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价格(含税)

库存

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光电耦合器，红外LED和光电晶体管

型号：TLP293(GB-TPL,E 编号：C5331602

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.0258
50+
￥0.7952
150+
￥0.6963

有货

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21V 14A@8/20us

型号：DF2S23P2FU,H3F 编号：C1973790

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种TVS二极管（ESD保护二极管），可保护移动设备接口和其他应用中使用的半导体器件，免受静电和噪声影响。为保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源激活时）影响，实现了高IPP。此外，采用标准封装（2.5mm×1.25mm），可用于各种应用。

数据手册

5+
￥1.1379
50+
￥0.8865
150+
￥0.7788
500+
￥0.6444

有货

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CMOS数字集成电路

型号：TC7SZ34FE,LJ(CT 编号：C2675654

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围:Topr = -40 至 125°C。高输出电流:±24 mA(最小值),VCC = 3.0 V。超高速运行:tpd = 2.4 ns(典型值),VCC = 5.0 V,CL = 50 pF。工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5 V。5.5 V 耐受输入。5.5 V 掉电保护输出。在 VCC = 3.3 V 下运行时,性能与 TC74LCX 系列匹配

数据手册

5+
￥1.1408
50+
￥0.8888
150+
￥0.7808

有货

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TLP785F(D4GRT7,F(C

型号：TLP785F(D4GRT7,F 编号：C4153781

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.193
50+
￥0.9507
150+
￥0.8469

有货

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74HC32D

型号：74HC32D 编号：C4468690

封装：SOIC-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥1.29
10+
￥1.26
30+
￥1.24

有货

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TLP293(V4-GRTL,E

型号：TLP293(V4-GRTL,E 编号：C2998442

封装：SO-4-2.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥1.3005 ￥2.55
10+
￥1.1628 ￥2.28
30+
￥1.0965 ￥2.15
100+
￥1.0251 ￥2.01
500+
￥0.9843 ￥1.93
1000+
￥0.9639 ￥1.89

有货

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停产 DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP781(GB,F) 编号：C84603

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料DIP封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

数据手册

1+
￥1.489
10+
￥1.1866
30+
￥1.057

有货

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光电耦合器，砷化镓红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP185(TPR,SE 编号：C26805120

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。

5+
￥1.58
50+
￥1.37
150+
￥1.28
500+
￥1.16

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP383(D4YH-TL,E 编号：C17408829

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

5+
￥1.5803
50+
￥1.3913
150+
￥1.3103
500+
￥1.2092

有货

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CMOS单运放集成电路

型号：TC75S51F,LF 编号：C5351380

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC75S51F/TC75S51FU是一款集成了相位补偿电路的CMOS单运算放大器。它采用低电压、低电流电源供电，这使其有别于通用双极性运算放大器。

数据手册

5+
￥1.6123
50+
￥1.2796
150+
￥1.1371
500+
￥0.9592

有货

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NPN 电流:30mA 电压:10V

型号：2SC5108-Y,LF 编号：C7174980

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.6919
50+
￥1.3139
150+
￥1.1519
500+
￥0.9498

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP183(BLL-TPL,E 编号：C5346749

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入型光电晶体管耦合器，由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成，采用 SO6 封装。保证高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（-55℃至 125℃），比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.8138
50+
￥1.4096
150+
￥1.2363
500+
￥1.0202

有货

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3.75kV

型号：TLP184(BL-TPL,SE 编号：C5346750

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是交流输入型光耦合器，由与两个红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于比 DIP 封装小，适用于混合 IC 等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥1.92
10+
￥1.66
30+
￥1.55
100+
￥1.42
500+
￥1.36
1000+
￥1.32

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP293(V4-GHTL,E 编号：C28261576

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

1+
￥1.94
10+
￥1.71
30+
￥1.61
100+
￥1.48
500+
￥1.43
1000+
￥1.39

有货

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单8通道多路复用器/解复用器

型号：TC4051BFT（EL,N）编号：C2673224

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4051B、TC4052B和TC4053B是具备模拟信号和数字信号选择与混合功能的多路复用器。TC4051B为8通道配置，TC4052B为4通道×2配置，TC4053B为2通道×3配置。

数据手册

1+
￥1.94
10+
￥1.89
30+
￥1.86
100+
￥1.82

有货

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低电压八进制总线缓冲器（反相），输入输出 5V 容限

型号：74LCX540FT 编号：C2676210

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压八进制总线缓冲器（反相），具有 5V 容限输入和输出。是一款高性能 CMOS 八进制总线缓冲器，专为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但可用于输入和输出的 5V 电源环境接口。是一个反相三态缓冲器，有两个低电平有效的输出使能端。当 OE1 或 OE2 为高电平时，终端输出处于高阻抗状态。该器件设计用于三态内存地址驱动器等。所有输入均配备防静电放电保护电路。

