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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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符合条件商品:共15339
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描述
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操作
特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 7.0 S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100 μA(最大值)(VDS = 720 V)。 增强型模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
数据手册
  • 1+

    ¥14.76
  • 10+

    ¥12.65
  • 25+

    ¥11.33
  • 100+

    ¥9.98
  • 有货
  • 由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成,采用8引脚DIP封装,适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.82
    • 10+

      ¥13.32
    • 50+

      ¥11.76
    • 100+

      ¥10.15
    • 500+

      ¥9.43
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.051 Ω(典型值)。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式:Vth = 3 至 4V(VDS = 10V,ID = 1.69mA)。应用:开关电源
    • 1+

      ¥33.66
    • 10+

      ¥32.79
    • 30+

      ¥32.22
    • 100+

      ¥31.64
  • 有货
  • 应用:超高速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1462
    • 200+

      ¥0.1138
    • 600+

      ¥0.0958
    • 3000+

      ¥0.0805
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1711
    • 100+

      ¥0.1491
    • 300+

      ¥0.1381
    • 1000+

      ¥0.1298
    • 5000+

      ¥0.1232
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2117
    • 200+

      ¥0.1631
    • 600+

      ¥0.1361
    • 2000+

      ¥0.1199
  • 有货
  • 特性:紧凑的2引脚封装。 适用于高密度安装。 低正向电压:VF(3) = 0.98V(典型值)。 快速反向恢复时间:trr = 1.6ns(典型值)。 小总电容:Crr = 0.3pF(典型值)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2135
    • 200+

      ¥0.1649
    • 600+

      ¥0.1379
    • 2000+

      ¥0.1217
  • 有货
  • 特性:低正向电压:VF(3) = 0.54V(典型值)。 低反向电流:IF(1) = 1μA(最大值)。 小型紧凑的ES0封装,相当于SOD-523和SC-79封装。应用:高速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2207
    • 200+

      ¥0.1727
    • 600+

      ¥0.1487
    • 2000+

      ¥0.1307
  • 有货
  • 特性:低反向电流:IR(2) = 5 μA (max)。 通用USC封装,相当于SOD-323和SC-76封装。应用:高速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2208
    • 200+

      ¥0.1728
    • 600+

      ¥0.1488
    • 3000+

      ¥0.1308
    • 9000+

      ¥0.1164
    • 21000+

      ¥0.1092
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2335
    • 100+

      ¥0.2033
    • 300+

      ¥0.1881
    • 1000+

      ¥0.1768
    • 5000+

      ¥0.1677
  • 有货
  • 应用:高速开关
    • 10+

      ¥0.2488
    • 100+

      ¥0.2168
    • 300+

      ¥0.2008
    • 1000+

      ¥0.1888
    • 5000+

      ¥0.1792
  • 有货
  • 特性:允许损耗:P = 2 W。 齐纳电压:Vz = 12~91 V。 小型封装,适合高密度安装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.311568 ¥1.2982
    • 50+

      ¥0.274776 ¥1.1449
    • 150+

      ¥0.259008 ¥1.0792
    • 500+

      ¥0.239352 ¥0.9973
    • 3000+

      ¥0.230592 ¥0.9608
    • 6000+

      ¥0.225336 ¥0.9389
  • 有货
  • 特性:低正向电压:VF(3) = 0.5V (最大值)。 薄而紧凑的封装:厚度 = 0.40mm (最大值)。应用:高速开关
    • 10+

      ¥0.3486
    • 100+

      ¥0.2718
    • 300+

      ¥0.2333
    • 1000+

      ¥0.2045
  • 有货
  • 2-输入与门
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3998
    • 100+

      ¥0.3126
    • 300+

      ¥0.269
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (max) (VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 300 mΩ (max) (VGS = 2.5 V)。 -RDS(ON) = 480 mΩ (max) (VGS = 1.8 V)。 -RDS(ON) = 840 mΩ (max) (VGS = 1.5 V)。应用:高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.409392 ¥0.5686
    • 50+

      ¥0.362664 ¥0.5037
    • 150+

      ¥0.339264 ¥0.4712
    • 500+

      ¥0.321696 ¥0.4468
    • 2500+

      ¥0.307728 ¥0.4274
    • 5000+

      ¥0.300672 ¥0.4176
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 低反向电流:I_REF = 5μA(最大值)。 小型紧凑的ESC封装,相当于SOD-523和SC-79封装。应用:高速开关
    • 10+

