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描述

价格(含税)

库存

操作

NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC4116-BL(TE85L,F 编号：C27695127

封装：USM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至700。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA） = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

10+
￥0.4079
100+
￥0.3263
300+
￥0.2855

有货

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电压:10V 电流:100mA

型号：1SS374(TE85L,F) 编号：C2847393

封装：TO-236-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低正向电压：VP(2) = 0.23V（典型值）。小封装：SC-59。应用：高速开关应用

5+
￥0.43267 ￥1.2362
50+
￥0.245925 ￥0.9837
150+
￥0.131325 ￥0.8755
500+
￥0.111075 ￥0.7405
3000+
￥0.10206 ￥0.6804
6000+
￥0.096645 ￥0.6443

有货

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NPN 100mA 50V

型号：RN1303(TE85L,F) 编号：C7421321

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2301至RN2306互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.4439
100+
￥0.3551
300+
￥0.3107

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:330mA

型号：SSM3J36FS,LF 编号：C5358557

封装：SC-75

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻: -Rₒₙ = 3.60Ω（最大值）(V_GS =-1.5V)。 -Rₒₙ = 2.70Ω（最大值）(V_GS =-1.8V)。 -Rₒₙ = 1.60Ω（最大值）(V_GS =-2.8V)。 -Rₒₙ = 1.31Ω（最大值）(V_GS =-4.5V)

数据手册

10+
￥0.486
100+
￥0.3907
300+
￥0.343
3000+
￥0.3073
6000+
￥0.2787
9000+
￥0.2643

有货

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N沟道耐压:20V 电流:250mA

型号：SSM3K35AMFV,L3F 编号：C150155

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,20V,0.25A,1.1Ω@4.5V

数据手册

5+
￥0.5371
50+
￥0.3535
150+
￥0.2616

有货

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1SV279,H3F(T

型号：1SV279,H3F 编号：C2844200

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₂V/C₁₀V = 2.5（典型值）。低串联电阻：rs = 0.2Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

5+
￥0.5519
50+
￥0.4415
150+
￥0.3863
500+
￥0.3449

有货

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CMOS数字集成电路施密特反相器

型号：TC7SZ14FU,LJ(CT 编号：C7066984

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围:Topr = -40 至 125°C。高输出电流:在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA(最小值)。超高速运行:在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时,tpd = 3.7ns(典型值)。工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5V。5.5V 耐受输入。5.5V 掉电保护输出。在 3.3VVCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列匹配

5+
￥0.6192
50+
￥0.4848
150+
￥0.4176
500+
￥0.3672

有货

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电压:30V 电流:1.5A

型号：CUS15S30,H3F 编号：C5977971

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VF(1) = 0.33V（典型值）。应用：高速开关

5+
￥0.6412
50+
￥0.5131
150+
￥0.449
500+
￥0.401

有货

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N沟道耐压:60V 电流:2.5A

型号：SSM3K318R,LF(B 编号：C29174911

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 107 mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：负载开关。超高速开关

5+
￥0.6589
50+
￥0.5149
150+
￥0.4429
500+
￥0.3889

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:100mA

型号：SSM3K16FU,LF 编号：C7018610

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：适合高密度安装，封装紧凑。低导通电阻：Ron = 3.0Ω 最大 (@VGS = 4V)；Ron = 4.0Ω 最大 (@VGS = 2.5V)；Ron = 15Ω 最大 (@VGS = 1.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥0.6619
50+
￥0.5179
150+
￥0.4459
500+
￥0.3919

有货

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PNP 电流:150mA 电压:50V

型号：2SA1873-GR(TE85L,F 编号：C17478686

封装：TSSOP-5(SC-70-5)SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于音频频率通用放大器应用。小封装（双类型），高电压和高电流：VCEO = -50V，IC = -150mA（最大值），高hFE，出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值），与2SC4944互补。

5+
￥0.7023
50+
￥0.5502
150+
￥0.4741
500+
￥0.4171

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SSM6K504NU,LF 编号：C5331530

封装：UDFN-6B

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 19.5 mΩ (最大值) (VGS = 10V)。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.7076
50+
￥0.6131
150+
￥0.5726
500+
￥0.522

有货

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SSM3K324R,LSONYF(T

型号：SSM3K324R,LSONYF 编号：C7421330

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.7447
50+
￥0.5959
150+
￥0.5215
500+
￥0.4657
3000+
￥0.421

有货

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二输入或门

型号：TC7S32F 编号：C6943

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S32是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS二输入或门。它在保持C2MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。内部电路由两级组成，包含缓冲输出，具备高抗噪能力和稳定的输出

数据手册

5+
￥0.7605
50+
￥0.6142
150+
￥0.5411
500+
￥0.4862

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP785(GR,F) 编号：C2840180

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

数据手册

5+
￥0.8531
50+
￥0.6707
200+
￥0.5605
500+
￥0.4921
2000+
￥0.4374
4000+
￥0.4101

有货

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2输入与非门

型号：TC7S00F,LF 编号：C7421337

封装：SOT-25

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速。低功耗。高抗噪性。输出驱动能力。对称输出阻抗：|IOH| = |IO| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH ≡ tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2 至 6V

