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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片
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P沟道 耐压:50V 电流:130mA
型号：BSS84DW-7-F 编号：C161617
封装：SOT-363
品牌：DIODES(美台)
该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
数据手册

  • 10+

    ￥0.2743

  • 100+

    ￥0.212

  • 300+

    ￥0.1808

  • 3000+

    ￥0.1574
  • 有货
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    独立式 耐压:5.1V 电流:5uA@3V
    型号：DDZ9689T-7 编号：C151368
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 非常尖锐的击穿特性。 非常适合自动化装配工艺。 极低的漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2751

    • 200+

      ￥0.2233

    • 600+

      ￥0.1945

    • 3000+

      ￥0.1772
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:3.6V 电流:5uA@1.0V
    型号：BZT52C3V6S-7-F 编号：C306657
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2766

    • 200+

      ￥0.2245

    • 600+

      ￥0.1956

    • 3000+

      ￥0.1782
  • 有货
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    N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002E-7-F 编号：C151383
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2892

    • 100+

      ￥0.2319

    • 300+

      ￥0.2032

    • 3000+

      ￥0.1817
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:3.3V 电流:25uA@1.0V
    型号：MMSZ5226BS-7-F 编号：C145097
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 通用。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3131

    • 200+

      ￥0.251

    • 600+

      ￥0.2165
  • 有货
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    ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：D5V0P1B2LP3-7 编号：C461811
    封装：X3-DFN0603-2
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力相结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3178

    • 100+

      ￥0.2846

    • 300+

      ￥0.268

    • 1000+

      ￥0.2555

    • 5000+

      ￥0.2455
  • 有货
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    停产 0.5A至2.0A高侧功率分配开关
    型号：AP2822GKBTR-G1 编号：C460157
    封装：SOT-23-5
    品牌：DIODES(美台)
    AP2822是一款集成式高端功率开关，由N沟道MOSFET、电荷泵、过流及过热等相关保护电路组成。该开关的低导通电阻RDS(ON)为85mΩ，旨在满足USB压降要求。该IC具备软启动功能以限制浪涌电流、过流保护、带折返功能的负载短路保护以及热关断功能，可避免热插拔时开关损坏。欠压锁定（UVLO）功能用于确保在无有效输入电压时，器件保持关断状态。FLAG输出可向本地USB控制器指示故障情况。AP2822采用标准的SOT - 23 - 5封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥0.3258

    • 10+

      ￥0.2674

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      ￥0.2382

    • 100+

      ￥0.2163

    • 500+

      ￥0.1988

    • 1000+

      ￥0.19
  • 有货
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    1个独立式 耐压:14V 电流:0.05uA@11V
    型号：DDZ14S-7 编号：C460840
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常尖锐的击穿特性。 齐纳电压（Vz）容差非常小。 非常适合自动化组装过程。 极低的漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

    • 10+

      ￥0.327456 ￥0.3411

    • 100+

      ￥0.238392 ￥0.2772

    • 300+

      ￥0.186352 ￥0.2452

    • 3000+

      ￥0.168112 ￥0.2212

    • 6000+

      ￥0.15352 ￥0.202

    • 9000+

      ￥0.146224 ￥0.1924
  • 有货
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    耐压:25.62V 电流:0.07uA@23.7V
    型号：DDZ27BSF-7 编号：C3738362
    封装：SOD-323F
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

    • 10+

      ￥0.3355

    • 100+

      ￥0.2628

    • 300+

      ￥0.2265

    • 3000+

      ￥0.1993
  • 有货
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    电压:30V 电流:500mA
    型号：B0530WS-7-F 编号：C134419
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 高电导。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 有符合汽车标准的产品可供选择
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3444

    • 100+

      ￥0.2753

    • 300+

      ￥0.2407

    • 3000+

      ￥0.1853
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:600mA
    型号：DMP21D6UFD-7 编号：C2960365
    封装：X1-DFN1212-3
    品牌：DIODES(美台)
    新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.34694 ￥0.6308

    • 50+

      ￥0.27764 ￥0.5048

    • 150+

      ￥0.242935 ￥0.4417

    • 500+

      ￥0.216975 ￥0.3945

    • 3000+

      ￥0.196185 ￥0.3567

    • 6000+

      ￥0.18579 ￥0.3378
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:210mA
    型号：2N7002Q-7-F 编号：C507856
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3576

    • 100+

      ￥0.2888

    • 300+

      ￥0.2544
  • 有货
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    NPN 电流:1A 电压:40V
    型号：ZXTN2040FTA 编号：C460141
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该晶体管结合了高增益、大电流工作和低饱和电压的特点，非常适合用于功率MOSFET栅极驱动和低损耗功率开关。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3638

