东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP291(V4GRTP,SE 编号：C3008599

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

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5+
￥1.520198 ￥1.8539
50+
￥1.060128 ￥1.4724
150+
￥0.811518 ￥1.3089
500+
￥0.685038 ￥1.1049
2500+
￥0.628742 ￥1.0141
5000+
￥0.594952 ￥0.9596

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型号：2SC2881-Y(TE12L,ZC 编号：C6077880

封装：TO-243AA

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压：VCEO = 120V。高过渡频率：fr = 120MHz（典型值）。小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W（安装在陶瓷基板上）。与2SA1201互补。应用：电压放大器应用。功率放大器应用

5+
￥1.5426
50+
￥1.2402
150+
￥1.1106
1000+
￥0.9489

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型号：74VHC4066AFT 编号：C2673192

封装：TSSOPB-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC4066AFT是一款高速、低电压驱动的四通道双边开关，采用C2MOS技术。适用于3V和5V系统，具有高操作速度和低功耗的特点。

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5+
￥1.5716
50+
￥1.2182
150+
￥1.0668
500+
￥0.8779

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型号：74VHC540FT 编号：C2675516

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器，反相、三态输出。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压，该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如电池备用）的接口，此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

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5+
￥1.6392
50+
￥1.3116
150+
￥1.1712
500+
￥0.957

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型号：TC75S51FUTE85LF 编号：C2058714

封装：SSOP-5-1.25mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款CMOS单运算放大器，内置相位补偿电路。采用低电压和低电流电源设计，与通用双极运算放大器不同。

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5+
￥1.7434
50+
￥1.3906
150+
￥1.2394
500+
￥1.0508

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型号：TLP183(BLL-TPL,E 编号：C5346749

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入型光电晶体管耦合器，由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成，采用 SO6 封装。保证高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（-55℃至 125℃），比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥1.8566
50+
￥1.4534
150+
￥1.2806
500+
￥1.0649
3000+
￥0.9689

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型号：74HC594D(BJ) 编号：C7421254

封装：SOIC16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8位带输出寄存器的移位寄存器。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位带输出寄存器的移位寄存器，能实现类似于等效LSTTL的高速操作，同时保持CMOS的低功耗。包含一个8位静态移位寄存器，该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成。输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号相互独立，因此在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且在移位寄存器和存储寄存器上都提供了直接覆盖清除（SCLR和RCLR）功能。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.9975
50+
￥1.5464
150+
￥1.3531
500+
￥1.1119

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型号：74VHC4040FT 编号：C2649406

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款先进的高速CMOS 12级二进制计数器/分频器，采用硅栅C2MOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。将CLR置为高电平可将计数器复位为低电平。CK输入的负跳变会使计数器加1。该计数器提供所有分频输出级，在Q12端将输出1/4096分频的频率。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0至5.5V的电压。此器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。

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5+
￥2.0534
50+
￥1.5998
150+
￥1.4054
500+
￥1.1629

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型号：TA78L05F(TE12L.F) 编号：C2762680

封装：HSOP-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：最适合用于 TTL/CMOS 电源。无需外部零件。内置过热保护。内置过流保护。最大输出电流为 150 mA（结温 = 25℃）。采用 PW-mini（SOT-89）封装

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1+
￥2.0625 ￥3.75
10+
￥1.3725 ￥3.05
30+
￥0.9415 ￥2.69
100+
￥0.8225 ￥2.35
500+
￥0.749 ￥2.14
1000+
￥0.7105 ￥2.03

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型号：TLP291(TP,SE 编号：C5381898

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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5+
￥2.1024
50+
￥1.6488
150+
￥1.4543
500+
￥1.1809

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型号：TLP185(GB-TPR,SE 编号：C75766

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

与TLP185(GB-TPL,SE(T包装方式不一样，其他性能一致，详细区别请查阅链接：http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=4pin%20SO6&lang=zh_cn

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5+
￥2.1972
50+
￥1.716
150+
￥1.5098
500+
￥1.2525

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型号：TC74HC132AF(EL,F) 编号：C6342365

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款高速CMOS 2输入与非施密特触发器门电路，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC74HC00A相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，其施密特触发输入可作为慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

1+
￥2.54
10+
￥2.01
30+
￥1.78
100+
￥1.32 ￥1.5
500+
￥1.2056 ￥1.37
1000+
￥1.1352 ￥1.29

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型号：74HC574D(BJ,K) 编号：C435813

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC574D是一款高速CMOS八进制触发器，采用硅栅C2MOS技术制造，具备三态输出。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。这些8位D型触发器由时钟输入（CK）和输出使能输入（OE(上划线)）控制

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1+
￥2.57
10+
￥2.04
30+
￥1.82
100+
￥1.53
500+
￥1.41

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型号：TK11S10N1L,LQ 编号：C5360501

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用：汽车。电机驱动器

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1+
￥2.74
10+
￥2.45
30+
￥2.31
100+
￥1.6926 ￥2.17
500+
￥1.6224 ￥2.08
1000+
￥1.5912 ￥2.04

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型号：TC74HC595AF(EL,F) 编号：C146328

