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价格(含税)

库存

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高速C2MOS施密特触发器

型号：TC7W14FU,LF 编号：C5956630

封装：MSOP-8-2.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS施密特触发器，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为接收慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.5871
50+
￥1.2343
150+
￥1.0831
500+
￥0.8945

有货

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TLP183(GRH-TPL,E(T

型号：TLP183(GRH-TPL,E 编号：C5370533

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥1.66
10+
￥1.43
30+
￥1.34
100+
￥1.22
500+
￥1.17
1000+
￥1.14

有货

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NPN 电流:100mA 电压:120V

型号：HN4C51J(TE85L,F) 编号：C17394838

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频频率通用放大器应用。具有高电压（VCEO = 120V）、高hFE（hFE = 200至700）、出色的hFE线性度（hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95（典型值））、低噪声（NF = 1dB（典型值））的特点。

5+
￥1.6861
50+
￥1.312
150+
￥1.1517
500+
￥0.9516
3000+
￥0.8625

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:3.5A

型号：SSM3K361R.LF 编号：C2762698

封装：SOT-23-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175°C MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65 mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51 mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥1.7346 ￥2.94
10+
￥1.1466 ￥2.34
30+
￥0.8151 ￥2.09
100+
￥0.6864 ￥1.76
500+
￥0.6318 ￥1.62
1000+
￥0.6006 ￥1.54

有货

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210MHz 12位二进制计数器

型号：74VHC4040FT 编号：C2649406

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款先进的高速CMOS 12级二进制计数器/分频器，采用硅栅C2MOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。将CLR置为高电平可将计数器复位为低电平。CK输入的负跳变会使计数器加1。该计数器提供所有分频输出级，在Q12端将输出1/4096分频的频率。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0至5.5V的电压。此器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。

数据手册

5+
￥2.0234
50+
￥1.5698
150+
￥1.3754
500+
￥1.1329

有货

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八进制通用施密特缓冲器，带三态输出

型号：74VHC9541FT 编号：C2675622

封装：TSSOP-20-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC9541FT是一款采用硅栅CMOS技术制造的超高速八进制施密特缓冲器。74VHC9541FT将CMOS的低功耗特性与肖特基TTL的速度相结合。

数据手册

1+
￥2.03
10+
￥1.75
30+
￥1.64
100+
￥1.49
500+
￥1.42

有货

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用于高速开关和DC/DC转换器应用的硅NPN外延型晶体管

型号：2SC5886A(T6L1.NQ) 编号：C2762776

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000 (IC = 0.5A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.22V (最大值)。高速开关：tr = 95 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC/DC 转换器应用

数据手册

5+
￥2.0538
50+
￥1.6001
150+
￥1.4056
500+
￥1.1631

有货

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74VHC4052AFT 双四通道模拟多路复用器/解复用器

型号：74VHC4052AFT 编号：C146311

封装：TSSOP-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

双四通道模拟多路复用器/解复用器，低电压驱动，适用于3 V和5 V系统。

数据手册

5+
￥2.1093
50+
￥1.6809
150+
￥1.4973
500+
￥1.2683
2500+
￥1.1663
5000+
￥1.105

有货

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四路2输入施密特与非门

型号：TC74HC132AF(EL,F) 编号：C6342365

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款高速CMOS 2输入与非施密特触发器门电路，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC74HC00A相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，其施密特触发输入可作为慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

1+
￥2.2352 ￥2.54
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￥1.7688 ￥2.01
30+
￥1.5664 ￥1.78
100+
￥1.32 ￥1.5
500+
￥1.2056 ￥1.37
1000+
￥1.1352 ￥1.29

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2A

型号：2SK2615(TE12L.F) 编号：C2762693

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 2.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：Vth = 0.8 至 2.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：DC-DC转换器。继电器驱动

数据手册

1+
￥2.31
10+
￥1.8
30+
￥1.58
100+
￥1.31
500+
￥1.19

有货

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光电耦合器，砷化镓红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP185(GR-TPR,SE 编号：C845529

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝微型扁平耦合器TLP185是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP185由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP185比DIP封装更小，因此它适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

数据手册

1+
￥2.376 ￥3.3
10+
￥1.829 ￥2.95
30+
￥1.4404 ￥2.77
100+
￥1.352 ￥2.6
500+
￥1.3 ￥2.5
1000+
￥1.2688 ￥2.44

有货

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TLP290(BL-TP,SE

型号：TLP290(BL-TP,SE 编号：C3008592

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥2.65
10+
￥2.05
30+
￥1.8
100+
￥1.48
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP291(GR,SE 编号：C5121290

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度（-55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

1+
￥3
10+
￥2.39
30+
￥2.13
175+
￥1.57
525+
￥1.42
1050+
￥1.34

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP383(D4BLLTL,E 编号：C3002263

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入、高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压 (5000 Vrms) 和宽工作温度 (-55 至 125℃)。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥3.01
10+
￥2.35
30+
￥2.07
100+
￥1.71
500+
￥1.56
1000+
￥1.46

有货

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光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP388(GB-TPL,E 编号：C17642524

