东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SSM

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)；RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)；RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

数据手册

10+
￥0.474
100+
￥0.3782
300+
￥0.3302
3000+
￥0.2668

有货

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型号：SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 编号：C396061

封装：VESM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻：Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS = 2.5V)。Rₒₙ = 0.66Ω (最大值) (VGS = 4.5V)。Rₒₙ = 0.63Ω (最大值) (VGS = 5.0V)

数据手册

10+
￥0.4799
100+
￥0.3839
300+
￥0.3359
1000+
￥0.2999
5000+
￥0.2711

有货

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型号：1SS381(TPH3,F) 编号：C7419174

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。小总电容：CT = 1.2 pF（最大值）。低串联电阻：rs = 0.6 Ω（典型值）。应用：VHF调谐器频段切换应用

10+
￥0.4799
100+
￥0.3839
300+
￥0.3359
1000+
￥0.2999

有货

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型号：TC7SZ125FE,LJ(CT 编号：C2676800

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

数据手册

5+
￥0.539
50+
￥0.469
150+
￥0.434
500+
￥0.4078
2500+
￥0.3868

有货

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型号：7UL1G32FU,LF 编号：C6708694

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。高输出电流：在 VCC = 3.0V 时为 ±8.0mA（最小值）。超高速运行：在 VCC = 3.3V、CL = 15pF 时，tpd = 2.5ns（典型值）。工作电压范围：VCC = 0.9 至 3.6V。 3.6V 耐受输入。 3.6V 掉电保护输出

5+
￥0.6558
50+
￥0.5676
150+
￥0.5298
500+
￥0.4827

有货

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型号：TC7SZ17FE,LJ(CT 编号：C2676042

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

施密特缓冲器

数据手册

5+
￥0.6632
50+
￥0.568
150+
￥0.5272
500+
￥0.4763
2500+
￥0.4536

有货

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型号：TC7SZ126FE,LJ(CT 编号：C2675580

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

带三态输出的总线缓冲器。

数据手册

5+
￥0.6794
50+
￥0.5354
150+
￥0.4634
500+
￥0.4094
2500+
￥0.3662

有货

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型号：TC7S14FU(TE85L,F) 编号：C7421339

封装：SOT353

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S14是采用硅栅C²MOS技术制造的高速C²MOS施密特反相器。它在保持C²MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。

5+
￥0.6849
50+
￥0.5505
150+
￥0.4833
500+
￥0.4329

有货

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型号：TC7SZ04FU,LXGJ(CT 编号：C7421344

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

反相器

5+
￥0.7313
50+
￥0.5729
150+
￥0.4937
500+
￥0.4343

有货

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型号：CRG09A,LQ(M 编号：C2847417

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：重复峰值反向电压：VRRM = 400 V。平均正向电流：IFUM = 1.0 A。峰值正向电压：VFM = 1.1 V (max) @ IFM = 0.7 A (脉冲测量)。高ESD保护。使用小型薄型表面贴装封装，是高密度安装的最佳方式，昵称：S-FLATTM。应用：通用整流器

数据手册

5+
￥0.858461 ￥1.2091
50+
￥0.586942 ￥0.9622
150+
￥0.436713 ￥0.8563
500+
￥0.369393 ￥0.7243
3000+
￥0.339405 ￥0.6655
6000+
￥0.321402 ￥0.6302

有货

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型号：SSM6L09FU(TE85L,F) 编号：C7421332

封装：SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低导通电阻：Q1：RMS(ON) = 0.7Ω (max)(@VGS = 10V)；Q2：RMS(ON) = 2.7Ω (max)(@VGS =-10V)

5+
￥0.8883
50+
￥0.7681
150+
￥0.7166
500+
￥0.6524

有货

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型号：74VHCT32AFT(BJ) 编号：C7421310

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四2输入或门 74VHCT32AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或门。

5+
￥0.9554
50+
￥0.8294
150+
￥0.7754
500+
￥0.708

有货

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型号：TC7SZ125F,LJ(CT 编号：C2675515

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

数据手册

5+
￥0.9583
50+
￥0.7466
150+
￥0.6559
500+
￥0.5427

有货

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型号：2SC5692(TE85L,F) 编号：C194834

封装：2-3S1C

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hPE = 400 至 1000（IC = 0.3 A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.14 V（最大值）。高速开关：tf = 120 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.0267
50+
￥0.8896
150+
￥0.8308
500+
￥0.7575

有货

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型号：CRF03(TE85L,Q,M) 编号：C261921

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：重复峰值反向电压：VRRM = 600 V。平均正向电流：IF(AV) = 0.7 A。浪涌正向电压：VFM = 2.0 V（最大）。反向恢复时间短：trr = 100 ns（最大）。小型外壳，适合高密度安装

数据手册

5+
￥1.0452
50+
￥0.8183
150+
￥0.7211
500+
￥0.5998

有货

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型号：TC7S66F,LF 编号：C22764371

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS双边开关，采用硅栅C²MOS技术制造。它由一个高速开关组成，能够控制数字或模拟信号，同时保持C²MOS低功耗。提供控制输入（C）来控制开关。当C输入为高电平时，开关导通；当C输入为低电平时，开关关断。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.0792
50+
￥0.8524
150+
￥0.7552
500+
￥0.6339

