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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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符合条件商品:共15339
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操作
单路高速施密特反相器
数据手册
  • 5+

    ¥0.5522
  • 50+

    ¥0.4417
  • 150+

    ¥0.3865
  • 500+

    ¥0.3451
  • 有货
  • 特性:高输出电流:±24mA (min) at VCC = 3V。 超高速运行:Ind = 3.7ns (typ.) at VCC = 5V, 50pF。 工作电压范围:VCC = 1.65 to 5.5V。 5.5V 耐受输入。 5.5V 掉电保护输出
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5549
    • 50+

      ¥0.4349
    • 150+

      ¥0.3749
    • 500+

      ¥0.3299
  • 有货
  • 双反相器(开漏)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5744
    • 50+

      ¥0.4994
    • 150+

      ¥0.4619
    • 500+

      ¥0.4338
  • 有货
  • 施密特缓冲器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5951
    • 50+

      ¥0.4703
    • 150+

      ¥0.4079
    • 500+

      ¥0.3611
    • 2500+

      ¥0.3237
  • 有货
  • 2-输入与门
    • 5+

      ¥0.6119
    • 50+

      ¥0.5419
    • 150+

      ¥0.5069
    • 500+

      ¥0.4807
  • 有货
  • 2输入或门
    • 5+

      ¥0.6619
    • 50+

      ¥0.5179
    • 150+

      ¥0.4459
    • 500+

      ¥0.3919
  • 有货
  • 特性:高速:在VCC = 5V时,tpHL = 7ns(典型值)。 低功耗:在Ta = 25°C时,ICC = 1μA(最大值)。 高抗噪性:VNH = VNL = 28%VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个LSTTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ÷ tpHL。 宽工作电压范围:VCC = 2至6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7198
    • 50+

      ¥0.5758
    • 150+

      ¥0.5038
    • 500+

      ¥0.4498
  • 有货
  • 施密特反相器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7378
    • 50+

      ¥0.5938
    • 150+

      ¥0.5218
    • 500+

      ¥0.4678
  • 有货
  • 共阴
    数据手册
    • 5+

      ¥0.747405 ¥0.8793
    • 50+

      ¥0.5277 ¥0.7036
    • 150+

      ¥0.400205 ¥0.6157
    • 500+

      ¥0.35737 ¥0.5498
    • 3000+

      ¥0.323115 ¥0.4971
    • 6000+

      ¥0.30602 ¥0.4708
  • 有货
  • 反相器(无缓冲)
    • 5+

      ¥0.7669
    • 50+

      ¥0.5989
    • 150+

      ¥0.5149
    • 500+

      ¥0.4519
  • 有货
  • 是高速C²MOS双边开关,采用硅栅C²MOS技术制造。它由一个高速开关组成,能够控制数字或模拟信号,同时保持C²MOS低功耗。提供控制输入(C)来控制开关。当C输入为高电平时,开关导通;当C输入为低电平时,开关关断。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥0.9047
    • 50+

      ¥0.7031
    • 150+

      ¥0.6167
    • 500+

      ¥0.5089
  • 有货
  • 特性:高速。 低功耗。 高抗噪性。 输出驱动能力。 对称输出阻抗:|IOH| = |IO| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ≡ tpHL。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 6V
    • 5+

      ¥0.9165
    • 50+

      ¥0.7149
    • 150+

      ¥0.6285
    • 500+

      ¥0.5207
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格(请参阅可订购零件编号列表)。应用:ESD保护
    • 5+

      ¥0.9494
    • 50+

      ¥0.8234
    • 150+

      ¥0.7694
    • 500+

      ¥0.702
  • 有货
  • 总线缓冲器,具有三态输出
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9583
    • 50+

      ¥0.7466
    • 150+

      ¥0.6559
    • 500+

      ¥0.5427
  • 有货
  • 特性:峰值正向电压:V_RRM = 0.52V (最大值) @ I_RRM = 2.0A。 平均正向电流:I_F(AV) = 2.0A。 重复峰值反向电压:V_RRM = 40V。 使用小型、薄型表面贴装封装,是高密度安装的最佳方式。昵称:S-FLATTM。应用:开关稳压器中的二次整流。 移动设备中的反向电流保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9781
    • 50+

      ¥0.7765
    • 150+

      ¥0.6901
    • 500+

      ¥0.5823
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 100 至 320。 低饱和电压:VCE(sat) = -0.4V(最大值)(IC = -500 mA,IB = -20 mA)。 适用于小型电机驱动级。 与 2SC3265 互补。 小封装。应用:低频功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0177
    • 50+

      ¥0.7909
    • 150+

      ¥0.6937
    • 500+

      ¥0.5725
  • 有货
  • 是一种低输入、高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)和宽工作温度(-55 至 125℃)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0223
    • 50+

