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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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74VHC139FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2线至4线译码器/多路分配器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
数据手册
  • 5+

    ¥2.0917
  • 50+

    ¥1.6623
  • 150+

    ¥1.4783
  • 500+

    ¥1.2487
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由一个与铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(-55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1142
    • 50+

      ¥1.6404
    • 150+

      ¥1.4374
    • 500+

      ¥1.1841
  • 有货
  • TLP385是一款高隔离型光电耦合器,采用4引脚SO6L封装,由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP385保证具有高隔离电压(5000 Vrms)。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1489 ¥2.47
    • 10+

      ¥1.6786 ¥2.18
    • 30+

      ¥1.3735 ¥2.05
    • 100+

      ¥1.2663 ¥1.89
    • 500+

      ¥1.2194 ¥1.82
    • 1000+

      ¥1.1926 ¥1.78
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3003
    • 50+

      ¥1.8467
    • 150+

      ¥1.6523
    • 500+

      ¥1.3429
    • 2500+

      ¥1.2349
    • 5000+

      ¥1.1701
  • 有货
  • 由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4052
    • 50+

      ¥1.9012
    • 150+

      ¥1.6852
    • 500+

      ¥1.4158
    • 2500+

      ¥1.2958
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.47
    • 10+

      ¥2.2
    • 30+

      ¥2.06
    • 100+

      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.66
    • 1000+

      ¥1.62
  • 有货
    • 1+

      ¥2.59
    • 10+

      ¥2.28
    • 30+

      ¥2.13
    • 100+

      ¥1.98
    • 500+

      ¥1.89
  • 有货
    • 1+

      ¥2.63
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.78
    • 100+

      ¥1.46
    • 500+

      ¥1.32
    • 1000+

      ¥1.24
  • 有货
  • TLP184(SE是AC输入型光电耦合器,由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE采用非常小而薄的SO6封装,具有高抗噪性和高隔离电压。由于TLP184(SE比DIP封装小,适用于混合IC等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.68
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.25
    • 100+

      ¥2.1
    • 500+

      ¥2.02
    • 1000+

      ¥1.97
  • 有货
  • 新产品,ULN2003APG升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.09
    • 25+

      ¥1.83
    • 100+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.36
  • 有货
  • TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器,采用SO6封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压(3750 Vrms)和宽工作温度范围(Ta = -55至125 °C)。与DIP封装相比,TLP183体积更小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 1+

      ¥2.72
    • 10+

      ¥2.11
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.52
    • 500+

      ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.29
  • 有货
  • 由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度(-55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥1.99
    • 175+

      ¥1.65
    • 525+

      ¥1.49
    • 1050+

      ¥1.4
  • 有货
  • 由光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合而成。采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥2.71
    • 30+

      ¥2.53
    • 100+

      ¥2.35
    • 500+

      ¥2.24
    • 1000+

      ¥2.18
  • 有货
  • 由零交叉光控三端双向可控硅组成,与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装,保证爬电距离最小为 5.0mm,电气间隙最小为 5.0mm,绝缘厚度最小为 0.4mm。因此,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.798 ¥12.66
    • 10+

      ¥2.332 ¥11.66
    • 30+

      ¥1.103 ¥11.03
    • 100+

      ¥1.039 ¥10.39
    • 500+

      ¥1.01 ¥10.1
    • 1000+

      ¥0.997 ¥9.97
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出,可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。
    • 1+

      ¥4.29
    • 10+

      ¥3.79
    • 30+

      ¥3.53
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥3.13
  • 有货
  • 是高速CMOS 8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器,采用硅栅C²MOS技术制造。它能实现与等效LSTTL相似的高速操作,同时保持CMOS的低功耗特性。由带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时,串行数据输入启用,8个触发器随每个时钟脉冲进行串行移位。当SHIFT/LOAD输入为低电平时,并行数据在时钟脉冲的正跳变沿异步加载到寄存器中。CK-INH输入仅在CK输入为高电平时应置为高电平。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.64
    • 30+

      ¥4.36
    • 100+

      ¥4.03
    • 500+

      ¥3.89
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压(3750 Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 1+

      ¥5.69
    • 10+

      ¥5.16
    • 30+

      ¥4.87
    • 100+

      ¥4.55
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光控三端双向可控硅组成。TLP525G-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道,而 TLP525G-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.56
    • 10+

      ¥6.35
    • 50+

      ¥5.69
    • 100+

      ¥4.94
    • 500+

      ¥4.61
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 8.7 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 23 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 5.0 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_KSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 60 V)。 增强模式:V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥7.57
    • 10+

      ¥7.38
    • 30+

      ¥7.25
    • 100+

      ¥7.12
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 28 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.1 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 75 V)。 增强模式:VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥7.6
    • 10+

      ¥6.28
    • 30+

      ¥5.55
    • 100+

      ¥4.73
    • 500+

      ¥4.37
    • 1000+

      ¥4.2
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 11.5 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 100V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.04
    • 10+

      ¥6.7
    • 50+

      ¥5.96
    • 100+

      ¥5.13
  • 有货
  • 是一款采用SO6封装的光电耦合器,由GaAs红外发光二极管(LED)与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽,可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.22
    • 10+

      ¥6.75
    • 30+

      ¥5.95
    • 100+

      ¥5.03
    • 500+

      ¥4.53
    • 1000+

      ¥4.34
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 Ω(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 720 V)。 增强模式:VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.9 mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.61
    • 10+

      ¥7.17
    • 25+

      ¥6.28
  • 有货
  • TLP5214是一款高度集成的输出电流为4.0A的IGBT栅极驱动光耦,采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。TLP5214是一款智能栅极驱动光耦,具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位以及欠压锁定(UVLO)等功能。
    • 1+

      ¥13.38
    • 10+

      ¥12.13
    • 30+

      ¥11.34
    • 100+

      ¥10.54
    • 500+

      ¥10.17
  • 有货
  • 由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成,采用8引脚DIP封装,适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.17
    • 10+

      ¥13.61
    • 50+

      ¥12.02
  • 有货
  • 光MOSFET与红外LED光耦合,采用VSON4封装。具有低CR乘积和低导通电阻,因此可提供高导通电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.31
    • 10+

      ¥24.89
    • 30+

      ¥22.26
    • 100+

      ¥19.6
  • 有货
  • 应用:超高速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1406
    • 200+

      ¥0.1109
    • 600+

      ¥0.0944
  • 有货
  • 应用:超高速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.142424 ¥0.3748
    • 100+

      ¥0.083972 ¥0.2999
    • 300+

      ¥0.047232 ¥0.2624
    • 1000+

      ¥0.042192 ¥0.2344
    • 5000+

      ¥0.038142 ¥0.2119
    • 10000+

      ¥0.036126 ¥0.2007
  • 有货
  • 开关二极管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1684
    • 200+

      ¥0.1333
    • 600+

      ¥0.1138
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。 紧凑型 2 引脚封装。 适合高密度安装。 低正向电压:Vr v = 0.98V(典型值)。 快速反向恢复时间:trr = 1.6 ns(典型值)。 小总电容:CT = 0.5pF(典型值)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1854
    • 200+

      ¥0.1391
    • 600+

      ¥0.1133
  • 有货
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