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光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP290(GB,SE 编号：C5121287

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.84
30+
￥2.48
100+
￥2.13

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5701(D4-TP,E 编号：C2892104

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，它在物理尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.87
30+
￥2.5
100+
￥2.14
500+
￥1.92

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:11.1A

型号：TK11A65W,S5X(M 编号：C396036

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.5至3.5V，VDS = 10V，ID = 0.45mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥4.0685 ￥5.15
10+
￥3.2292 ￥4.68
50+
￥2.6137 ￥4.43
100+
￥2.4426 ￥4.14
500+
￥2.3659 ￥4.01
1000+
￥2.3305 ￥3.95

有货

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四路2输入与非门

型号：TC4011BF(EL,N,F) 编号：C66920

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4011B 分别为 2 输入正逻辑与非门。由于这些门电路的所有输出端均配备反相器作为缓冲器，因此改善了输入/输出特性，并将负载电容增加导致的传播延迟时间变化降至最低。

1+
￥4.21
10+
￥3.37
30+
￥2.95
100+
￥2.53

有货

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光耦合器，红外发光二极管和光电集成电路

型号：TLP2363(V4-TPL,E 编号：C5370586

封装：SOIC-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2363由高输出发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。该产品保证在高达105℃的温度下以及2.7至5.5V的电源下工作。它采用SO6封装。

数据手册

1+
￥4.92
10+
￥4.37
30+
￥4.07
100+
￥3.73
500+
￥3.57
1000+
￥3.5

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP2748(D4-TP,E 编号：C725711

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用厚度为2.3mm（最大值）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA，低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，适用于低输入电流。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。采用反相器输出，另有缓冲输出版本。

数据手册

1+
￥4.94
10+
￥3.91
30+
￥3.39
100+
￥2.88
500+
￥2.58

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP351(F) 编号：C150126

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

数据手册

1+
￥5.03
10+
￥4.01
50+
￥3.5
100+
￥3
500+
￥2.7
1000+
￥2.54

有货

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TLP2761(D4-TP,E

型号：TLP2761(D4-TP,E 编号：C5798523

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥5.56
10+
￥4.44
30+
￥3.87
100+
￥3.32
500+
￥2.98
1500+
￥2.81

有货

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2SC5198-O(Q)

型号：2SC5198-O(Q) 编号：C4153789

封装：TO-3PN

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥6.19
10+
￥4.9
30+
￥4.25
100+
￥3.61

有货

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7通道DMOS晶体管阵列

型号：TBD62502AFNG,EL 编号：C2150132

封装：SSOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62502A 系列和 TBD62503A 系列是 7 路 DMOS 晶体管阵列。使用时请留意散热条件。

数据手册

1+
￥6.35
10+
￥5.75
30+
￥5.42
100+
￥5.05
500+
￥4.88

有货

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7通道灌电流型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62503AFNG(Z,EL) 编号：C5381640

封装：SSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

7通道灌电流型DMOS晶体管阵列是具有7个电路的DMOS晶体管阵列。使用时请留意热条件。

数据手册

1+
￥7.02
10+
￥5.75
30+
￥5.12
100+
￥4.49
500+
￥4.11
1000+
￥3.92

有货

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双向可控硅无过零电路 2通道停产

型号：TLP525G-2(F) 编号：C141569

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光控三端双向可控硅组成。TLP525G-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道，而 TLP525G-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥7.46
10+
￥6.25
50+
￥5.59
100+
￥4.84
500+
￥4.51

有货

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8位微控制器

型号：TMP89FM42UG(C,JZ) 编号：C412446

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥7.5872 ￥47.42
10+
￥6.5472 ￥40.92
30+
￥5.912 ￥36.95
100+
￥5.3808 ￥33.63

有货

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2SA1943-O(S1,F,S)

型号：2SA1943-O(S1,F,S) 编号：C2929212

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥10.95
10+
￥9.3
25+
￥8.26
100+
￥7.2

有货

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4A输出电流IGBT栅极驱动光耦

型号：TLP5214(TP,E 编号：C17414166

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5214是一款高度集成的输出电流为4.0A的IGBT栅极驱动光耦，采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。TLP5214是一款智能栅极驱动光耦，具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位以及欠压锁定（UVLO）等功能。

1+
￥11.88
10+
￥10.81
30+
￥10.14
100+
￥9.46
500+
￥9.15

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP719(TP,F) 编号：C393902

封装：SDIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719由GaAℓAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该单元是6引脚SDIP。TLP719比8引脚DIP小50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥12.28
10+
￥10.24
30+
￥8.95
100+
￥7.64

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：TK160F10N1L,LQ 编号：C5370535

封装：TO-220SM(W)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.5至3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：汽车。开关稳压器

