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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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是一款5-Mbps低功耗光电耦合器,采用小型SO6L封装,厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内,最大电源电流仅为0.3mA,可在低至2.7V的电源电压下工作,有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA,允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。
数据手册
  • 1+

    ¥8.85
  • 10+

    ¥7.28
  • 30+

    ¥6.41
  • 100+

    ¥5.43
  • 500+

    ¥5
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:ILSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用:汽车。 开关稳压器
    • 1+

      ¥10.01
    • 10+

      ¥8.41
    • 30+

      ¥7.41
    • 100+

      ¥6.39
    • 500+

      ¥5.93
    • 1000+

      ¥5.73
  • 有货
    • 1+

      ¥13.41
    • 10+

      ¥13.07
    • 30+

      ¥12.84
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 小型、薄型封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.4 mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:IHSS = -10μA(最大值)(VDS = -40V)。 增强模式:Vth = -1.0至-2.1V(VDS = -10V ID = -1.0mA)。应用:汽车。 开关稳压器
    • 1+

      ¥15.63
    • 10+

      ¥13.17
    • 30+

      ¥11.62
  • 有货
  • 特性:第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。 增强模式。 高速开关 IGBT:tf = 0.20 μs(典型值)(IC = 40 A) FWD:trr = 0.60 μs(典型值)(IF = 15 A)。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.9V(典型值)(IC = 40A)。 高结温:TJ = 175℃(最大值)。应用:专用于电压谐振逆变器开关应用
    • 1+

      ¥19.24
    • 10+

      ¥16.3
    • 25+

      ¥14.46
    • 100+

      ¥12.57
  • 有货
    • 1+

      ¥24.33
    • 10+

      ¥20.84
    • 50+

      ¥18.77
    • 100+

      ¥16.68
  • 有货
  • 应用:超高速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1406
    • 200+

      ¥0.1109
    • 600+

      ¥0.0944
    • 3000+

      ¥0.0845
  • 有货
  • 应用:超高速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.164912 ¥0.3748
    • 100+

      ¥0.101966 ¥0.2999
    • 300+

      ¥0.062976 ¥0.2624
    • 1000+

      ¥0.056256 ¥0.2344
    • 5000+

      ¥0.050856 ¥0.2119
    • 10000+

      ¥0.048168 ¥0.2007
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2401至RN2406互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 20+

      ¥0.2447
    • 200+

      ¥0.1967
    • 600+

      ¥0.1727
  • 有货
  • N沟道 30V 6A
    数据手册
    • 1+

      ¥0.329092 ¥1.1348
    • 10+

      ¥0.290232 ¥1.0008
    • 30+

      ¥0.273586 ¥0.9434
    • 100+

      ¥0.252793 ¥0.8717
    • 500+

      ¥0.243542 ¥0.8398
    • 1000+

      ¥0.238003 ¥0.8207
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 低正向电压:VF(3) = 0.54V (典型值)。 低反向电流:IR(1) = 1μA (最大值)。 通用USC封装,相当于SOD-323和SC-76封装。应用:高速开关
    • 10+

      ¥0.3295
    • 100+

      ¥0.2575
    • 300+

      ¥0.2215
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 快速反向恢复时间:trr = 1.6 ns(典型值)。应用:超高速开关
    • 10+

      ¥0.3751
    • 100+

      ¥0.2935
    • 300+

      ¥0.2527
  • 有货
  • 特性:低正向电压:Vr(3) = 0.38V(典型值)。 通用USC封装,相当于SOD-323和SC-76封装。应用:高速开关
    • 10+

      ¥0.4211
    • 100+

      ¥0.3299
    • 300+

      ¥0.2843
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4363
    • 100+

      ¥0.3426
    • 300+

      ¥0.2958
  • 有货
  • CMOS单输出电压调节器,带有开/关控制输入,具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压,能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降,2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms,负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV(I_OUT = 1mA⇔150mA,C_OUT = 1.0μF)。因此,适用于模拟和射频等敏感电源应用。
    • 5+

