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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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是小外形耦合器,适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
  • 5+

    ¥0.8955
  • 50+

    ¥0.7905
  • 150+

    ¥0.7455
  • 500+

    ¥0.6894
  • 3000+

    ¥0.5599
  • 有货
  • 特性:1.5V 驱动。 低导通电阻: -Q1 Nch: -Rₒₙ = 1.52Ω(最大值)(V_GS = 1.5V)。 -Rₒₙ = 1.14Ω(最大值)(V_GS = 1.8V)。应用:高速开关应用
    • 5+

      ¥0.9797
    • 50+

      ¥0.7682
    • 150+

      ¥0.6775
    • 500+

      ¥0.5644
    • 2500+

      ¥0.5141
    • 4000+

      ¥0.4839
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 100 至 320。 低饱和电压:VCE(sat) = -0.4V(最大值)(IC = -500 mA,IB = -20 mA)。 适用于小型电机驱动级。 与 2SC3265 互补。 小封装。应用:低频功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0177
    • 50+

      ¥0.7909
    • 150+

      ¥0.6937
    • 500+

      ¥0.5725
  • 有货
  • 适用于高速开关应用,小封装,低导通电阻。导通电阻最大值:Rₒₙ = 0.7Ω(VGS = 10V时);Rₒₙ = 1.2Ω(VGS = 4V时)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0778
    • 50+

      ¥0.851
    • 150+

      ¥0.7538
    • 500+

      ¥0.6326
  • 有货
  • 2-输入异或门
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0801
    • 50+

      ¥0.8584
    • 150+

      ¥0.7634
    • 500+

      ¥0.554528 ¥0.6448
    • 3000+

      ¥0.50912 ¥0.592
    • 6000+

      ¥0.481858 ¥0.5603
  • 有货
  • 特性:高速:td = 3.8ns(典型值),VCC = 5V,CL = 15pF。 低功耗:ICC = 2μA(最大值),Ta = 25℃。 高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28%VCC(最小值)。 5.5V 耐受输入。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 5.5V。 引脚分配和功能与 TC7W04 相同
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1333
    • 50+

      ¥0.8813
    • 150+

      ¥0.7733
    • 500+

      ¥0.6386
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Tₒₚᵣ = -40 至 125℃。 高速运行:tₚd = 5.0 ns(典型值)(VCC = 5.0V, CL = 15pF)。 低功耗:ICC = 2.0μA(最大值)(Ta = 25℃)。 与 TTL 输出兼容:VIL = 0.8V(最大值),VIH = 2.0V(最小值)。 5.5V 耐受输入。 平衡传播延迟:tPLH = tPHL
    数据手册
    • 5+

      ¥1.173942 ¥2.3958
    • 50+

      ¥0.74256 ¥1.904
    • 150+

      ¥0.491028 ¥1.6932
    • 500+

      ¥0.414758 ¥1.4302
    • 3000+

      ¥0.380799 ¥1.3131
    • 6000+

      ¥0.360441 ¥1.2429
  • 有货
  • 8 位移位寄存器(串行输入,并行输出)。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 8 位串行输入并行输出移位寄存器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持了 CMOS 的低功耗。由带时钟输入和优先清除输入的串行输入、并行输出 8 位移位寄存器组成。提供两个串行数据输入(A、B),以便其中一个可用作数据使能。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,可向输入引脚施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于连接 5 至 3V 系统和双电源系统,如备用电池。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏
    • 5+

      ¥1.2696
    • 50+

      ¥1.1022
    • 150+

      ¥1.0304
    • 500+

      ¥0.9409
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用 4 引脚 SO6L 封装,保证高隔离电压(5000 Vrms)。由于与标准 DIP 封装相比,具有体积小、薄的特点,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.282
    • 50+

      ¥1.019
    • 150+

      ¥0.9063
    • 500+

      ¥0.6549
    • 3000+

      ¥0.5923
    • 6000+

      ¥0.5547
  • 有货
  • 八通道模拟多路复用器/解复用器,低电压驱动,适用于3 V和5 V系统。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3237
    • 50+

      ¥1.0313
    • 150+

      ¥0.906
    • 500+

      ¥0.7496
  • 有货
  • 八进制 D 型触发器,带三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,可将 0 至 5.5V 电压施加到输入引脚。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及双电源系统(如备用电池)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3688
    • 50+

      ¥1.0638
    • 150+

      ¥0.933
    • 500+

      ¥0.7699
  • 有货
  • 特性:1.8V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 145 mΩ(典型值)(VGS = 8.0V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 155 mΩ(典型值)(VGS = 4.5V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 160 mΩ(典型值)(VGS = 3.6V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 180 mΩ(典型值)(VGS = 2.5V, ID = 0.5A)。RDS(ON) = 220 mΩ(典型值)(VGS = 1.8V, ID = 0.2A)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    • 5+

      ¥1.369
    • 50+

      ¥1.0666
    • 150+

      ¥0.937
    • 500+

      ¥0.7753
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 99.6 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V);RDS(ON) = 67.8 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V);RDS(ON) = 51.4 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V);RDS(ON) = 42.7 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥1.3884
    • 50+

      ¥1.0963
    • 150+

      ¥0.9712
    • 500+

      ¥0.815
  • 有货
  • 特性:1.5V驱动。 低导通电阻:RDS(on) = 66mΩ(最大值)(VGS = 1.5V)。RDS(on) = 43mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。RDS(on) = 32mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。RDS(on) = 28mΩ(最大值)(VGS = 4.0V)。应用:电源管理开关应用。 高速开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3996
    • 50+

