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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.16Ω (典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7 至 3.7V,VDS = 10V,ID = 0.79mA。应用:开关稳压器
数据手册
  • 1+

    ¥6.02
  • 10+

    ¥5.41
  • 50+

    ¥4.99
  • 100+

    ¥4.61
  • 500+

    ¥4.44
  • 有货
  • 该产品是采用硅栅C2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器(三态)。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行。该产品包含一个8位静态移位寄存器,为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成,输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容
    • 1+

      ¥6.03
    • 10+

      ¥5.46
    • 30+

      ¥5.15
    • 100+

      ¥4.8
    • 500+

      ¥4.64
    • 1000+

      ¥4.57
  • 有货
  • 是多路复用器,具备选择和混合模拟信号与数字信号的能力。有不同的通道配置。控制终端的数字信号可使各通道的相应开关“导通”,大振幅 (VDD-VEE) 可由小逻辑振幅 (VDD-VSS) 的控制信号切换。例如,在 VDD = 5V、VSS = 0V 和 VEE = -5V 的情况下,-5V 至 +5V 之间的信号可由 5V 单电源逻辑电路切换。由于每个开关的导通电阻较低,可连接到低输入阻抗的电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.2
    • 10+

      ¥4.95
    • 30+

      ¥4.32
    • 100+

      ¥3.7
    • 500+

      ¥3.33
    • 1000+

      ¥3.14
  • 有货
  • 东芝TLX9185A超小型扁平光电耦合器适用于表面贴装组装。TLX9185A由一个红外发光二极管和一个光电晶体管光耦合而成。该光电耦合器可用于广泛的应用场景
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥5.79
    • 30+

      ¥5.42
    • 100+

      ¥5
    • 500+

      ¥4.81
    • 1000+

      ¥4.73
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.0 mΩ (典型值) (VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 100V)。 增强模式:VtG = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.22
    • 10+

      ¥6.59
    • 50+

      ¥6.19
    • 100+

      ¥5.78
    • 500+

      ¥5.6
  • 有货
    • 1+

      ¥7.38
    • 10+

      ¥6.24
    • 30+

      ¥5.67
    • 100+

      ¥5.1
    • 500+

      ¥4.76
  • 有货
  • TC74HC540A/TC74HC541A是采用硅栅C²MOS技术制造的高速CMOS八进制总线缓冲器。它们能实现与等效LSTTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。TC74HC540A为反相类型,TC74HC541A为同相类型
    数据手册
    • 1+

      ¥8.04
    • 10+

      ¥6.6
    • 30+

      ¥5.81
    • 100+

      ¥4.92
    • 500+

      ¥4.52
    • 1000+

      ¥4.34
  • 有货
  • 特性:快速反向恢复时间:trr = 110 ns(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.15Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VCu = 3至4.5V,VDS = 10V,ID = 1mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.77
    • 10+

      ¥7.99
    • 50+

      ¥7.51
    • 100+

      ¥7.01
    • 500+

      ¥6.79
  • 有货
  • TLP748J由一个光电晶闸管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成,采用六引脚塑料DIP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.8
    • 10+

      ¥8.23
    • 30+

      ¥7.25
    • 100+

      ¥6.24
    • 500+

      ¥5.79
    • 1000+

      ¥5.59
  • 有货
  • 东芝TLP548J由一个与红外发射二极管光耦合的光控晶闸管组成,采用六引脚塑料DIP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.15
    • 10+

      ¥8.35
    • 50+

      ¥7.36
    • 100+

      ¥6.25
    • 500+

      ¥5.75
    • 1000+

      ¥5.53
  • 有货
  • TLP719由GaAℓAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该单元是6引脚SDIP。TLP719比8引脚DIP小50%,并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.09
    • 10+

      ¥10.98
    • 30+

      ¥9.66
    • 100+

      ¥8.31
    • 500+

      ¥7.7
    • 1500+

      ¥7.43
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521-2 在八引脚塑料 DIP 封装中提供两个隔离通道,而 TLP521-4 在十六引脚塑料 DIP 封装中提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.13
    • 10+

      ¥13.78
    • 25+

      ¥11.22
    • 100+

      ¥9.72
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.051 Ω(典型值)。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式:Vth = 3 至 4V(VDS = 10V,ID = 1.69mA)。应用:开关电源
    • 1+

      ¥33.66
    • 10+

      ¥32.79
    • 30+

      ¥32.22
    • 100+

      ¥31.64
  • 有货
    • 1+

      ¥41.38
    • 10+

      ¥35.84
    • 30+

      ¥32.46
    • 100+

      ¥29.64
  • 有货
  • DF2B7ASL是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,防止静电和噪声干扰。DF2B7ASL利用回滞特性,具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外,DF2B7ASL采用超紧凑型封装(0.62 mm×0.32 mm),适用于对占用空间要求较小的应用。
    • 20+

      ¥0.2309
    • 200+

      ¥0.1829
    • 600+

      ¥0.1589
    • 2000+

      ¥0.1409
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压和高电流:VCBO = 50 V,IC = 150 mA(最大值)。 出色的hFE线性度:hFE (IC = 0.1 mA) / hFE(IC = 2 mA) = 0.95(典型值)。 高hFE:hFE = 70至700。 低噪声:NF = 1 dB(典型值),10 dB(最大值)。 与2SA1586互补。应用:音频通用放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2412
    • 100+

