东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：74VHCT125AFT 编号：C146429

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

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￥2.3162 ￥3.13
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￥1.8574 ￥2.51
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￥1.6576 ￥2.24
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￥1.4134 ￥1.91
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￥1.3024 ￥1.76
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￥1.2358 ￥1.67

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型号：TK13A65D(STA4,X,M) 编号：C471284

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥2.3598 ￥5.13
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￥1.6812 ￥4.67
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￥1.1466 ￥4.41
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￥1.0712 ￥4.12
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￥1.04 ￥4
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￥1.0244 ￥3.94

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型号：TLP184(V4BLTL,SE 编号：C25715919

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE是AC输入型光电耦合器，由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于TLP184(SE比DIP封装小，适用于混合IC等高密度表面贴装应用。

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￥2.68
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￥2.39
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￥2.25
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￥2.1
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￥2.02
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￥1.97

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型号：TC74VHC4051AF(EK,F 编号：C6916292

封装：SOP-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速、低电压驱动的8通道模拟多路复用器/解复用器，使用硅栅CMOS技术。

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￥2.78
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￥2.45
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￥2.29
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￥2.13
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￥2.03
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￥1.98

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型号：TLP291(Y-TP,SE 编号：C5156505

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装，是非常小且薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（-55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于如小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

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￥2.87
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￥2.29
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￥2.04
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￥1.73
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￥1.35
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￥1.27

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型号：TK58E06N1,S1X 编号：C7362295

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.4 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器

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￥2.94
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￥2.6
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￥2.42
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￥2.25
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￥2.15
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￥2.1

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型号：TC74HC08AF(EL,F) 编号：C5221834

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS 2输入与门，采用硅栅C²MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。内部电路由两级组成，包括缓冲输出，具有高抗噪性和稳定的输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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￥3.48
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￥2.84
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￥2.51
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￥2.19

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型号：TPH3R704PL,L1Q 编号：C141553

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 8.1 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 20.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.0 mΩ（典型值） (V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值） (V_DS = 40 V)。增强模式：V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥4.2
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￥3.36
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￥2.94
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￥2.52

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型号：TLP5754(D4-TP4,E 编号：C38846771

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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￥4.29
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￥3.79
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￥3.53
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￥3.28
500+
￥3.13

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型号：TK5A80E,S4X(S 编号：C5370564

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9Ω（典型值）。低泄漏电流：IRS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：Vth = 2.5至4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器

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￥4.3
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￥3.83
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￥3.6
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￥3.37
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￥3.23
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￥3.15

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型号：TC74AC541FT(EL) 编号：C7421335

封装：TSSOP20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器具有反相、三态输出和同相、三态输出两种类型。采用硅栅和双层金属布线C²MOS技术制造，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。反相类型和同相类型可供选择，当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态，所有输入均配备抗静电放电或瞬态过电压保护电路。

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￥4.43
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￥3.98
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￥3.76
100+
￥3.53

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型号：TK12A50D(STA4,X,M) 编号：C5154560

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.45Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用

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￥4.59
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￥3.6
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￥2.96
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￥2.47
500+
￥2.18
1000+
￥2.02

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型号：TPHR6503PL,L1Q(M 编号：C396032

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 30 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 81.3 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.41 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥4.65
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￥4.53
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￥4.46
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￥4.38

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型号：TLP104(TPL,E 编号：C48236

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，保证了传播延迟时间、开关速度分散性的最小和最大值以及高共模瞬态抗扰度，适用于电机控制应用中IPM（智能功率模块）之间的隔离接口。

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1+
￥4.69
10+
￥3.83
30+
￥3.4

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型号：TLP5752(TP,E 编号：C2840186

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5752由一个红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5752尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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1+
￥4.78
10+
￥3.82
30+
￥3.34
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￥2.86
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￥2.57

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型号：TLP2345(V4-TPL,E 编号：C38084587

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流和 1.6mA 低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微电脑直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±30kV/μs，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

1+
￥4.94
10+
￥3.95
30+
￥3.45
100+
￥2.96
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￥2.66
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￥2.51

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型号：TC74HC165AF(EL,F) 编号：C7121109

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS 8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器，采用硅栅C²MOS技术制造。它能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。由带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时，串行数据输入启用，8个触发器随每个时钟脉冲进行串行移位。当SHIFT/LOAD输入为低电平时，并行数据在时钟脉冲的正跳变沿异步加载到寄存器中。CK-INH输入仅在CK输入为高电平时应置为高电平。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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￥5.17
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￥4.64
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￥4.36
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￥4.03
500+
￥3.89

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型号：TLP5754HB(4CNT4E 编号：C49325806

封装：SO6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥5.74
10+
￥4.59
30+
￥4.02
100+
￥3.45
500+
￥3.11
1500+
￥2.93

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型号：TK15J50D(F) 编号：C5361057

封装：SC-65

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.33Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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￥6.47
10+
￥5.81
30+
￥5.45
100+
￥5.03
500+
￥4.85

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型号：TLP293-4(V4-GB,E 编号：C94261

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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