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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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低电压八进制总线缓冲器,输入和输出具有5V容限。是高性能CMOS八进制总线缓冲器,专为3.3V系统设计,在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC应用而设计,但可用于与5V电源环境进行输入和输出接口。是具有两个低电平有效输出使能的非反相三态缓冲器,设计用于与三态存储器地址驱动器等一起使用。所有输入均配备防静电放电保护电路。
  • 5+

    ¥1.6401
  • 50+

    ¥1.4511
  • 150+

    ¥1.3701
  • 500+

    ¥1.269
  • 有货
  • 正向电压:V_{FM} = 0.36V(最大值) 平均正向电流:IF (AV) = 1.0A 重复峰值反向电压:VRRM = 30V 由于采用小型表面贴装封装“S - FLAT”,适合紧凑组装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7503
    • 50+

      ¥1.3603
    • 150+

      ¥1.1931
    • 500+

      ¥0.9846
  • 有货
  • 是一种低输入型光电晶体管耦合器,由一个光电晶体管与一个红外发光二极管光耦合组成,采用 SO6 封装。保证高隔离电压(3750Vrms)和宽工作温度范围(Ta = -55 至 125℃),比 DIP 封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.93
    • 10+

      ¥1.67
    • 30+

      ¥1.56
    • 100+

      ¥1.42
    • 500+

      ¥1.36
    • 1000+

      ¥1.32
  • 有货
  • 特性:出色的开关时间:ton = 14 ns(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 100 mS(最小值),aID =-50 mA。 低导通电阻:RDS(ON) = 1.3 Ω(典型值),aID =-50 mA。 增强模式。 与2SK1062互补。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 1+

      ¥1.95
    • 10+

      ¥1.72
    • 30+

      ¥1.62
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • 8 位移位寄存器(并行输入,串行输出)。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 8 位并行/串行输入、串行输出移位寄存器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作,同时保持 CMOS 的低功耗。它由一个带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出 8 位移位寄存器组成
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9698
    • 50+

      ¥1.5414
    • 150+

      ¥1.3578
    • 500+

      ¥1.1287
    • 2500+

      ¥1.0267
  • 有货
  • 特性:高电压:VcBO = -300V。 低饱和电压:VCE(sat) = -0.5V (max)。 小集电极输出电容:Cob = 5.5 pF (typ.)。 与2SC4497互补。应用:等离子显示器高压控制应用。 数码管驱动应用
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0066
    • 50+

      ¥1.5559
    • 150+

      ¥1.3628
    • 500+

      ¥1.1218
  • 有货
  • 由通用双极单电源器件组成,包含一个可用于开启/关闭的控制引脚。输出电路内置过温、过流保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0234
    • 50+

      ¥1.5698
    • 150+

      ¥1.3754
    • 500+

      ¥1.1329
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻:RDS(ON) = 23 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。增强模式:VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用:汽车。电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1372 ¥2.74
    • 10+

      ¥1.911 ¥2.45
    • 30+

      ¥1.8018 ¥2.31
    • 100+

      ¥1.6926 ¥2.17
    • 500+

      ¥1.6224 ¥2.08
    • 1000+

      ¥1.5912 ¥2.04
  • 有货
  • TC74HC74A是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速CMOS D触发器。它在保持CMOS低功耗特性的同时,能实现与等效LSTTL类似的高速运行。在时钟脉冲的上升沿期间,施加到D输入端的信号电平会传输到Q输出端
    • 1+

      ¥2.37
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥1.98
    • 100+

      ¥1.84
    • 500+

      ¥1.77
    • 1000+

      ¥1.73
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.7Ω(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 720V)。 增强模式:VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.12
    • 10+

      ¥2.38
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.48
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
  • 双总线缓冲器,具有三态输出
    • 1+

      ¥3.22
    • 10+

      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.25
    • 100+

      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.74
    • 1000+

      ¥1.64
  • 有货
  • 由通用双极单电源设备组成,包含一个可用于开启/关闭的控制引脚。过温保护和过流保护电路内置在设备的输出电路中。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.54
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.5
    • 100+

      ¥2.11
    • 500+

      ¥1.93
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • 74VHC32FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS二输入或门。它能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。
    • 1+

      ¥4.18
    • 10+

      ¥3.73
    • 30+

      ¥3.51
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥3.15
    • 1000+

      ¥3.08
  • 有货
  • 由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联,因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级,具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽,保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出,也有反相器输出版本。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.76
    • 10+

      ¥3.94
    • 30+

      ¥3.53
    • 100+

      ¥3.12
    • 500+

      ¥2.6
    • 1000+

      ¥2.47
  • 有货
  • TC74VHC595是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速8位移位寄存器/锁存器。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。TC74VHC595包含一个8位静态移位寄存器,该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据
    数据手册
    • 1+

