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价格(含税)

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N沟道 60V 60A

型号：TPH2R306NH,L1Q(M 编号：C5370557

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 26 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。增强模式：VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥5.18
10+
￥4.14
30+
￥3.63
100+
￥3.11
500+
￥2.8

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP351(F) 编号：C150126

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

数据手册

1+
￥5.38
10+
￥4.36
50+
￥3.86
100+
￥3.35
500+
￥3.05
1000+
￥2.9

有货

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1个N沟道耐压:80V

型号：TPH4R008NH1,LQ(M 编号：C5274169

封装：SOP

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 18 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 77 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥6.07
10+
￥5.45
30+
￥5.11
100+
￥4.73
500+
￥4.56
1000+
￥4.49

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2366(TPL,E 编号：C150130

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

数据手册

1+
￥6.18
10+
￥4.97
30+
￥4.37
100+
￥3.77
500+
￥3.13
1000+
￥2.94

有货

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2SK4013(STA4,Q,M)

型号：2SK4013(STA4,Q,M) 编号：C396035

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥6.38
10+
￥5.25
50+
￥4.53
100+
￥3.97
500+
￥3.64
1000+
￥3.47

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLPN137(TP1,F) 编号：C99492

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥6.73
10+
￥5.37
30+
￥4.69
100+
￥4.01
500+
￥3.61
1500+
￥3.4

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压400V

型号：TLP176GA(TP,F) 编号：C516859

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176GA由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET通过光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP176GA适用于需要节省空间的调制解调器应用。

数据手册

1+
￥6.88
10+
￥5.66
30+
￥4.99
100+
￥4.23
500+
￥3.89
1000+
￥3.74

有货

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TLP2710(TP,E(T

型号：TLP2710(TP,E 编号：C4153766

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥7.09
10+
￥5.83
30+
￥5.14
100+
￥4.36
500+
￥4.01
1500+
￥3.85

有货

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AC,DC 3.75kV

型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥7.09
10+
￥6.46
30+
￥6.07
100+
￥5.67
500+
￥5.48
1000+
￥5.4

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥7.13
10+
￥5.87
30+
￥5.18
100+
￥4.39
500+
￥4.05
1500+
￥3.89

有货

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硅N沟道MOS（U-MOSIX-H）

型号：TPWR8004PL,L1Q(M 编号：C4153796

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.65 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥8.08
10+
￥7.36
30+
￥6.92
100+
￥6.46
500+
￥6.25
1000+
￥6.16

有货

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光电耦合器

型号：TLP2105(TP,F) 编号：C2880451

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外LED与高增益、高速光电探测器耦合而成。它在单个SO8封装中内置了两个电路，可减少安装面积。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，可保证±10kV/μs 的共模瞬态抗扰度。有缓冲输出。

1+
￥11.33
10+
￥9.52
30+
￥8.39
100+
￥7.23
500+
￥6.71
1000+
￥6.48

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:15.8A

型号：TK16G60W,RVQ 编号：C5961289

封装：D2PAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥11.52
10+
￥9.68
30+
￥8.53
100+
￥7.36
500+
￥6.82

有货

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N沟道耐压:600V 电流:38.8A

型号：TK39N60W,S1VF(S 编号：C2929218

封装：TO-247-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.055Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 1.9mA。应用：开关稳压器

1+
￥23.36
10+
￥19.87
30+
￥17.8
90+
￥15.71

有货

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PNP 电流:150mA 电压:50V

型号：2SA1162-GR,LF 编号：C155455

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压和高电流：VCEO =-50V，IC =-150mA (max)。出色的hFE线性度：hFE (IC =-0.1mA) / hFE (IC =-2mA) = 0.98 (typ.)。高hFE：hFE = 70至400。低噪声：NF = 1dB (typ.)，10dB (max)。与2SC2712互补。小封装。应用：音频通用放大器应用

数据手册

50+
￥0.1191
500+
￥0.0921
3000+
￥0.0771

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:800mA

型号：SSM3K56MFV,L3F 编号：C146288

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (max) (VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 300 mΩ (max) (VGS = 2.5 V)。 -RDS(ON) = 480 mΩ (max) (VGS = 1.8 V)。 -RDS(ON) = 840 mΩ (max) (VGS = 1.5 V)。应用：高速开关

数据手册

20+
￥0.2217
200+
￥0.1737
600+
￥0.1497
2000+
￥0.1317

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC2712-BL,LF 编号：C2762674

封装：TO-236-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频通用放大应用

数据手册

10+
￥0.2643
100+
￥0.2065
300+
￥0.1777
3000+
￥0.156

有货

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N沟道耐压:20V 电流:1400mA

型号：SSM3K56ACT,L3F 编号：C146308

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 235 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 300 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 480 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 840 mΩ（最大值）(@VGS = 1.5V)。应用：高速开关