      ¥0.4154
    • 100+

      ¥0.3242
    • 300+

      ¥0.2786
    • 1000+

      ¥0.2444
    • 5000+

      ¥0.217
  • 有货
  • 非反相器(开漏)
    • 10+

      ¥0.4203
    • 100+

      ¥0.3243
    • 300+

      ¥0.2763
    • 3000+

      ¥0.2403
    • 6000+

      ¥0.2115
    • 9000+

      ¥0.197
  • 有货
  • 带三态输出的总线缓冲器。
    • 10+

      ¥0.4383
    • 100+

      ¥0.3423
    • 300+

      ¥0.2943
  • 有货
  • 特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻:Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS = 2.5V)。Rₒₙ = 0.66Ω (最大值) (VGS = 4.5V)。Rₒₙ = 0.63Ω (最大值) (VGS = 5.0V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4403
    • 100+

      ¥0.3443
    • 300+

      ¥0.2963
    • 1000+

      ¥0.2603
    • 5000+

      ¥0.2315
  • 有货
  • 特性:2.5V驱动,低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω (最大值)(@ VGS = 4V),RDS(ON) = 6.0Ω (最大值)(@ VGS = 2.5V)
    • 10+

      ¥0.4559
    • 100+

      ¥0.3647
    • 300+

      ¥0.3191
    • 1000+

      ¥0.2849
    • 5000+

      ¥0.2575
    • 8000+

      ¥0.2439
  • 有货
  • 适用于超高速开关应用,小封装,正向电流和正向电压特性出色,反向恢复时间快,总电容小。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.462
    • 100+

      ¥0.3675
    • 300+

      ¥0.3202
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = -120V。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。 高hFE:hFE = 200至700。 低噪声:NF = 1dB (典型值),10dB (最大值)。 与2SC2713互补。应用:音频通用放大器应用
    • 5+

      ¥0.4654
    • 50+

      ¥0.3646
    • 150+

      ¥0.3142
    • 500+

      ¥0.2764
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。高电压:VCEO = -120V。出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95(典型值)。高hFE:200至700。低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。与2SC2713互补。应用:音频通用放大器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4904
    • 50+

      ¥0.3823
    • 150+

      ¥0.3282
    • 500+

      ¥0.2877
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高发射极-基极电压:VEBO = 25 V。 高反向hFE。 反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 1 Ω(典型值)(IB = 5mA)。 高直流电流增益:hFE = 200至1200。应用:静音和开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5873
    • 50+

      ¥0.4601
    • 150+

      ¥0.3965
    • 500+

      ¥0.3488
  • 有货
  • 特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 145 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V);RDS(ON) = 107 mΩ (max) (@VGS = 10 V)。应用:负载开关。 超高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6529
    • 50+

      ¥0.5089
    • 150+

      ¥0.4369
    • 500+

      ¥0.3829
    • 3000+

      ¥0.3397
    • 6000+

      ¥0.318
  • 有货
  • 特性:宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:在 VCC = 3.0V 时为 ±8.0mA(最小值)。 超高速运行:在 VCC = 3.3V、CL = 15pF 时,tpd = 2.5ns(典型值)。 工作电压范围:VCC = 0.9 至 3.6V。 3.6V 耐受输入。 3.6V 掉电保护输出
    • 5+

      ¥0.6558
    • 50+

      ¥0.5676
    • 150+

      ¥0.5298
    • 500+

      ¥0.4827
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 150 mΩ(最大值)(@VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 100 mΩ(最大值)(@VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 75 mΩ(最大值)(@VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 55 mΩ(最大值)(@VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6616
    • 50+

      ¥0.5721
    • 150+

      ¥0.5337
    • 500+

      ¥0.427592 ¥0.4859
    • 3000+

      ¥0.408848 ¥0.4646
    • 6000+

      ¥0.397584 ¥0.4518
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 小封装(双类型)。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至400。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。应用:低频放大器
    • 5+

      ¥0.6718
    • 50+

      ¥0.5374
    • 150+

      ¥0.4702
    • 500+

      ¥0.4198
  • 有货
  • 74VHC00FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 二输入与非门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7687
    • 50+

      ¥0.6007
    • 150+

      ¥0.5167
    • 500+

      ¥0.4537
  • 有货
  • 四 2 输入与门。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 2 输入与门。在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行。内部电路由包括缓冲输出的 4 级组成,具有高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及电池备份等双电源系统的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    • 5+

      ¥0.8562
    • 50+

      ¥0.6882
    • 150+

      ¥0.6042
    • 500+

      ¥0.5412
  • 有货
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