东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP385(D4GB-TR,E 编号：C38234628

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.2
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￥1.91
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￥1.78
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￥1.52

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型号：74VHC86FT 编号：C5351363

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC86FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 四异或门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。

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￥2.27
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￥1.76
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￥1.55
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￥1.28

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型号：TLP385(D4BL-TR,E 编号：C17585820

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.68
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￥1.56

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型号：TLP290(V4BLTP,SE 编号：C5370550

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装，保证了 -55℃至110℃的宽工作温度范围和3750Vrms的高隔离电压，适用于高密度表面贴装应用。

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￥2.29
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￥2.01
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型号：TC74HC04AF(EL,F) 编号：C5381646

封装：SOIC-14-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 相似的高速运行。内部电路由三级组成，包括缓冲输出，提供高抗噪性和稳定输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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￥2.36
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￥2.3
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￥2.26
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型号：TLP385(BL-TPR,E 编号：C39707756

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.41
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￥2.12
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￥1.83
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￥1.7

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型号：TLP293(TPL,E 编号：C970960

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成，采用 SO4 封装。保证了高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽的工作温度 (-55 至 125℃)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥2.4267
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￥1.973
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￥1.7785
500+
￥1.5359

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型号：TLP385(D4-TPL,E 编号：C39708496

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.47
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￥2.06
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￥1.62

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型号：TPH8R008NH,L1Q(M 编号：C396040

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥2.59
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￥2.28
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￥1.98
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￥1.89

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型号：TBD62003APG(Z,HZ) 编号：C146373

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2003APG升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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￥2.59
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￥1.76
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￥1.31

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C7421359

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥2.84
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￥2.34
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￥2.17
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￥2.02

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型号：TLP385(D4GB-TL,E 编号：C17256801

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.96
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￥2.3
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￥2.02
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￥1.67
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￥1.52
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￥1.42

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型号：TC74AC14FT(EL) 编号：C5381643

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

六施密特反相器 TC74AC14FT 是一款采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 施密特反相器。

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￥3.0537 ￥3.51
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￥2.4708 ￥2.84
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￥2.1837 ￥2.51
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￥1.8966 ￥2.18
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￥1.7226 ￥1.98
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￥1.6269 ￥1.87

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型号：TLP291(V4GBTP,E 编号：C5370552

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发光二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用。

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￥3.4
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￥3.04
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￥2.86
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￥2.68
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￥2.57
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￥2.52

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型号：TLP291(V4GBTP,E 编号：C5370572

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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1+
￥3.4
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型号：TLP387(TPL,E 编号：C7495072

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

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￥3.48
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￥2.84
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￥2.51
100+
￥2.19
500+
￥2
1000+
￥1.9

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型号：TK6A65D(STA4,X,M) 编号：C2840181

封装：SC-67-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.95Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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1+
￥3.9
10+
￥3.15
50+
￥2.47
100+
￥2.1
500+
￥1.87
1000+
￥1.75

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型号：TLP2768A(D4-TP,E 编号：C5370532

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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￥4.39
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￥3.5
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￥3.05
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￥2.61

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型号：2SK2145-GR(TE85L,F 编号：C5367351

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频低噪声放大器应用，在一个 SM5（超小型 5 引脚）封装中包含两个器件。

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￥4.45
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￥3.55
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￥3.1

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型号：TK8A65D(STA4,Q,M) 编号：C2990817

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。高正向转移导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 650V）。增强模式：Vth = 2.0±0.4V（VDS = 10V，ID = 1mA）

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1+
￥4.6
10+
￥3.73
50+
￥3.3
100+
￥2.87

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型号：TLP290-4(V4GBTPE 编号：C2961982

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4保证能在较宽的工作温度范围ΔTa = -55至110 °C内正常工作，因此它适用于诸如可编程控制器等高密度表面贴装应用

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1+
￥4.83
10+
￥3.89
30+
￥3.41
100+
￥2.94
500+
￥2.28

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型号：74HC245D 编号：C2675537

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC245D 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 八进制总线收发器。它们能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。这些器件用于数据总线之间的双向异步通信

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1+
￥4.9
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￥3.92
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￥3.42
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￥2.94

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型号：TLP387(D4-TPL,E 编号：C17474491

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种光耦合器，由红外 LED 与达林顿晶体管光耦合组成。采用 SO6L（4 引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。集电极和发射极之间具有高击穿电压，适用于可编程控制器的 100VDC 输出模块等应用。

1+
￥5.27
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￥4.19
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￥3.65
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￥3.12
500+
￥2.79

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型号：TLP2748(TP,E 编号：C2848502

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2748由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

数据手册

1+
￥5.36
10+
￥4.29
30+
￥3.75
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￥3.22
500+
￥2.9

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型号：TK5A65D(STA4,Q,M) 编号：C435819

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 1.2Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 2.6S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 650V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

数据手册

1+
￥5.676 ￥9.46
10+
￥3.955 ￥7.91
30+
￥2.824 ￥7.06
100+
￥2.44 ￥6.1
500+
￥2.268 ￥5.67
1000+
￥2.192 ￥5.48

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型号：TLP293-4(4LGBTPE 编号：C17297808

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥6.38
10+
￥5.73
30+
￥5.37
100+
￥4.96
500+
￥4.78

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型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥7.16
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￥5.73
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￥5.02
100+
￥4.32
500+
￥3.89
1500+
￥3.68

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型号：TK15A60D(STA4,X,M) 编号：C5198102

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.31Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)

数据手册

1+
￥7.74
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￥6.43
50+
￥5.71
100+
￥4.9

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型号：TK100E10N1,S1X(S 编号：C396029

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V，ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.88
10+
￥6.54
50+
￥5.42
100+
￥4.59

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型号：2SC5200N(S1,E,S) 编号：C5362566

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：ΔVCEO = 230 V（最小值）。与2SA1943N互补。推荐用于100W高保真音频放大器输出级。应用：功率放大器

1+
￥8.67
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￥7.13
25+
￥6.29
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