数据手册

10+
￥0.2909
100+
￥0.228
300+
￥0.1966
1000+
￥0.173

有货

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80V 100mA

型号：1SS307E,L3F 编号：C17303194

封装：SC-79

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：极低反向电流：IR（最大值）= 10 nA。通过AEC-Q101认证。应用：通用整流器

10+
￥0.3199
100+
￥0.2506
300+
￥0.2159
1000+
￥0.19

有货

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双向TVS 18.5V截止峰值浪涌电流：0.5A@8/20us

型号：DF2B20M4SL,L3F 编号：C1973643

封装：0201

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B20M4SL是一款具有高反向工作电压（VRWM为18.5V）的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电（ESD）和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻可很好地保护后端电路，凭借高静电放电抗扰度（VESD）性能提升系统可靠性。因其低电容特性，非常适合用于近场通信（NFC）等天线应用。此外，其小封装尺寸（0.62mm×0.32mm）适用于高密度贴装。

数据手册

5+
￥0.341
50+
￥0.297
150+
￥0.275
500+
￥0.2585
2500+
￥0.2453
5000+
￥0.2387

有货

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ESD 9V截止峰值浪涌电流：1A@8/20us

型号：DF2S12FS,L3M 编号：C1974747

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

10+
￥0.3475
100+
￥0.2797
300+
￥0.2457
1000+
￥0.2203
5000+
￥0.1999
10000+
￥0.1897

有货

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NPN 电流:100mA 电压:120V

型号：2SC4117-GR,LF 编号：C3002937

封装：SC-70-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。高电压：VCEO = 120V。出色的 hFE 线性度：hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95（典型值）。高 hFE：hFE = 200 至 700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与 2SA1587 互补。应用：音频通用放大器应用

数据手册

10+
￥0.347501 ￥0.4513
100+
￥0.241937 ￥0.3611
300+
￥0.18012 ￥0.316
3000+
￥0.160854 ￥0.2822
6000+
￥0.145407 ￥0.2551
9000+
￥0.137712 ￥0.2416

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:200mA

型号：SSM3K37FS,LF 编号：C150189

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,20V,0.2A,2.2Ω@4.5V

数据手册

10+
￥0.3506
100+
￥0.2834
300+
￥0.2498
3000+
￥0.2147

有货

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PNP 50V 100mA

型号：RN2402,LF 编号：C17444589

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1401至RN1406互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.4119
100+
￥0.3227
300+
￥0.2781

有货

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ESD 3.5V截止

型号：DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 编号：C1974863

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF3A5.6LFV 产品仅用于防止静电放电 (ESD)。该产品仅用于防止静电放电 (ESD)，不适用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑封装中安装两个设备可以减少零件数量和安装成本。终端电容低：CT = 8.0 pF（典型值）。

数据手册

10+
￥0.4142
100+
￥0.3297
300+
￥0.2874
1000+
￥0.2557

有货

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CMOS数字集成电路

型号：TC7SH04FU,LJ(CT 编号：C4153820

封装：SOT-353-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

反相器

数据手册

10+
￥0.4177
100+
￥0.3313
300+
￥0.2773

有货

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CMOS数字集成电路

型号：TC7SZ07FU,LXGJ(CT 编号：C7421346

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

非反相器（开漏）

10+
￥0.4203
100+
￥0.3243
300+
￥0.2763
3000+
￥0.2403
6000+
￥0.2115
9000+
￥0.197

有货

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TC7SZ126FU,LJ(CT

型号：TC7SZ126FU,LJ(CT 编号：C2652128

封装：SSOP-5-1.25mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

带三态输出的总线缓冲器。

10+
￥0.4433
100+
￥0.3473
300+
￥0.2993

有货

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场效应晶体管，硅N沟道MOS型（U-MOS III）

型号：SSM3K15AMFV,L3NF 编号：C7421329

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (最大值)(@ VGS = 4V)，RDS(ON) = 6.0Ω (最大值)(@ VGS = 2.5V)

10+
￥0.4559
100+
￥0.3647
300+
￥0.3191
1000+
￥0.2849
5000+
￥0.2575
8000+
￥0.2439

有货

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CMOS数字集成电路，硅单片双输入与门

型号：TC7SZ08FU,LJ(CT 编号：C146375

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入与门

数据手册

10+
￥0.4654
100+
￥0.3783
300+
￥0.3347

有货

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70万种现货SKU

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