    • 100+

      ￥0.2987

    • 300+

      ￥0.2662

    • 3000+

      ￥0.2251
  • 有货
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    PNP 电流:500mA 电压:80V
    型号：MMBTA56Q-13-F 编号：C5157737
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 互补 NPN 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3676

    • 100+

      ￥0.2941

    • 300+

      ￥0.2574

    • 1000+

      ￥0.2299

    • 5000+

      ￥0.2078
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:0.65A
    型号：DMC3400SDW-7 编号：C155499
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3724

    • 100+

      ￥0.3102

    • 300+

      ￥0.2791

    • 3000+

      ￥0.248
  • 有货
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    耐压:30V 电流:0.1uA@21V
    型号：BZX84C30Q-13-F 编号：C5566673
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

    • 10+

      ￥0.3731

    • 100+

      ￥0.2977

    • 300+

      ￥0.26

    • 1000+

      ￥0.2318
  • 有货
    • 立即购买
    SOT363封装，50V互补预偏置晶体管
    型号：DCX124EU-7-F 编号：C460190
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装，适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册

    • 10+

      ￥0.389

    • 100+

      ￥0.3087

    • 300+

      ￥0.2686
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:30V 电流:260mA
    型号：DMN63D8LDW-7 编号：C211422
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.394

    • 100+

      ￥0.3239

    • 300+

      ￥0.2888
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:3V 电流:10uA@1V
    型号：DZ9F3V0S92-7 编号：C5244901
    封装：SOD-923
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。 扁平引脚、散热高效的封装设计。 外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

    • 5+

      ￥0.3991

    • 50+

      ￥0.3536

    • 150+

      ￥0.3308

    • 500+

      ￥0.3137

    • 2500+

      ￥0.3

    • 5000+

      ￥0.2932
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:600mA
    型号：DMP2004K-7 编号：C332297
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通状态电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4144

    • 100+

      ￥0.3381

    • 300+

      ￥0.2999

    • 3000+

      ￥0.2607
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.5A 电压:45V
    型号：BC807-40Q-7-F 编号：C460677
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：理想适用于自动插入。 外延平面芯片结构。 有互补NPN类型（BC817）。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.415

    • 100+

      ￥0.3333

    • 300+

      ￥0.2925

    • 3000+

      ￥0.2619
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:60V
    型号：MMBTA05Q-13-F 编号：C5157736
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 互补PNP型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

    • 10+

      ￥0.4217

    • 100+

      ￥0.3442

    • 300+

      ￥0.3054

    • 1000+

      ￥0.2764

    • 5000+

      ￥0.2531
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：1.5A@8/20us
    型号：D5V0F1U2LPQ-7B 编号：C1849664
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±20kV，接触放电 ±15kV。 1 通道 ESD 保护。 低通道输入电容：典型值 0.5pF。 薄型封装（最大 0.58mm）和超小 PCB 占位面积（最大 1.08mm * 0.68mm），适用于紧凑型便携式电子产品。 通常用于高速端口，如 USB 2.0、IEEE1394、串行 ATA、DVI、HDMI、PCI。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用；通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4337

    • 100+

      ￥0.3497

    • 300+

      ￥0.3078

    • 1000+

      ￥0.2763
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:16V 电流:0.1uA@11.2V
    型号：BZT52C16LP-7 编号：C151370
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小无铅表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4356

    • 100+

      ￥0.3542

    • 300+

      ￥0.3135
  • 有货
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    双路施密特触发反相器
    型号：74LVC2G14DW-7 编号：C362110
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC2G14是一款双施密特触发器反相门，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5.5V的电源电压范围。其输入可承受5.5V电压，允许该器件在混合电压环境中使用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4514

    • 100+

      ￥0.3554

    • 300+

      ￥0.3074
  • 有货
    • 立即购买
    1对共阴极 耐压:10V 电流:100nA@7.5V
    型号：DZ23C10-7-F 编号：C151403
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4546

    • 100+

      ￥0.3774

    • 300+

      ￥0.3388
  • 有货
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    NPN预偏置小信号双表面贴装晶体管
    型号：DDC114TU-7-F 编号：C526523
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型（DDA）。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 DDC（XXXX）UQs适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:630mA
    型号：DMG1012TQ-7 编号：C531154
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD保护高达2kV。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件
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    2.5V~36V 并联 20ppm/℃
    型号：AZ431AR-ATRE1 编号：C112173
    封装：SOT-89-3
    品牌：DIODES(美台)
    AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器，在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VREF（2.5V）至相应最大阴极电压（36V）之间的任意值
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
    型号：BSS123W-7-F 编号：C155361
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道，100V，170mA
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