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP388由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP388采用薄型SO6L（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 125 °C）。集电极 - 发射极间的击穿电压（VCEO）高达350 V，TLP388适用于可编程逻辑控制器（PLC）和家用电器，包括空调

1+
￥3.05
10+
￥2.69
30+
￥2.51
100+
￥2.33
500+
￥2.22
1000+
￥2.16

有货

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光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP388(D4GB-TL,E 编号：C17374710

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP388由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP388采用薄型SO6L（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 125 °C）。集电极 - 发射极间的击穿电压（VCEO）高达350 V，TLP388适用于可编程逻辑控制器（PLC）和家用电器，包括空调

1+
￥3.07
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￥2.71
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￥2.53
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￥2.35
500+
￥2.24
1000+
￥2.18

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：TK34E10N1,S1X(S 编号：C5361059

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥3.3957 ￥4.41
10+
￥3.0415 ￥3.95
50+
￥2.8644 ￥3.72
100+
￥2.6873 ￥3.49
500+
￥2.5795 ￥3.35
1000+
￥2.5256 ￥3.28

有货

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NPN 电流:1.5A 电压:160V

型号：TTC004B,Q 编号：C150167

封装：TO-126

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：VCEO = 160V（最小值）。与TTA004B互补。小集电极输出电容：Cob = 12pF（典型值）。高过渡频率：fT = 100MHz（典型值）。应用：音频放大器

数据手册

1+
￥3.7
10+
￥2.95
30+
￥2.58
250+
￥2.21

有货

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TLP188(GB-TPL,E(T

型号：TLP188(GB-TPL,E 编号：C4153840

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥3.81
10+
￥2.8
30+
￥2.36
100+
￥1.82
500+
￥1.58
1000+
￥1.43

有货

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DC 5kV

型号：TLP5751(D4-TP4,E 编号：C3032936

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出，可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。

数据手册

1+
￥4.03
10+
￥3.21
30+
￥2.8
100+
￥2.39
500+
￥2.14
1500+
￥2.02

有货

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光耦合器，红外LED与光控双向可控硅

型号：TLP268J(V4-TPL,E 编号：C26805125

封装：SO-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。采用 SO6 封装，保证最小爬电距离为 5.0mm，最小电气间隙为 5.0mm，最小绝缘厚度为 0.4mm。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥4.18
10+
￥3.73
30+
￥3.51
100+
￥3.28
500+
￥3.15
1000+
￥3.08

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP116A(TPL,E 编号：C576215

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于表面贴装组件的小型扁平耦合器，由红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成。采用6引脚SO封装，保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥4.56
10+
￥3.72
30+
￥3.3
100+
￥2.88
500+
￥2.63
1000+
￥2.5

有货

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双4输入与非门

型号：TC74HC20AF-ELF 编号：C7360597

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC20A 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 四输入与非门。它在保持 CMOS 低功耗的同时，能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行

1+
￥4.76
10+
￥4.31
30+
￥4.07
100+
￥3.79
500+
￥3.66

有货

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：TLP291-4(V4GBTPE 编号：C2848503

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围（-55至110°C）内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥4.98
10+
￥4.03
30+
￥3.55

有货

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TLP2348(TPL,E(T

型号：TLP2348(TPL,E 编号：C2974572

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎)，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度，具有反相器输出。

数据手册

1+
￥5.22
10+
￥4.18
30+
￥3.66
100+
￥3.15
500+
￥2.84
1000+
￥2.68

有货

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TLP719F(D4-TP,F)

型号：TLP719F(D4-TP,F) 编号：C2987248

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719F由GaAAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该器件为6引脚SDIP。TLP719F比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。因此，在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。TLP719F在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽，以提供有效的共模噪声瞬态抗扰度。因此，该产品适用于嘈杂的环境条件。

数据手册

1+
￥5.57
10+
￥5.04
30+
￥4.75
100+
￥4.42
500+
￥3.79
1000+
￥3.72

有货

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N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：TK13A65U(STA4,X,M) 编号：C4153804

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.32Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 5.0 至 5.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

1+
￥6.28
10+
￥5.64
50+
￥5.03
100+
￥4.63

有货

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N沟道MOS场效应晶体管

型号：2SK3799(STA4,Q,M) 编号：C5307570

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 720V)。增强型：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用

数据手册

1+
￥6.39
10+
￥5.72
50+
￥5.36
100+
￥4.2075 ￥4.95
500+
￥4.0545 ￥4.77
1000+
￥3.978 ￥4.68

有货

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8通道源型DMos晶体管阵列

型号：TD62783APG(O.J.S) 编号：C2762706

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

是 DMOS 晶体管阵列，有 8 个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请留意热条件。

数据手册

1+
￥6.56
10+
￥5.48
40+
￥4.71
100+
￥4.04
500+
￥3.74

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP151A(TPR,E) 编号：C143953

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管（LED）与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

数据手册

1+
￥8.22
10+
￥6.75
30+
￥5.95
100+
￥5.03
500+
￥4.53
1000+
￥4.34

有货

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品类不断扩充中
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