      ¥1.2127
    • 150+

      ¥1.1326
    • 500+

      ¥1.0326
  • 有货
  • TC4069UB六反相器 TC4069UB包含六个反相器电路。由于内部电路由单级反相器组成,因此除用作反相器外,它还适用于CR振荡器电路、晶体振荡器电路和线性放大器等应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4387
    • 50+

      ¥1.1209
    • 150+

      ¥0.9847
    • 500+

      ¥0.8147
  • 有货
  • TAR5Sxx 系列由通用双极型单电源器件组成,这些器件包含一个控制引脚,可用于开启/关闭器件。器件的输出电路内置了过温保护和过流保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.592776 ¥2.1524
    • 50+

      ¥1.087232 ¥1.6988
    • 150+

      ¥0.812376 ¥1.5044
    • 500+

      ¥0.681426 ¥1.2619
    • 3000+

      ¥0.623106 ¥1.1539
    • 6000+

      ¥0.58806 ¥1.089
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.76
    • 10+

      ¥1.53
    • 30+

      ¥1.43
    • 100+

      ¥1.3
    • 500+

      ¥1.25
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • 特性:1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 84mΩ (最大值)(@VGS = 4.5V);RDS(ON) = 117mΩ (最大值)(@VGS = 2.5V);RDS(ON) = 180mΩ (最大值)(@VGS = 1.8V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    • 5+

      ¥1.764
    • 50+

      ¥1.3709
    • 150+

      ¥1.2024
    • 500+

      ¥0.9922
    • 3000+

      ¥0.8986
    • 6000+

      ¥0.8424
  • 有货
  • 是低输入和高隔离型光耦合器,由一个光电晶体管和一个红外 LED 光耦合在 SO4 封装中组成。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和宽工作温度 (-55 至 125℃),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.79
    • 10+

      ¥1.55
    • 30+

      ¥1.44
    • 100+

      ¥1.31
    • 500+

      ¥1.25
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS 4位二进制计数器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速操作,同时保持CMOS的低功耗特性。该器件在一个封装中包含两个独立的计数器电路,使用一个IC即可实现8位二进制的计数或分频。该器件在CK(overline)脉冲的负向转换时改变状态。无论其他输入如何,通过CLR输入的高电平可将计数器复位为“0”(QA至QD = “L”)。输入保护电路确保无论电源电压如何,都可向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及电池备用等双电源系统的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9561
    • 50+

      ¥1.5529
    • 150+

      ¥1.3801
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9595
    • 50+

      ¥1.5556
    • 150+

      ¥1.3825
    • 500+

      ¥0.4666 ¥1.1665
    • 3000+

      ¥0.42816 ¥1.0704
    • 6000+

      ¥0.40504 ¥1.0126
  • 有货
  • 是低输入和高隔离型光耦合器,由一个光电晶体管与一个红外发光二极管在SO4封装中光耦合而成。保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(-55至125℃),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9772
    • 50+

      ¥1.5731
    • 150+

      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.1839
    • 2500+

      ¥1.0877
  • 有货
  • 74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.0345 ¥3.13
    • 10+

      ¥1.3805 ¥2.51
    • 30+

      ¥1.008 ¥2.24
    • 100+

      ¥0.8595 ¥1.91
    • 500+

      ¥0.792 ¥1.76
    • 1000+

      ¥0.7515 ¥1.67
  • 有货
  • 东芝微型扁平耦合器TLP185是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP185由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP185比DIP封装更小,因此它适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.145 ¥3.3
    • 10+

      ¥1.6225 ¥2.95
    • 30+

      ¥1.2465 ¥2.77
    • 100+

      ¥1.17 ¥2.6
    • 500+

      ¥1.125 ¥2.5
    • 1000+

      ¥1.098 ¥2.44
  • 有货
  • 总线缓冲器,具有三态输出
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1712 ¥3.68
    • 10+

      ¥1.4357 ¥2.93
    • 30+

      ¥1.014 ¥2.6
    • 100+

      ¥0.858 ¥2.2
    • 500+

      ¥0.7878 ¥2.02
    • 1000+

      ¥0.7449 ¥1.91
  • 有货
  • TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器,由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装,具有高抗噪性和高隔离电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.7001 ¥8.71
    • 10+

      ¥1.6842 ¥8.02
    • 30+

      ¥0.8338 ¥7.58
    • 100+

      ¥0.7854 ¥7.14
    • 500+

      ¥0.7634 ¥6.94
    • 1000+

      ¥0.7546 ¥6.86
  • 有货
  • 特性:小而薄的封装。 高速开关。 小栅极电荷:QSW = 4.5 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IRSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥2.78
    • 10+

      ¥2.17
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.43
  • 有货
  • 由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    • 1+

      ¥2.88
    • 10+

      ¥2.24
    • 30+

      ¥1.97
    • 175+

      ¥1.63
    • 525+

      ¥1.48
    • 1050+

      ¥1.39
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.4 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 60V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥2.94
    • 10+

      ¥2.6
    • 50+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.25
    • 500+

      ¥2.15
    • 1000+

      ¥2.1
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.96
    • 10+

      ¥2.3
    • 30+

      ¥2.02
    • 100+

      ¥1.67
    • 500+

      ¥1.52
    • 1000+

      ¥1.42
  • 有货
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