数据手册

1+
￥13.13
10+
￥12.43
30+
￥12.01
100+
￥11.59
500+
￥11.39
1000+
￥11.3

有货

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TLP2270(TP4,E

型号：TLP2270(TP4,E 编号：C5943071

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2270由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。它采用厚度最大为2.35 mm的薄型SO8L封装。

1+
￥13.79
10+
￥11.61
30+
￥10.25
100+
￥8.85

有货

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DC 3.75kV

型号：TLX9188(GBTPL,F 编号：C17336323

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLX9188由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLX9188采用非常小巧轻薄的SO6（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 125 °C）。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高（VCEO = 200 V），TLX9188适用于电池管理系统

1+
￥28.51
10+
￥24.26
30+
￥21.73
100+
￥19.17

有货

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电压:80V 电流:100mA

型号：1SS352(TPH3,F) 编号：C2847394

封装：USC

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装。低正向电压：0.98V（典型值）。快速反向恢复时间：1.6 ns（典型值）。小总电容：0.5 pF（典型值）

10+
￥0.2408
100+
￥0.1926
300+
￥0.1686

有货

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电压:80V 电流:100mA

型号：1SS300(TE85L,F) 编号：C2880437

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。小封装：SC-70。低正向电压：Vₓ(3) = 0.92V（典型值）。快速反向恢复时间：tᵣᵣ = 1.6 ns（典型值）。小总电容：Cₜ = 2.2 pF（典型值）

10+
￥0.2427
100+
￥0.1899
300+
￥0.1635
3000+
￥0.1437

有货

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耐压:30V 电流:100mA

型号：SSM3K15AFS,LF 编号：C150117

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,30V,0.1A,3.6Ω@4V

数据手册

10+
￥0.2652
100+
￥0.2074
300+
￥0.1785

有货

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电压:30V 电流:200mA

型号：CES520,L3F 编号：C5618940

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低反向电流：I_REF = 5μA（最大值）。小型紧凑的ESC封装，相当于SOD-523和SC-79封装。应用：高速开关

10+
￥0.331
100+
￥0.259
300+
￥0.223
1000+
￥0.196

有货

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双极晶体管硅NPN外延型（带内置偏置电阻）

型号：RN1105MFV,L3F(CT 编号：C7421319

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。超小型封装，适合高密度安装。集成偏置电阻，减少外部部件数量，可减小系统尺寸并缩短组装时间。提供多种电阻值选择，以适应各种电路设计。与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.331
100+
￥0.259
300+
￥0.223

有货

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PNP 电流:100mA 电压:120V

型号：2SA1587-GR,LF 编号：C5331485

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。高电压：VCEO =-120V。出色的hFE线性度：hFE (IC =-0.1mA) / hFE (IC =-2mA) = 0.95（典型值）。高hFE：hFE = 200至700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与2SC4117互补。应用：音频通用放大器

数据手册

10+
￥0.338
100+
￥0.2636
300+
￥0.2264
3000+
￥0.1985
6000+
￥0.1762
9000+
￥0.165

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:170mA

型号：SSM6N7002CFU,LF 编号：C262138

封装：US6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：栅源二极管用于保护。低漏源导通电阻：2.8Ω（典型值）@VGS = 10V，ID = 100mA；3.1Ω（典型值）@VGS = 5V，ID = 100mA；3.2Ω（典型值）@VGS = 4.5V，ID = 100mA。应用：高速开关

10+
￥0.3549
100+
￥0.2781
300+
￥0.2396

有货

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电压:10V 电流:100mA

型号：1SS374(TE85L,F) 编号：C2847393

封装：TO-236-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低正向电压：VP(2) = 0.23V（典型值）。小封装：SC-59。应用：高速开关应用

5+
￥0.400905 ￥0.8909
50+
￥0.353565 ￥0.7857
150+
￥0.33327 ￥0.7406
500+
￥0.30798 ￥0.6844
3000+
￥0.296685 ￥0.6593
6000+
￥0.289935 ￥0.6443

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC4116-BL(TE85L,F 编号：C27695127

封装：USM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至700。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA） = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

10+
￥0.4079
100+
￥0.3263
300+
￥0.2855

有货

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用于静电放电保护的二极管

型号：DF5A6.8CJE.LM 编号：C2762689

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。低端子电容（阴极与阳极之间）：CT = 23 pF（典型值）

数据手册

10+
￥0.432
100+
￥0.3456
300+
￥0.3024
1000+
￥0.27

有货

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80V 100mA

型号：1SS387CT,L3F 编号：C146341

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低正向电压：VF(3) = 0.98V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6 ns（典型值）。小总电容：Ct = 0.5pF（典型值）。应用：超高速开关

数据手册

5+
￥0.4439
50+
￥0.3468
150+
￥0.2982
500+
￥0.2618

有货

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