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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

CMOS 数字集成电路硅单片

型号：TC358870XBG(NOK) 编号：C3008712

封装：VFBGA-80(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

Ultra HD to DSI桥接器将高分辨率(高于4 Gbps)HDMI流转换为MIPI DSI Tx视频。它是TC358779XBG的后续产品,没有缩放功能。HDMI-RX以297 MHz运行,可承载高达7.2 Gbps的视频流。它需要双链路MIPI DSI Tx(1 Gbps/数据通道)来传输最大7.2 Gbps的视频数据。该桥接芯片是当前和下一代应用处理器通过其HDMI Tx输出端口驱动(双)DSI链路显示器所必需的。

数据手册

1+
￥54.89
10+
￥47.27
30+
￥42.63

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：TMBT3904,LM 编号：C145154

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

音频通用放大器应用高压大电流：VCEO = 50 V，IC = 150 mA（最大值）与TMBT3906互补

数据手册

20+
￥0.1278
200+
￥0.098
600+
￥0.0815
3000+
￥0.0716

有货

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ESD 19V截止

型号：DF2S24FS,L3M 编号：C1974735

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

10+
￥0.1711
100+
￥0.1491
300+
￥0.1381
1000+
￥0.1298
5000+
￥0.1232

有货

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80V 100mA

型号：1SS181,LF 编号：C2762666

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装：SC-59。低正向电压：VF(3) = 0.92V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 2.2pF（典型值）

数据手册

20+
￥0.2089
200+
￥0.1603
600+
￥0.1333
3000+
￥0.1171
9000+
￥0.103
21000+
￥0.0955

有货

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电压:40V 电流:100mA

型号：CES388,L3F 编号：C5345086

封装：SC-79

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。低反向电流：IF(1) = 1μA（最大值）。小型紧凑的ES0封装，相当于SOD-523和SC-79封装。应用：高速开关

数据手册

20+
￥0.2311
200+
￥0.1831
600+
￥0.1591
2000+
￥0.1411

有货

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85V 100mA

型号：1SS301,LF 编号：C603065

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 Qualified。小封装：SC-70。低正向电压：VF = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：tr = 1.6 ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9 pF（典型值）

数据手册

10+
￥0.2458
100+
￥0.1954
300+
￥0.1702
3000+
￥0.1513

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:400mA

型号：SSM3K7002KFU,LF 编号：C6685663

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05 Ω (典型值) (@VGS = 10 V)。RDS(ON) = 1.15 Ω (典型值) (@VGS = 5.0 V)。RDS(ON) = 1.2 Ω (典型值) (@VGS = 4.5 V)。应用：高速开关

10+
￥0.3405
100+
￥0.2678
300+
￥0.2315
3000+
￥0.2042

有货

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CMOS数字集成电路，三态输出总线缓冲器

型号：TC7SZ125FU,LJ(CT 编号：C128636

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

数据手册

10+
￥0.359
100+
￥0.2813
300+
￥0.2424

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:800mA

型号：SSM3J56MFV,L3F 编号：C5274157

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。重量：1.5mg（典型值）

数据手册

10+
￥0.3663
100+
￥0.289
300+
￥0.2504
1000+
￥0.2214

有货

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ESD 5V截止

型号：DF3A6.8LFV,L3F 编号：C1974393

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电（ESD）防护。在超紧凑型封装中安装两个器件可减少零件数量并降低安装成本。

数据手册

10+
￥0.3779
100+
￥0.2952
300+
￥0.2539
1000+
￥0.2229
5000+
￥0.1982
8000+
￥0.1858

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.4A

型号：SSM3J56ACT,L3F 编号：C146297

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(@VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(@VGS = -1.2V)。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.44308 ￥0.836
50+
￥0.317039 ￥0.7373
150+
￥0.22935 ￥0.695
500+
￥0.211926 ￥0.6422
2500+
￥0.204171 ￥0.6187
5000+
￥0.199518 ￥0.6046

有货

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1个N沟道耐压:20V

型号：SSM3K35MFV,L3F 编号：C7421331

封装：VESM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动低导通电阻：Ron = 20Ω（最大值）(VGS = 1.2V)；Ron = 8Ω（最大值）(VGS = 1.5V)；Ron = 4Ω（最大值）(VGS = 2.5V)；Ron = 3Ω（最大值）(VGS = 4.0V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

10+
￥0.4616
100+
￥0.3656
300+
￥0.3176
1000+
￥0.2816

有货

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二输入或门

型号：TC7SH32FU,LJ(CT 编号：C4153822

封装：SOT-353-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速运行：在VCC = 5V、15pF时，tpd = 3.8ns（典型值）。低功耗：在Td = 25℃时，UCC = 2μA（最大值）。高抗噪性：VNI = VNL = 28%VCC（最小值）。 5.5V耐受输入。宽工作电压范围：VCC = 2至5.5V

10+
￥0.4658
100+
￥0.3397
300+
￥0.2856
1000+
￥0.2182

有货

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单路施密特触发反相器

型号：TC7S14FU,LF 编号：C7032

封装：SOT-353-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S14是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C²MOS施密特反相器。它在保持C²MOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC7SU04F相同，但输入具有25% Vcc的滞后特性

数据手册

5+
￥0.5064
50+
￥0.4003
150+
￥0.3472
500+
￥0.3074

有货

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CMOS数字集成电路施密特缓冲器

型号：TC7SH17FU,LXGJ(CT 编号：C7421342

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

施密特缓冲器

5+
￥0.5382
50+
￥0.4326
150+
￥0.3798
500+
￥0.3402

有货

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双施密特缓冲器

型号：TC7PZ17FU,LJ(CT 编号：C146298

封装：SOT-23-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高输出电流：±24mA (min) at VCC = 3V。超高速运行：Ind = 3.7ns (typ.) at VCC = 5V, 50pF。工作电压范围：VCC = 1.65 to 5.5V。 5.5V 耐受输入。 5.5V 掉电保护输出