数据手册

1+
￥2.192 ￥10.96
10+
￥2.146 ￥10.73
30+
￥2.116 ￥10.58
100+
￥2.084 ￥10.42

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP292(BL-TPL,E 编号：C17569086

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

5+
￥2.2608
50+
￥1.757
150+
￥1.5411
500+
￥1.2717
2500+
￥1.1517
5000+
￥1.0797

有货

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Quad 2-Input AND Gate

型号：TC4081BF(EL,N,F) 编号：C5156515

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4081B 四 2 输入与门 TC4081B 是分别具有两个输入的正逻辑与门。

数据手册

1+
￥2.29
10+
￥1.78
30+
￥1.57
100+
￥1.3

有货

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CMOS数字集成电路

型号：74VHCV244FT(BJ) 编号：C22385172

封装：TSSOP-20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进高速CMOS八进制总线缓冲器采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。适用于三态内存地址驱动器等。输入保护电路确保0至5.5V可应用于输入引脚，而无需考虑电源电压。该器件可用于5V至3V系统和双电源系统（如电池备份）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

5+
￥2.3228
50+
￥1.844
150+
￥1.6388

有货

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9位施密特缓冲器/反相器

型号：74VHC9152FT 编号：C2675620

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是超高速9位施密特缓冲器/反相器，采用硅栅CMOS技术制造，结合了CMOS的低功耗和肖特基TTL的速度。输出分为同相和反相类型，所有输入在正负阈值之间具有滞后特性，能够对缓慢变化的输入信号进行整形，并提高抗噪能力。此外，所有输入都有新开发的保护电路，即使电源关闭，输入也能承受高达5V的电压。输入掉电保护功能使其适用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥2.73
10+
￥2.13
30+
￥1.87

有货

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光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP290(V4-GB,SE) 编号：C3002260

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小且薄的SO4封装，保证在宽工作温度Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750 Vrms）下工作，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

数据手册

1+
￥2.95
10+
￥2.35
30+
￥2.09
175+
￥1.76
525+
￥1.62
1050+
￥1.53

有货

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1个N沟道耐压:800V

型号：TK4A80E,S4X(S 编号：C5360504

封装：TO-220SIS-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8Ω（典型值）。低泄漏电流：ILSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.4mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥3.23
10+
￥2.51
50+
￥2.2
100+
￥1.82

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP293(V4BLLTL,E 编号：C3008593

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥3.33
10+
￥2.62
30+
￥2.32
100+
￥1.94
500+
￥1.69

有货

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P沟道耐压:12V 电流:12A

型号：SSM6J505NU,LF 编号：C7320743

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 61mΩ（最大值）@VGS = -1.2V。RDS(ON) = 30mΩ（最大值）@VGS = -1.5V。RDS(ON) = 21mΩ（最大值）@VGS = -1.8V。RDS(ON) = 16mΩ（最大值）@VGS = -2.5V。RDS(ON) = 12mΩ（最大值）@VGS = -4.5V。应用：电源管理开关

1+
￥4.04
10+
￥3.22
30+
￥2.81
100+
￥2.4

有货

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TLP5751(TP4,E

型号：TLP5751(TP4,E 编号：C2991189

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出，可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。

数据手册

1+
￥4.97
10+
￥4.45
30+
￥4.19
100+
￥3.94
500+
￥3.61
1500+
￥3.53

有货

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TLP2662(D4-TP1,F)

型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

数据手册

1+
￥5.3
10+
￥4.76
30+
￥4.46
100+
￥4.12
500+
￥3.97

有货

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TLP2719(D4-TP4,E

型号：TLP2719(D4-TP4,E 编号：C7124355

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6L 封装。该产品可安装在与东芝 SDIP6 封装相同的焊盘图案上。此外，SO6L 封装的最大高度为 2.3mm，比传统 SDIP6 封装薄约 45%。其低矮的封装有助于减小系统尺寸，并且可以放置在对高度有限制的位置，如电路板背面。此外，由于该产品保证了 5kVrms（最小值）的高隔离电压，因此符合国际安全标准的加强绝缘等级。

1+
￥5.35
10+
￥4.27
30+
￥3.73

有货

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TLP240A(TP1,F(O

型号：TLP240A(TP1,F 编号：C2931195

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240A和TLP240AF光继电器由一个光电MOSFET与红外LED光学耦合组成。它们采用4引脚DIP封装。它们提供5000Vrms的隔离电压，适用于需要加强绝缘的应用。

1+
￥5.37
10+
￥4.29
30+
￥3.75
100+
￥3.21
500+
￥2.89
1500+
￥2.73

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:12A

型号：TK12A50D 编号：C556317

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.45Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用

数据手册

1+
￥5.7171 ￥11.21
10+
￥4.8858 ￥9.58
50+
￥4.3656 ￥8.56
100+
￥3.8352 ￥7.52
500+
￥3.5955 ￥7.05
1000+
￥3.4884 ￥6.84

有货

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单向可控硅无过零电路 1通道

型号：TLP548J(TP1,F) 编号：C393900

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

数据手册

1+
￥5.97
10+
￥5.82
30+
￥5.72

有货

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