5+
￥0.9047
50+
￥0.7031
150+
￥0.6167
500+
￥0.5089

有货

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高速CMOS双双边开关

型号：TC7W66FU,LF 编号：C2653273

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双路双向开关。它由四个独立的高速开关组成，能够控制数字或模拟信号，同时保持CMOS的低功耗特性。提供控制输入 (C) 来控制开关。当C输入为高电平时，开关导通；当C输入为低电平时，开关断开。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

5+
￥0.9151
50+
￥0.7097
150+
￥0.6217

有货

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NPN+PNP 电流:150mA 电压:50V

型号：HN1B04FE-GR,LF 编号：C150194

封装：SOT-666-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压和高电流:VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。高电压和高电流:VCEO = -50V,IC = -150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = -0.1mA) / hFE(IC = -2mA) = 0.95(典型值)。应用：音频通用放大器应用

数据手册

5+
￥1.000896 ￥1.2832
50+
￥0.694348 ￥1.0211
150+
￥0.527104 ￥0.9088
500+
￥0.445788 ￥0.7686
2500+
￥0.409596 ￥0.7062
4000+
￥0.387904 ￥0.6688

有货

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2SA1213-Y(TE12R,ZC

型号：2SA1213-Y(TE12R,ZC 编号：C261916

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.0186
50+
￥0.7918
150+
￥0.6946

有货

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CMOS数字集成电路，带预置和清除功能的D型触发器

型号：TC7WZ74FK,LJ(CT 编号：C2652815

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

D型触发器,带预置和清除功能

数据手册

5+
￥1.065728 ￥1.1584
50+
￥0.754892 ￥0.9206
150+
￥0.589464 ￥0.8187
500+
￥0.497952 ￥0.6916
3000+
￥0.4572 ￥0.635
6000+
￥0.43272 ￥0.601

有货

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高速低功耗反相器

型号：TC7S04FU,LF 编号：C12322

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S04是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS反相器。它在保持C2MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL相似的高速运行。内部电路由三级组成，包括缓冲输出，这使其具备高抗噪性和稳定的输出

数据手册

5+
￥1.107884 ￥1.3348
50+
￥0.774384 ￥1.0608
150+
￥0.594342 ￥0.9434
500+
￥0.501984 ￥0.7968
3000+
￥0.460908 ￥0.7316
6000+
￥0.436275 ￥0.6925

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP291(GRH-TP,SE 编号：C192426

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

5+
￥1.2127
50+
￥0.9456
150+
￥0.8311
500+
￥0.6883
2500+
￥0.6247
5000+
￥0.5865

有货

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低压低电容双总线开关

型号：TC7WBL3306CFK,L(CT 编号：C2673290

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WBL3305CFK和TC7WBL3306CFK是低电压/低电容CMOS 2位总线开关。该开关的低导通电阻允许以最小的传播延迟时间进行连接

5+
￥1.3881
50+
￥1.1991
150+
￥1.1181
500+
￥1.017
3000+
￥0.972
6000+
￥0.945

有货

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TLP2301(GB-TPL,E(T

型号：TLP2301(GB-TPL,E 编号：C2924740

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.4331
50+
￥1.2441
150+
￥1.1631
500+
￥1.0621
3000+
￥1.0171
6000+
￥0.9901

有货

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16V 100nA@14V

型号：CUHZ16V,H3F 编号：C7236804

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。 VZ的典型电压符合E24系列。应用：电压浪涌保护

5+
￥1.4485
50+
￥1.1228
150+
￥0.9833

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:3.5A

型号：SSM3K361R.LF 编号：C2762698

封装：SOT-23-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175°C MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65 mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51 mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥1.5288 ￥2.94
10+
￥0.9828 ￥2.34
30+
￥0.6688 ￥2.09
100+
￥0.5632 ￥1.76
500+
￥0.5184 ￥1.62
1000+
￥0.4928 ￥1.54

有货

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高速C2MOS施密特触发器

型号：TC7W14FU,LF 编号：C5956630

封装：MSOP-8-2.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS施密特触发器，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为接收慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

3000+
￥0.9086
6000+
￥0.8855
9000+
￥0.8547
18000+
￥0.8393

我要订货

耐压:30V 电流:10A

型号：SSM6J507NU,LF 编号：C146318

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 20mΩ（最大值）（VGS = -10V）。 RDS(ON) = 28mΩ（最大值）（VGS = -4.5V）。 RDS(ON) = 32mΩ（最大值）（VGS = -4.0V）。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.6265
50+
￥1.2935
150+
￥1.1507

有货

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高速C2MOS施密特反相器

型号：TC7W14FU(TE12L,F) 编号：C7421349

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS施密特触发器，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为接收慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.6749
50+
￥1.3472
150+
￥1.2067
500+
￥1.0315

有货

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NPN 电流:30mA 电压:10V

型号：2SC5108-Y,LF 编号：C7174980

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.7112
50+
￥1.3332
150+
￥1.1712
500+
￥0.969

有货

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