东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SSM3K318R,LF(B 编号：C29174911

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 107 mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：负载开关。超高速开关

5+
￥0.6589
50+
￥0.5149
150+
￥0.4429
500+
￥0.3889

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型号：SSM3K336R,LF 编号：C5331528

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 95 mΩ (最大值) (@VGS = 10 V)；RDS(ON) = 140 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥0.6589
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￥0.5149
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￥0.4429
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￥0.3889

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型号：TC7S66FU,LF 编号：C261924

封装：SC-74A

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS双边开关，采用硅栅C²MOS技术制造。它由一个高速开关组成，能够控制数字或模拟信号，同时保持C²MOS低功耗。提供控制输入 (C) 来控制开关。当C输入为高电平时，开关导通；当C输入为低电平时，开关关断。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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5+
￥0.696
50+
￥0.5568
150+
￥0.4871

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型号：1SV229(TPH3F) 编号：C2762682

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：超低串联电阻：rs = 0.2Ω（典型值），适用于小尺寸设备

数据手册

5+
￥0.7316
50+
￥0.5732
150+
￥0.4939
500+
￥0.4345

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型号：SSM6N44FE,LM 编号：C5274704

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：紧凑型封装，适合高密度安装。低导通电阻：RDS(ON) = 4.0Ω 最大 (VGS = 4V)；RDS(ON) = 7.0Ω 最大 (VGS = 2.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

数据手册

5+
￥0.7428
50+
￥0.5988
150+
￥0.5268

有货

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型号：TLP185(GB-TPL,E 编号：C7421356

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

5+
￥0.8955
50+
￥0.7905
150+
￥0.7455
500+
￥0.6894
3000+
￥0.5599

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型号：TLP291(BL-TP,SE 编号：C17193662

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

5+
￥0.9909
50+
￥0.7701
150+
￥0.6754
500+
￥0.5574
2500+
￥0.5048

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型号：HN1B04FE-GR,LF 编号：C150194

封装：SOT-666-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压和高电流:VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。高电压和高电流:VCEO = -50V,IC = -150mA(最大值)。高hFE:hFE = 120至400。出色的hFE线性度:hFE(IC = -0.1mA) / hFE(IC = -2mA) = 0.95(典型值)。应用：音频通用放大器应用

数据手册

5+
￥1.09072 ￥1.2832
50+
￥0.765825 ￥1.0211
150+
￥0.59072 ￥0.9088
500+
￥0.49959 ￥0.7686
2500+
￥0.45903 ￥0.7062
4000+
￥0.43472 ￥0.6688

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型号：2SC4213-B(TE85L,F) 编号：C516169

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于静音和开关应用。

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5+
￥1.109
50+
￥0.8826
150+
￥0.7856
500+
￥0.6646

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型号：TC7WH04FU,LJ(CT 编号：C5126593

封装：MSOP-8-2.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：td = 3.8ns（典型值），VCC = 5V，CL = 15pF。低功耗：ICC = 2μA（最大值），Ta = 25℃。高抗噪性：VNI_H = VNI_L = 28%VCC（最小值）。 5.5V 耐受输入。宽工作电压范围：VCC = 2 至 5.5V。引脚分配和功能与 TC7W04 相同

数据手册

5+
￥1.1333
50+
￥0.8813
150+
￥0.7733
500+
￥0.6386

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型号：TLP785(BLL-TP6,F 编号：C2848506

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.1525
50+
￥0.9045
150+
￥0.7982
500+
￥0.6656
2000+
￥0.557

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型号：TLP291(BLL-TP,SE 编号：C5350396

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（-55至110℃）和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

5+
￥1.1797
50+
￥0.9168
150+
￥0.8042
500+
￥0.6636

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型号：TC7S66F,LF 编号：C6331367

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S66F/FU是一款高速C2MOS双边开关，采用硅栅C2MOS技术制造。它能够控制数字或模拟信号，并保持低功耗。

5+
￥1.1898
50+
￥0.9227
150+
￥0.8083
500+
￥0.6655

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型号：TC7WBL3305CFK,L(CT 编号：C2673291

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

低压、低电容双总线开关。

5+
￥1.3322
50+
￥1.1537
150+
￥1.0772
500+
￥0.9818

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型号：TLP785F(GB-TP7,F) 编号：C2987250

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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5+
￥1.357
50+
￥1.0546
150+
￥0.925
500+
￥0.7633
2000+
￥0.6913
4000+
￥0.648

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型号：74VHC21FT 编号：C4470883

封装：TSSOP-14-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC21FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四输入与门。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

5+
￥1.3991
50+
￥1.0866
150+
￥0.9527

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型号：74HC164D(BJ) 编号：C7421253

封装：SOIC14

品牌：TOSHIBA(东芝)

8-位移位寄存器（串行输入，并行输出）。是高速CMOS 8位串行输入并行输出移位寄存器，采用硅栅C2MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS低功耗。由一个带CK输入和优先CLR输入的串行输入、并行输出8位移位寄存器组成。提供两个串行数据输入（A，B），以便其中一个可用作数据使能。所有输入均配备有防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.4047
50+
￥1.2367
150+
￥1.1647
500+
￥1.0748

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型号：TC7SU04F,LF 编号：C6944

封装：SOT-25-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7SUO4是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS反相器。它在保持C2MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL相近的高速运行。内部电路由单级反相器组成，可应用于晶体振荡

数据手册

5+
￥1.4688
50+
￥1.1386
150+
￥0.997
500+
￥0.648116 ￥0.8204
3000+
￥0.586022 ￥0.7418
6000+
￥0.548734 ￥0.6946

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型号：TC7WZ74FK,LXGJ(CT 编号：C22385173

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

带预置和清零功能的D型触发器。

5+
￥1.5086
50+
￥1.1709
150+
￥1.0262
500+
￥0.8456

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型号：2SC5712(TE12L,F) 编号：C5222993

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000（IC = 0.3A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE (sat) = 0.14V（最大值）。高速开关：tf = 120 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.5864
50+
￥1.2487
150+
￥1.104

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型号：2SK208-R(TE85L,F) 编号：C17471045

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。

5+
￥1.6667
50+
￥1.3024
150+
￥1.1463
500+
￥0.9515

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型号：TLP293(BLL-TPL,E 编号：C3008594

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥2.1113
50+
￥1.6577
150+
￥1.4633
500+
￥1.1539
2500+
￥1.0459
5000+
￥0.9811

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型号：1SS306TE85LF 编号：C441770

封装：SC-61B

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-61。低正向电压：VF(2) = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：tr = 30 ns（典型值）。小总电容：CT = 1.5 pF（典型值）

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5+
￥2.2533
50+
￥1.7555
150+
￥1.5422

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型号：TLP185(GB-TPR,SE 编号：C75766

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

与TLP185(GB-TPL,SE(T包装方式不一样，其他性能一致，详细区别请查阅链接：http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=4pin%20SO6&lang=zh_cn

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1+
￥2.36
10+
￥1.84
30+
￥1.61
100+
￥1.33

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型号：TK11S10N1L,LQ 编号：C5340739

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用：汽车。电机驱动器