      ¥0.6023
    • 50+

      ¥0.516
    • 150+

      ¥0.4791
    • 500+

      ¥0.4329
    • 2500+

      ¥0.4124
  • 有货
  • CMOS单输出电压调节器,带有开/关控制输入,具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压,能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降,2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms,负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV(I_OUT = 1mA⇔150mA,C_OUT = 1.0μF)。因此,适用于模拟和射频等敏感电源应用。
    • 5+

      ¥0.6649
    • 50+

      ¥0.5209
    • 150+

      ¥0.4489
    • 500+

      ¥0.3949
    • 2500+

      ¥0.3517
  • 有货
  • 特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 95 mΩ(最大值)(VGS = 10 V),RDS(ON) = 140 mΩ(最大值)(VGS = 4.5 V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6649
    • 50+

      ¥0.5209
    • 150+

      ¥0.4489
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7006
    • 50+

      ¥0.6857
    • 150+

      ¥0.6758
    • 500+

      ¥0.6658
  • 有货
  • 反相器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7752
    • 50+

      ¥0.6058
    • 150+

      ¥0.5211
    • 500+

      ¥0.4575
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP(DIP4)封装,具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
    • 5+

      ¥0.7787
    • 50+

      ¥0.616
    • 150+

      ¥0.5346
    • 500+

      ¥0.4735
    • 2000+

      ¥0.4247
  • 有货
  • CMOS单输出电压调节器,带有开/关控制输入,具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压,能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降,2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms,负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV(I_OUT = 1mA⇔150mA,C_OUT = 1.0μF)。因此,适用于模拟和射频等敏感电源应用。
    • 5+

      ¥0.7942
    • 50+

      ¥0.6214
    • 150+

      ¥0.535
    • 500+

      ¥0.4702
    • 3000+

      ¥0.4184
  • 有货
  • 特性:高电压:VCEO = -120V。 高过渡频率:fr = 120MHz(典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1至2W(安装在陶瓷基板上)。 与2SC2881互补。应用:电压放大器应用。 功率放大器应用
    • 2000+

      ¥0.6213
    • 3000+

      ¥0.6099
    • 10000+

      ¥0.6042
    适用于音频低噪声放大器应用
    • 5+

      ¥0.8483
    • 50+

      ¥0.7328
    • 150+

      ¥0.6833
    • 500+

      ¥0.6215
  • 有货
  • 东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8683
    • 50+

      ¥0.7523
    • 200+

      ¥0.7026
    • 500+

      ¥0.6406
    • 2500+

      ¥0.613
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 88.1mΩ(最大值,VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 56.0mΩ(最大值,VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 39.3mΩ(最大值,VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 32.0mΩ(最大值,VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9959
    • 50+

      ¥0.8783
    • 150+

      ¥0.8279
    • 500+

      ¥0.765
    • 2500+

      ¥0.737
  • 有货
  • 特性:高速。 低功耗。 高抗噪性。 输出驱动能力。 对称输出阻抗:|IOH| = |IO| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tₚLH ≡ tₚHL。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 6V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0266
    • 50+

      ¥0.7993
    • 150+

      ¥0.7019
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL相似的高速运行。内部电路由单级反相器组成,可用于晶体振荡。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。输出电流是TC74HC系列型号的1/2。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.148774 ¥2.4442
    • 50+

      ¥0.718688 ¥1.9424
    • 150+

      ¥0.466398 ¥1.7274
    • 500+

      ¥0.393957 ¥1.4591
    • 3000+

      ¥0.361692 ¥1.3396
    • 6000+

      ¥0.34236 ¥1.268
  • 有货
  • 由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的 SO6 封装。由于比 DIP 封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3376
    • 50+

      ¥1.1589
    • 150+

      ¥1.0824
    • 500+

      ¥0.9869
  • 有货
  • 特性:小封装。 高电容比:C₁V / C₄V = 3.0(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.27Ω(典型值)
    • 5+

      ¥1.4433
    • 50+

      ¥1.0401
    • 150+

      ¥0.8673
    • 500+

      ¥0.6517
  • 有货
  • 由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的 SO6 封装。比 DIP 封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4671
    • 50+

      ¥1.1647
    • 150+

      ¥1.0351
    • 500+

      ¥0.8734
  • 有货
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