      ¥0.188
    • 300+

      ¥0.1614
    • 3000+

      ¥0.1414
    • 6000+

      ¥0.1255
    • 9000+

      ¥0.1175
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2687
    • 100+

      ¥0.2144
    • 300+

      ¥0.1873
    • 3000+

      ¥0.1466
    • 6000+

      ¥0.1303
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 小封装:SC-59。 低正向电压:VF(3) = 0.9V(典型值)。 快速反向恢复时间:trr = 1.6ns(典型值)。 小总电容:CT = 0.9pF(典型值)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3109
    • 100+

      ¥0.233
    • 300+

      ¥0.194
    • 3000+

      ¥0.1648
  • 有货
  • 特性:1.8V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 56mΩ(最大值)(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 72mΩ(最大值)(@VGS = 2.5V)。 -RDS(ON) = 109mΩ(最大值)(@VGS = 1.8V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    • 10+

      ¥0.4142
    • 100+

      ¥0.3475
    • 300+

      ¥0.3141
  • 有货
  • 特性:出色的hPE线性度:在VCE = -6 V,IC = -400 mA时,hPE(μ) = 25(最小值)。 高电压:VCEO = -50 V(最小值)。 与2SC3325互补。 小封装。应用:音频低功率放大器应用。 驱动级放大器应用
    • 5+

      ¥0.5143
    • 50+

      ¥0.4039
    • 150+

      ¥0.3487
    • 500+

      ¥0.3073
    • 2500+

      ¥0.2742
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻值的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2301至RN2306互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5491
    • 50+

      ¥0.4291
    • 150+

      ¥0.3691
    • 500+

      ¥0.3241
  • 有货
  • 特性:小封装。 低导通电阻:RDS(ON) = 3.3Ω (max)(VGS = 4.5V)。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.6Ω (max)(VGS = 5V)。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.1Ω (max)(VGS = 10V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥0.5609
    • 50+

      ¥0.4389
    • 150+

      ¥0.3779
    • 500+

      ¥0.3321
    • 2500+

      ¥0.2955
    • 4000+

      ¥0.2772
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 采用US6封装(超小型6引脚),包含两个器件。 集成偏置电阻,减少所需外部部件数量,可减小系统尺寸和组装时间。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.6149
    • 50+

      ¥0.4805
    • 150+

      ¥0.4133
    • 500+

      ¥0.3629
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 小封装(双类型)。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN1901至RN1906互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.629
    • 50+

      ¥0.545
    • 150+

      ¥0.509
    • 500+

      ¥0.464
  • 有货
  • 特性:高电容比:C₁V / C₄V = 4.3(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.4Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器
    • 5+

      ¥0.7058
    • 50+

      ¥0.6127
    • 150+

      ¥0.5728
    • 500+

      ¥0.5231
    • 2500+

      ¥0.5009
    • 4000+

      ¥0.4876
  • 有货
  • TCK106AG、TCK107AG 和 TCK108AG 是用于通用电源管理的负载开关 IC,具备压摆率控制驱动器,具有低导通电阻和 1.1 至 5.5 V 的宽输入电压工作范围。在 5.0 V、-0.5 A 条件下,典型导通电阻仅为 34 mΩ,输出电流可达 1.0 A。TCK107AG 和 TCK108AG 具备输出自动放电功能
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8394
    • 50+

      ¥0.6712
    • 150+

      ¥0.5871
    • 500+

      ¥0.47169 ¥0.5241
    • 2500+

      ¥0.42633 ¥0.4737
    • 5000+

      ¥0.40356 ¥0.4484
  • 有货
  • 特性:小而薄的封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.2mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IRSS = 10μA(最大值)(VDS = 30V)。 增强模式:VDA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用:锂离子二次电池电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8813
    • 50+

      ¥0.7763
    • 150+

      ¥0.7313
    • 500+

      ¥0.6751
  • 有货
  • 适用于低频功率放大器应用和功率开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9429
    • 50+

      ¥0.7377
    • 150+

      ¥0.6497
    • 500+

      ¥0.54
  • 有货
  • 是一款在输入端具有施密特触发功能的单电路反相器。由于输入波形上升沿和下降沿的电路阈值电压不同 (VP、VN),除了普通反相器功能外,还可用于广泛的应用领域。
    • 5+

      ¥0.9496
    • 50+

      ¥0.7649
    • 150+

      ¥0.6725
    • 500+

      ¥0.6032
  • 有货
  • 是高速C²MOS反相器,采用硅栅C²MOS技术制造。能实现与等效LSTTL类似的高速运行,同时保持C²MOS低功耗。内部电路由单级反相器组成,可用于晶体振荡。输入配备了防止静电放电或瞬态过电压的保护电路。输出电流是TC74HC系列型号的1/2。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9939
    • 50+

      ¥0.7772
    • 150+

      ¥0.6843
    • 500+

      ¥0.5426
  • 有货
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