      ¥0.8858
    • 150+

      ¥0.8272
    • 500+

      ¥0.7542
    • 3000+

      ¥0.7217
    • 6000+

      ¥0.7022
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0285
    • 50+

      ¥0.892
    • 150+

      ¥0.8335
    • 500+

      ¥0.7605
    • 3000+

      ¥0.728
    • 6000+

      ¥0.7085
  • 有货
  • 特性:重复峰值反向电压:VRRM = 600 V。 平均正向电流:IF(AV) = 1.0 A。 峰值正向电压:VFM = 1.1 V(max)。 使用小型、薄型表面贴装封装,是高密度安装的最佳方式
    • 5+

      ¥1.2224
    • 50+

      ¥0.9705
    • 150+

      ¥0.8625
    • 500+

      ¥0.7277
  • 有货
  • 特性:小封装:SC-61。 低正向电压:VF(2) = 0.90V(典型值)。 快速反向恢复时间:trr = 30 ns(典型值)。 小总电容:CT = 1.5pF(典型值)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2783
    • 50+

      ¥1.0263
    • 150+

      ¥0.9183
    • 500+

      ¥0.7835
  • 有货
  • 低电压、低功耗8位双电源总线开关,可在不同电压电平的两个节点之间提供接口。可连接到两个独立电源,VCCA支持1.8 V、2.5 V和3.3 V电源,VCCB支持2.5 V、3.3 V和5.0 V电源。通过在An/Bn数据线和VCCA / VCCB电源之间添加外部上拉电阻,可实现双向电平转换,An和Bn数据线的电压大小没有限制,均可上拉到任意电源。输出使能 (OE(overline)) 输入控制VCCA和VCCB两侧两个总线系统的连接或隔离,OE(overline)输入对所有八位数据线是共用的,因此该产品用作单个八位总线开关
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2852 ¥1.89
    • 10+

      ¥1.258 ¥1.85
    • 30+

      ¥1.2444 ¥1.83
    • 100+

      ¥1.224 ¥1.8
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 Qualified。 3.3-V gate drive voltage。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 380 mΩ(典型值) (VGS = 3.3V, ID = 0.5A);RDS(ON) = 330 mΩ(典型值) (VGS = 4.0V, ID = 1.0A);RDS(ON) = 230 mΩ(典型值) (VGS = 10V, ID = 1.0A)。应用:负载开关。 电机驱动器
    • 5+

      ¥1.2945
    • 50+

      ¥1.1194
    • 150+

      ¥1.0443
    • 500+

      ¥0.9507
  • 有货
  • 特性:1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 155 mΩ(典型值)(VGS = 8.0V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 165 mΩ(典型值)(VGS = 4.5V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 170 mΩ(典型值)(VGS = 3.6V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 190 mΩ(典型值)(VGS = 2.5V, ID = 0.5A)。RDS(ON) = 230 mΩ(典型值)(VGS = 1.8V, ID = 0.2A)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    • 5+

      ¥1.363
    • 50+

      ¥1.0606
    • 150+

      ¥0.931
    • 500+

      ¥0.7693
  • 有货
  • TC74VHCT125A/126A是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极性肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。TC74VHCT125A需要将三态控制输入$\overline{{\mathbf{G}}}$置为高电平,以使输出进入高阻态;而TC74VHCT126A则需要将控制输入G置为低电平,以使输出进入高阻态
    数据手册
    • 1+

      ¥1.3762 ¥9.83
    • 10+

      ¥1.1494 ¥8.21
    • 30+

      ¥1.0248 ¥7.32
    • 100+

      ¥0.8834 ¥6.31
    • 500+

      ¥0.8204 ¥5.86
    • 1000+

      ¥0.7924 ¥5.66
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与门。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如电池备份、热板插入等)而导致的器件损坏。
    • 5+

      ¥1.4241
    • 50+

      ¥1.2351
    • 150+

      ¥1.1541
    • 500+

      ¥1.053
    • 2500+

      ¥1.008
    • 5000+

      ¥0.981
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 400 至 1000(IC = 0.3 A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 0.14 V(最大值)。 高速开关:tf = 120 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    • 5+

      ¥1.4777
    • 50+

      ¥1.3167
    • 150+

      ¥1.2477
    • 500+

      ¥1.1616
  • 有货
  • 适用于音频频率低噪声放大器应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4794
    • 50+

      ¥1.1468
    • 150+

      ¥1.0042
    • 500+

      ¥0.8264
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 5+

      ¥1.4795
    • 50+

      ¥1.28
    • 150+

      ¥1.1945
    • 500+

      ¥1.0878
    • 3000+

      ¥1.0403
  • 有货
  • 八进制总线缓冲器,反相、三态输出。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。当G1(overline)或G2(overline)为高电平时,终端输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加0至5.5V的电压,该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统(如电池备用)的接口,此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5222
    • 50+

      ¥1.1946
    • 150+

      ¥1.0542
    • 500+

      ¥0.84
  • 有货
  • 特性:小封装。 低导通电阻:RDS(ON) = 4.0Ω(最大值,VGS = 4V);RDS(ON) = 7.0Ω(最大值,VGS = 2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥1.5761
    • 50+

      ¥1.2233
    • 150+

      ¥1.0721
    • 500+

      ¥0.8835
  • 有货
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