最小值),TBD62503A 系列 2.5V(最小值)。 输入电压(输出关闭):TBD62502A 系列 7.0V(最大值),TBD62503A 系列 0.6V(最大值)。 封装:PG 型 DIP16-P-300-2.54A;FG 型 SOP16-P-225-1.27;FNG 型 SSOP16-P-225-0.65B;FWG 型 P-SOP16-0410-1.27-002
    数据手册
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.11
    • 30+

      ¥4.51
    • 100+

      ¥3.92
    • 500+

      ¥3.57
  • 有货
  • 是一款5-Mbps低功耗光电耦合器,采用小型SO6L封装,厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内,最大电源电流仅为0.3mA,可在低至2.7V的电源电压下工作,有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA,允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.85
    • 10+

      ¥7.28
    • 30+

      ¥6.41
    • 100+

      ¥5.43
    • 500+

      ¥5
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.17 Ω(典型值),采用超级结结构:DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.5 至 3.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.9 mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.87
    • 10+

      ¥8.09
    • 50+

      ¥7.59
    • 100+

      ¥7.09
  • 有货
  • 由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反向并联方式,因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级,具有拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽,保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑反相器输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.08
    • 10+

      ¥7.58
    • 30+

      ¥6.76
    • 100+

      ¥5.83
    • 500+

      ¥5.41
    • 1000+

      ¥5.22
  • 有货
  • 由GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成,采用8引脚SO8封装。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证了±15 kV/μs的共模瞬态抗扰度,有逻辑缓冲输出,也有反相器输出版本。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.96
    • 10+

      ¥8.45
    • 30+

      ¥7.51
    • 100+

      ¥6.54
    • 500+

      ¥6.11
  • 有货
  • TLP719由GaAℓAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该单元是6引脚SDIP。TLP719比8引脚DIP小50%,并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.28
    • 10+

      ¥10.24
    • 30+

      ¥8.95
    • 100+

      ¥7.64
  • 有货
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