有货

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型号：TLP185(BLL-TL,SE 编号：C2840185

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

5+
￥1.0921
50+
￥0.8652
150+
￥0.7679
500+
￥0.5773
3000+
￥0.5232
6000+
￥0.4908

有货

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型号：TLP383(GR-TPL,E 编号：C150115

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由光电晶体管与InGaAs红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125℃）。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

5+
￥1.2775
50+
￥0.9953
150+
￥0.8743
500+
￥0.7234
3000+
￥0.6563

有货

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型号：74VHC04FT 编号：C3272899

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC04FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS反相器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。内部电路由包括缓冲输出在内的三级电路组成，具有高抗噪能力和稳定的输出

5+
￥1.345
50+
￥1.0426
150+
￥0.913
500+
￥0.7513

有货

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型号：74VHCT04AFT 编号：C5381636

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

六反相器74VHCT04AFT 是一种采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速操作。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3 V 到 5 V 系统之间的电平转换器。输入保护和输出电路确保可以在输入和输出（注释）引脚上施加 0 至 5.5 V 的电压，而不考虑电源电压。这种结构可以防止由于电源和输入/输出电压不匹配（例如电池备份、热插拔等）导致的器件损坏。注：VCC=0 V

数据手册

5+
￥1.4022
50+
￥1.0897
150+
￥0.9558
500+
￥0.7887
2500+
￥0.7143
5000+
￥0.6696

有货

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型号：CRS20I30B,LXGQ 编号：C22391508

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：峰值正向电压：VFM = 0.45V （最大值）@IFM = 2 A。平均正向电流：IF(AV) = 2 A。重复峰值反向电压：VRRM = 30V。小而薄的封装，适用于高密度电路板组装东芝昵称：S-FLAT。应用：开关稳压器中的二次整流。移动设备中的反向电流保护

5+
￥1.4151
50+
￥1.2261
150+
￥1.1451
500+
￥1.044
3000+
￥0.999
6000+
￥0.972

有货

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型号：74VHCT541AFT(BE) 编号：C146296

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74VHCT540AFT：反相三态输出 74VHCT541AFT：同相三态输出 74VHCT540AFT 和 74VHCT541AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。它们在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行。

数据手册

1+
￥1.736 ￥2.48
10+
￥1.308 ￥2.18
30+
￥1.03 ￥2.06
100+
￥0.95 ￥1.9
500+
￥0.915 ￥1.83
1000+
￥0.895 ￥1.79

有货

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型号：CRY62(TE85L,Q,M) 编号：C6538273

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

是浪涌吸收器，平均功率耗散 P = 0.7W，齐纳电压 VZ = 6.2 至 39V，由于采用小型表面贴装封装“S-FLAT”，适合紧凑组装。

5+
￥1.9383
50+
￥1.5387
150+
￥1.3675
500+
￥1.1539
3000+
￥1.0587

有货

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型号：TLP185(GRL-TL,SE 编号：C2848499

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

5+
￥1.9623
50+
￥1.5439
150+
￥1.3647
500+
￥1.0912
3000+
￥0.9916

有货

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型号：74VHC240FT 编号：C2675657

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74VHC240FT：反相三态输出 74VHC244FT：同相三态输出 74VHC240FT 和 74VHC244FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。

数据手册

1+
￥2.16
10+
￥1.88
30+
￥1.76
100+
￥1.52
500+
￥1.46
1000+
￥1.41

有货

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型号：74VHC4053AFT 编号：C2673469

封装：TSSOP-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC4053AFT 是一个高速、低电压驱动的模拟多路复用器/解复用器，使用硅栅CMOS技术。在3V和5V系统中可以实现高速操作并具有低功耗特性。

数据手册

5+
￥2.2011
50+
￥1.7437
150+
￥1.5477
500+
￥1.3032
2500+
￥1.1943

有货

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型号：TLP185(TPR,SE 编号：C26805120

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。

5+
￥2.29
50+
￥1.79
150+
￥1.57
500+
￥1.3
3000+
￥1.18

有货

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型号：TC74HC74AF(EL,F) 编号：C6342366

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC74A是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速CMOS D触发器。它在保持CMOS低功耗特性的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。在时钟脉冲的上升沿期间，施加到D输入端的信号电平会传输到Q输出端

1+
￥2.37
10+
￥2.1
30+
￥1.98
100+
￥1.84
500+
￥1.77
1000+
￥1.73

有货

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型号：TPH6R003NL,LQ(S 编号：C5280494

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 4.3nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 6.8mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)。低泄漏电流：ISS = 10μA（最大值）(VDS = 30V)。增强模式：Vtot = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用：开关稳压器。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥2.43
10+
￥2.14
30+
￥2.02
100+
￥1.87
500+
￥1.8
1000+
￥1.76

有货

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型号：TC74HCT04AF(EL,F) 编号：C5340738

封装：SOP-14-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥2.53
10+
￥2.23
30+
￥2.1
100+
￥1.4744 ￥1.94
500+
￥1.4212 ￥1.87
1000+
￥1.3832 ￥1.82

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