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描述

价格(含税)

库存

操作

ESD 3.5V截止

型号：DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 编号：C1974863

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF3A5.6LFV 产品仅用于防止静电放电 (ESD)。该产品仅用于防止静电放电 (ESD)，不适用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑封装中安装两个设备可以减少零件数量和安装成本。终端电容低：CT = 8.0 pF（典型值）。

数据手册

10+
￥0.4142
100+
￥0.3297
300+
￥0.2874
1000+
￥0.2557

有货

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单路施密特触发反相器

型号：TC7S14FU,LF 编号：C7032

封装：SOT-353-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S14是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C²MOS施密特反相器。它在保持C²MOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC7SU04F相同，但输入具有25% Vcc的滞后特性

数据手册

5+
￥0.4396
50+
￥0.3426
150+
￥0.2942
500+
￥0.2578

有货

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电压:60V 电流:1A

型号：CRS12(TE85L.Q.M) 编号：C2762694

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

近年来，从计算机、家用电器到汽车和工业设备等众多产品，都在推动着对减小尺寸和重量的有效解决方案的需求。不同应用对半导体的要求也有所不同。以电源为例，如今要求电源在更小的尺寸内容纳更高的容量，这会提高系统的运行温度

数据手册

10+
￥0.4413
100+
￥0.3453
300+
￥0.2973
3000+
￥0.2613

有货

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CMOS数字集成电路

型号：TC7SZ126FE,LJ(CT 编号：C2675580

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

带三态输出的总线缓冲器。

数据手册

5+
￥0.5064
50+
￥0.4404
150+
￥0.4074
500+
￥0.3827
2500+
￥0.3629

有货

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CMOS数字集成电路单硅芯片，带三态输出的总线缓冲器

型号：TC7SZ125FE,LJ(CT 编号：C2676800

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

数据手册

5+
￥0.539
50+
￥0.469
150+
￥0.434
500+
￥0.4078
2500+
￥0.3868

有货

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二输入或门

型号：TC7S32F,LF 编号：C5156531

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：tpH = 7 ns（典型值），VCC = 5V。低功耗：ICC = 1 μA（最大值），Ta = 25℃。高抗噪性：VMIN = VNIL = 28% VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IOH| = |IOL| = 2 mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH÷tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2 至 6V

数据手册

5+
￥0.5572
50+
￥0.4372
150+
￥0.3772
500+
￥0.3322

有货

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TC7SH17FU,LJ(CT

型号：TC7SH17FU,LJ(CT 编号：C5156523

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

5+
￥0.584
50+
￥0.4598
150+
￥0.3976
500+
￥0.351
3000+
￥0.2982

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.4A

型号：SSM3J56ACT,L3F 编号：C146297

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(@VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(@VGS = -1.2V)。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.61028 ￥0.836
50+
￥0.538229 ￥0.7373
150+
￥0.50735 ￥0.695
500+
￥0.468806 ￥0.6422
2500+
￥0.451651 ￥0.6187
5000+
￥0.441358 ￥0.6046

有货

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双极晶体管硅PNP/NPN外延型（内置偏置电阻）

型号：RN4903,LF(CT 编号：C7421326

封装：SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。采用US6封装（超小型6引脚），包含两个器件。集成偏置电阻，减少所需外部部件数量，可减小系统尺寸和组装时间。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.6149
50+
￥0.4805
150+
￥0.4133
500+
￥0.3629

有货

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PNP 50V 100mA

型号：RN2903,LXGF 编号：C23066030

封装：US6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。小封装（双类型）。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1901至RN1906互补。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.629
50+
￥0.545
150+
￥0.509
500+
￥0.464

有货

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二输入或门

型号：TC7S32FU,LF 编号：C7121123

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：在VCC = 5V时，tpHL = 7ns（典型值）。低功耗：在Ta = 25°C时，ICC = 1μA（最大值）。高抗噪性：VNH = VNL = 28%VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IOH| = |IOL| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH ÷ tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2至6V

5+
￥0.6488
50+
￥0.5627
150+
￥0.5258
500+
￥0.4797

有货

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CMOS数字集成电路单硅片施密特缓冲器

型号：TC7SZ17FE,LJ(CT 编号：C2676042

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

施密特缓冲器

数据手册

5+
￥0.6632
50+
￥0.568
150+
￥0.5272
500+
￥0.4763
2500+
￥0.4536

有货

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通用整流器

型号：1SS379(TE85L,F) 编号：C2929209

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：符合AEC-Q101标准。小封装：SC-59。低正向电压：ΔVE = 1.0V（典型值）。低反向电流：IR = 0.1nA（典型值）。小总电容：CT = 3.0 pF（典型值）

数据手册

5+
￥0.799
50+
￥0.631
150+
￥0.547
500+
￥0.484

有货

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双路二输入与门

型号：TC7WZ08FU,LJ(CT 编号：C6916293

封装：SOT-505

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与门

5+
￥0.913
50+
￥0.7918
150+
￥0.7399
500+
￥0.6751

有货

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2SA1362-GR,LF(T

型号：2SA1362-GR,LF 编号：C258011

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于低频功率放大器应用和功率开关应用。

数据手册

5+
￥0.9384
50+
￥0.7332
150+
￥0.6453
500+
￥0.5355

有货

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400mV@100nA

型号：2SK208-Y(TE85L,F) 编号：C112988

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。

数据手册

5+
￥0.9669
50+
￥0.765
150+
￥0.6785
500+
￥0.5705
3000+
￥0.4696

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP385(GB-TPL,E 编号：C165905

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚 SO6L 封装，保证高隔离电压（5000 Vrms）。由于与标准 DIP 封装相比，具有体积小、薄的特点，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.0012
50+
￥0.8823
150+
￥0.8313
500+
￥0.6475
3000+
￥0.6192
6000+
￥0.6022