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC595A是一款采用硅栅极C²MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器。它能实现与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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1+
￥2.7403 ￥4.09
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￥2.0862 ￥3.66
30+
￥1.6215 ￥3.45
100+
￥1.5181 ￥3.23
500+
￥1.457 ￥3.1
1000+
￥1.4288 ￥3.04

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型号：74VHC9541FT 编号：C2675622

封装：TSSOP-20-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC9541FT是一款采用硅栅CMOS技术制造的超高速八进制施密特缓冲器。74VHC9541FT将CMOS的低功耗特性与肖特基TTL的速度相结合。

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1+
￥2.92
10+
￥2.27
30+
￥1.99
100+
￥1.63
500+
￥1.48

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型号：TLP383(D4BLLTL,E 编号：C3002263

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入、高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压 (5000 Vrms) 和宽工作温度 (-55 至 125℃)。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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1+
￥2.99
10+
￥2.33
30+
￥2.05
100+
￥1.7
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

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型号：TLP388(GB-TPL,E 编号：C17642524

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP388由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP388采用薄型SO6L（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 125 °C）。集电极 - 发射极间的击穿电压（VCEO）高达350 V，TLP388适用于可编程逻辑控制器（PLC）和家用电器，包括空调

1+
￥3.05
10+
￥2.69
30+
￥2.51
100+
￥2.33
500+
￥2.22
1000+
￥2.16

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型号：TLP268J(TPL,E 编号：C71643

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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1+
￥3.7696 ￥5.89
10+
￥2.5866 ￥4.79
30+
￥1.8656 ￥4.24
100+
￥1.628 ￥3.7
500+
￥1.4828 ￥3.37
1000+
￥1.408 ￥3.2

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型号：TK380P60Y,RQ 编号：C150118

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,600V,9.7A,0.38Ω@10V

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1+
￥4.0158 ￥8.73
10+
￥2.898 ￥8.05
30+
￥1.9812 ￥7.62
100+
￥1.8668 ￥7.18
500+
￥1.8148 ￥6.98
1000+
￥1.794 ￥6.9

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型号：TLP5751(D4-TP4,E 编号：C3032936

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出，可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。

数据手册

1+
￥4.25
10+
￥3.43
30+
￥3.02
100+
￥2.61
500+
￥2.37

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型号：TK5A80E,S4X(S 编号：C5370564

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9Ω（典型值）。低泄漏电流：IRS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：Vth = 2.5至4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器

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1+
￥4.3
10+
￥3.83
50+
￥3.6
100+
￥3.37
500+
￥3.23
1000+
￥3.15

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型号：TLP2768A(D4-TP,E 编号：C5370532

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。采用2.3mm（最大）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

数据手册

1+
￥4.67
10+
￥3.77
30+
￥3.31
100+
￥2.86
500+
￥2.59

有货

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型号：TBD62003AFG(Z,EL) 编号：C163227

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，本芯片用场效应管作输出管，相比传统的ULN2003（三极管做输出管）管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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1+
￥5.35
10+
￥4.26
30+
￥3.71
100+
￥3.17
500+
￥2.85
1000+
￥2.68

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型号：TLP2719(D4-TP4,E 编号：C7124355

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6L 封装。该产品可安装在与东芝 SDIP6 封装相同的焊盘图案上。此外，SO6L 封装的最大高度为 2.3mm，比传统 SDIP6 封装薄约 45%。其低矮的封装有助于减小系统尺寸，并且可以放置在对高度有限制的位置，如电路板背面。此外，由于该产品保证了 5kVrms（最小值）的高隔离电压，因此符合国际安全标准的加强绝缘等级。

1+
￥5.35
10+
￥4.27
30+
￥3.73
100+
￥3.19
500+
￥2.87
1500+
￥2.7

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型号：TLP183(GRL-TPL,E 编号：C192587

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

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1+
￥5.39
10+
￥4.39
30+
￥3.88
100+
￥3.38
500+
￥3.09
1000+
￥2.93

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型号：TLP719F(D4-TP,F) 编号：C2987248

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719F由GaAAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该器件为6引脚SDIP。TLP719F比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。因此，在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。TLP719F在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽，以提供有效的共模噪声瞬态抗扰度。因此，该产品适用于嘈杂的环境条件。

数据手册

1+
￥5.57
10+
￥5.04
30+
￥4.75
100+
￥4.42
500+
￥3.79
1000+
￥3.72

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型号：TLP2362(TPR,E 编号：C5156050

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达 125℃ 的温度和 2.7-5.5V 的电源下工作。采用 SO6 封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。

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1+
￥5.69
10+
￥4.55
30+
￥3.98

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型号：TC74AC541FT(EL) 编号：C7421335

封装：TSSOP20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器具有反相、三态输出和同相、三态输出两种类型。采用硅栅和双层金属布线C²MOS技术制造，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。反相类型和同相类型可供选择，当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态，所有输入均配备抗静电放电或瞬态过电压保护电路。

1+
￥5.97
10+
￥4.89
30+
￥4.35
100+
￥3.82

有货

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C396037

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5772由一个镓铝砷（GaAℓAs）红外发光二极管以及一个集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5772的尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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1+
￥6.14
10+
￥4.98
30+
￥4.39
100+
￥3.81
500+
￥3.05
1500+
￥2.87

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