数据手册

5+
￥0.5576
50+
￥0.4376
150+
￥0.3776
500+
￥0.3326

有货

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CMOS数字集成电路

型号：TC7SET17FU,LJ(CT 编号：C2652145

封装：SOT-353-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

施密特缓冲器

数据手册

5+
￥0.6127
50+
￥0.4879
150+
￥0.4255
500+
￥0.3787
2500+
￥0.3413

有货

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二输入或门

型号：TC7SET32FU,LJ(CT 编号：C7360615

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

2输入或门

5+
￥0.6619
50+
￥0.5179
150+
￥0.4459
500+
￥0.3919

有货

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电压:15V 电流:100mA

型号：1SS377(TE85L,F) 编号：C192170

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

共阴

数据手册

5+
￥0.685854 ￥0.8793
50+
￥0.478448 ￥0.7036
150+
￥0.357106 ￥0.6157
500+
￥0.318884 ￥0.5498
3000+
￥0.288318 ￥0.4971
6000+
￥0.273064 ￥0.4708

有货

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二输入或非门

型号：TC7S02F,LF 编号：C7121121

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：在VCC = 5V时，tpd = 7ns（典型值）。低功耗：在Ta = 25℃时，ICC = 1μA（最大值）。高抗噪性：VNI H = VNI L = 28%VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IOH| = |IOL| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH ≡ tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2至6V

5+
￥0.7437
50+
￥0.645
150+
￥0.6027
500+
￥0.5499

有货

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通用整流器

型号：1SS379(TE85L,F) 编号：C2929209

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：符合AEC-Q101标准。小封装：SC-59。低正向电压：ΔVE = 1.0V（典型值）。低反向电流：IR = 0.1nA（典型值）。小总电容：CT = 3.0 pF（典型值）

数据手册

5+
￥0.8453
50+
￥0.6773
150+
￥0.5933
500+
￥0.5303

有货

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2输入与非门

型号：TC7S00F,LF 编号：C6880159

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速。低功耗。高抗噪性。输出驱动能力。对称输出阻抗：|IOH| = |IO| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH ≡ tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2 至 6V

5+
￥0.8978
50+
￥0.6962
150+
￥0.6098
500+
￥0.502

有货

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高速双边开关

型号：TC7S66FU(TE85L,F) 编号：C7421340

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS双边开关，采用硅栅C²MOS技术制造。它由一个高速开关组成，能够控制数字或模拟信号，同时保持C²MOS低功耗。提供控制输入（C）来控制开关。当C输入为高电平时，开关导通；当C输入为低电平时，开关关断。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥0.9047
50+
￥0.7031
150+
￥0.6167
500+
￥0.5089

有货

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电压:80V 电流:100mA

型号：1SS382(TE85L,F) 编号：C2880438

封装：SC-82

品牌：TOSHIBA(东芝)

由2个独立二极管组成的小封装。低正向电压VF(3) = 0.92V（典型值），快速反向恢复时间：trf = 1.6ns（典型值）

5+
￥0.9127
50+
￥0.7111
150+
￥0.6247
500+
￥0.5169

有货

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ESD 24V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：DF3D29FU,LXGF 编号：C7421318

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购零件编号列表）。应用：ESD保护

5+
￥0.9494
50+
￥0.8234
150+
￥0.7694
500+
￥0.702

有货

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电压:40V 电流:2A

型号：CRS20I40B(TE85L.QM) 编号：C2762695

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：峰值正向电压：V_RRM = 0.52V (最大值) @ I_RRM = 2.0A。平均正向电流：I_F(AV) = 2.0A。重复峰值反向电压：V_RRM = 40V。使用小型、薄型表面贴装封装，是高密度安装的最佳方式。昵称：S-FLATTM。应用：开关稳压器中的二次整流。移动设备中的反向电流保护

数据手册

5+
￥0.9781
50+
￥0.7765
150+
￥0.6901
500+
￥0.5823

有货

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电压:30V 电流:2A

型号：CUHS20S30,H3F 编号：C5636538

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：高速开关

5+
￥1.1515
50+
￥0.8963
150+
￥0.7869
500+
￥0.6505

有货

立即购买

CMOS数字集成电路六施密特反相器

型号：74HC14D(BJ) 编号：C7421252

封装：SOIC-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS施密特反相器。它实现了与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗。引脚配置和功能与74HC04D相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，凭借其施密特触发器功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.1868
50+
￥1.0293
150+
￥0.9618
500+
￥0.8775

有货

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600V 1A

型号：CRG04(TE85L,Q,M) 编号：C7421315

封装：SOD-123F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：重复峰值反向电压：VRRM = 600 V。平均正向电流：IF(AV) = 1.0 A。峰值正向电压：VFM = 1.1 V(max)。使用小型、薄型表面贴装封装，是高密度安装的最佳方式

5+
￥1.2224
50+
￥0.9705
150+
￥0.8625
500+
￥0.7277

有货

立即购买

低电压/低电容双总线开关

型号：TC7WBL3306CFK(5L,F 编号：C1522753

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压/低电容CMOS双位总线开关。具有低导通电阻和快速响应时间。

数据手册

5+
￥1.251448 ￥1.4221
50+
￥0.975936 ￥1.2512
150+
￥0.800972 ￥1.1779
500+
￥0.73882 ￥1.0865
3000+
￥0.711144 ￥1.0458
6000+
￥0.694552 ￥1.0214

有货

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