有货

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NPN 电流:2.5A 电压:50V

型号：2SC5692(TE85L,F) 编号：C194834

封装：2-3S1C

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hPE = 400 至 1000（IC = 0.3 A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.14 V（最大值）。高速开关：tf = 120 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.0267
50+
￥0.8896
150+
￥0.8308
500+
￥0.7575

有货

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CMOS数字集成电路

型号：TC7WZ34FU,LJ(CT 编号：C7421353

封装：SOT-505

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。高输出电流：在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA（最小值）。超高速运行：在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时，tpd = 2.4ns（典型值）。工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 容限输入。 5.5V 掉电保护输出。在 3.3VVCC 下运行时，性能与 TC74LCX 系列相匹配

5+
￥1.0607
50+
￥0.9452
150+
￥0.8957
500+
￥0.834
3000+
￥0.7115
6000+
￥0.695

有货

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光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP185(BLL-TL,SE 编号：C2840185

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

5+
￥1.0921
50+
￥0.8652
150+
￥0.7679
500+
￥0.5773
3000+
￥0.5232
6000+
￥0.4908

有货

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CMOS 数字集成电路，双 2 输入与门

型号：TC7WZ08FK,LJ(CT 编号：C6716828

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与门

5+
￥1.1283
50+
￥0.8763
150+
￥0.7683
500+
￥0.6336

有货

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电压:30V 电流:2A

型号：CMS06(TE12L,Q,M) 编号：C261920

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

正向电压：VFM = 0.37V（最大值）平均正向电流：IF (AV) = 2.0A 重复峰值反向电压：VRRM = 30V 由于采用小型表面贴装封装M - FLATTM（东芝封装名称），适合紧凑型组装。

5+
￥1.1358
50+
￥0.8838
150+
￥0.7758
500+
￥0.6411

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP383(GR-TPL,E 编号：C150115

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由光电晶体管与InGaAs红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125℃）。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

5+
￥1.2777
50+
￥0.9954
150+
￥0.8744
500+
￥0.7235
3000+
￥0.6563

有货

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三路施密特触发反相器

型号：TC7WH14FU,LJ(CT 编号：C150165

封装：MSOP-8-2.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WH14是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC7SH14相同，但输入具有迟滞特性

数据手册

5+
￥1.2818
50+
￥0.9697
150+
￥0.8359
500+
￥0.669

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:2A

型号：SSM6J402TU,LF 编号：C5930513

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.0V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 225 mΩ（最大值）(@VGS = -4V)；RDS(ON) = 117 mΩ（最大值）(@VGS = -10V)。应用：DC-DC转换器。高速开关

5+
￥1.2986
50+
￥1.1243
150+
￥1.0496
500+
￥0.9564

有货

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CMOS数字集成电路

型号：74VHCT04AFT 编号：C5381636

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

六反相器74VHCT04AFT 是一种采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速操作。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3 V 到 5 V 系统之间的电平转换器。输入保护和输出电路确保可以在输入和输出（注释）引脚上施加 0 至 5.5 V 的电压，而不考虑电源电压。这种结构可以防止由于电源和输入/输出电压不匹配（例如电池备份、热插拔等）导致的器件损坏。注：VCC=0 V

数据手册

5+
￥1.4022
50+
￥1.0897
150+
￥0.9558
500+
￥0.7887
2500+
￥0.7143
5000+
￥0.6696

有货

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低压六施密特反相器

型号：74LCX14FT(AE) 编号：C7421263

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压六施密特反相器，具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同，但输入具有滞后特性，带有施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。

5+
￥1.4047
50+
￥1.2367
150+
￥1.1647
500+
￥1.0748

有货

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肖特基势垒二极管

型号：CRS20I30B,LXGQ 编号：C22391508

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：峰值正向电压：VFM = 0.45V （最大值）@IFM = 2 A。平均正向电流：IF(AV) = 2 A。重复峰值反向电压：VRRM = 30V。小而薄的封装，适用于高密度电路板组装东芝昵称：S-FLAT。应用：开关稳压器中的二次整流。移动设备中的反向电流保护

5+
￥1.4151
50+
￥1.2261
150+
￥1.1451
500+
￥1.044
3000+
￥0.999
6000+
￥0.972

有货

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CMOS 八进制总线缓冲器

型号：74VHCT244AFT 编号：C5188726

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

5+
￥1.5893
50+
￥1.2617
150+
￥1.1213
500+
￥0.9461

有货

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低电压低功耗单运放

型号：TC75S51FUTE85LF 编号：C2058714

封装：SSOP-5-1.25mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款CMOS单运算放大器，内置相位补偿电路。采用低电压和低电流电源设计，与通用双极运算放大器不同。

数据手册

5+
￥1.6238
50+
￥1.254
150+
￥1.0955
500+
￥0.8978

有货

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