      ¥4.98
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.56
    • 1000+

      ¥2.41
  • 有货
  • 由高输出红外 LED 与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达 125℃ 的温度和 2.7-5.5V 的电源下工作。采用 SO6 封装。具有内部法拉第屏蔽,可保证 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.69
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥3.98
    • 100+

      ¥3.42
    • 500+

      ¥3.08
    • 1000+

      ¥2.91
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 26 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.73
    • 10+

      ¥4.7
    • 30+

      ¥4.18
    • 100+

      ¥3.66
    • 500+

      ¥3.36
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 26 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥5.89
    • 10+

      ¥4.7
    • 30+

      ¥4.1
    • 100+

      ¥3.51
    • 500+

      ¥3.16
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.22Ω(典型值),采用超结结构:DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.5至3.5V,VDS = 10V,ID = 0.69mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.929 ¥7.7
    • 10+

      ¥5.39 ¥7
    • 50+

      ¥5.0974 ¥6.62
    • 100+

      ¥4.7586 ¥6.18
    • 500+

      ¥4.6123 ¥5.99
    • 1000+

      ¥4.5507 ¥5.91
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.22Ω(典型值),采用超结结构:DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.5至3.5V,VDS = 10V,ID = 0.69mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.929 ¥7.7
    • 10+

      ¥5.39 ¥7
    • 50+

      ¥5.0974 ¥6.62
    • 100+

      ¥4.7586 ¥6.18
    • 500+

      ¥4.6123 ¥5.99
    • 1000+

      ¥4.5507 ¥5.91
  • 有货
  • TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器,由一个 GaAℓAs 红外发光二极管(LED)和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽层,可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度
    数据手册
    • 1+

      ¥6.04
    • 10+

      ¥4.86
    • 30+

      ¥4.27
    • 100+

      ¥3.68
    • 500+

      ¥3.1
    • 1500+

      ¥2.92
  • 有货
  • TLP240GA和TLP240GAF光电继电器由光MOSFET与红外发光二极管进行光耦合构成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms,适用于需要加强绝缘的应用场景
    数据手册
    • 1+

      ¥6.16
    • 10+

      ¥4.93
    • 30+

      ¥4.31
    • 100+

      ¥3.7
    • 500+

      ¥3.34
  • 有货
  • 由一个红外LED与一个集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成,采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度。SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器有一个内部法拉第屏蔽,可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值,因此适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.2025 ¥8.27
    • 10+

      ¥4.485 ¥6.9
    • 30+

      ¥3.3825 ¥6.15
    • 100+

      ¥2.915 ¥5.3
    • 500+

      ¥2.7115 ¥4.93
    • 1500+

      ¥2.618 ¥4.76
  • 有货
  • TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器,由一个 GaAℓAs 红外发光二极管(LED)和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层,可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度
    数据手册
    • 1+

      ¥6.56
    • 10+

      ¥5.46
    • 50+

      ¥4.44
  • 有货
  • 由一个红外发光二极管与一个高增益、高速光电探测器光耦合组成。TLP105 采用 6 引脚 MFSOP 封装。TLP105 采用图腾柱输出,能够吸电流和拉电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.69
    • 10+

      ¥5.61
    • 30+

      ¥5.02
    • 100+

      ¥4.35
    • 500+

      ¥4.05
    • 1000+

      ¥3.91
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.0 mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:IRSS = -10μA(最大值)(VDS = -40V)。 增强模式:VDD = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用:汽车。 电机驱动器
    • 1+

      ¥6.88
    • 10+

      ¥5.63
    • 30+

      ¥4.94
    • 100+

      ¥4.16
    • 500+

      ¥3.82
  • 有货
  • TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成,可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C)和较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥7.37
    • 10+

      ¥6.72
    • 30+

      ¥6.31
    • 100+

      ¥5.89
    • 500+

      ¥5.7
    • 1000+

      ¥5.62
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压(3750 Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.05
    • 10+

      ¥6.6
    • 30+

      ¥5.81
    • 100+

      ¥4.91
    • 500+

      ¥4.51
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 8.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 24 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 200 V)。 增强模式:VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥8.05
    • 10+

      ¥7.35
    • 30+

      ¥6.92
    • 100+

      ¥6.47
  • 有货
  • 东芝TLX9185A超小型扁平光电耦合器适用于表面贴装组装。TLX9185A由一个红外发光二极管和一个光电晶体管光耦合而成。该光电耦合器可用于广泛的应用场景
    • 1+

      ¥8.94
    • 10+

      ¥7.32
    • 30+

      ¥6.43
    • 100+

      ¥5.42
    • 500+

      ¥4.98
    • 1000+

      ¥4.77
  • 有货
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