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描述

价格(含税)

库存

操作

双施密特触发器缓冲器

型号：74AUP2G17DW-7 编号：C441816

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

高级超低功耗 (AUP) CMOS 逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池寿命而设计。74AUP2G17 由两个带标准推挽输出的施密特触发器缓冲器组成，设计工作电源范围为 0.8V 至 3.6V。该器件针对使用 IOFF 的部分掉电应用进行了全面规格定义

数据手册

5+
￥0.461579 ￥0.6323
50+
￥0.344547 ￥0.5469
150+
￥0.270459 ￥0.5103
500+
￥0.246238 ￥0.4646
3000+
￥0.235479 ￥0.4443
6000+
￥0.22896 ￥0.432

有货

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耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V

型号：BZX84C9V1Q-7-F 编号：C5199758

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

10+
￥0.4704
100+
￥0.3792
300+
￥0.3336

有货

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1对共阳极耐压:11V 电流:100nA@8.5V

型号：AZ23C11-7-F 编号：C151359

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.4788
50+
￥0.3828
150+
￥0.3347
500+
￥0.2987

有货

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单路 2 输入异或门

型号：74AHC1G86SE-7 编号：C460494

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74AHC1G86 是一款单路 2 输入正异或门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 2.0V 至 5V 的电源电压范围。

数据手册

10+
￥0.4813
100+
￥0.3752
300+
￥0.3221
3000+
￥0.2823

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:320mA

型号：DMN62D0LFB-7 编号：C397945

封装：X1-DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.498756 ￥0.5604
50+
￥0.359766 ￥0.4554
150+
￥0.278001 ￥0.4029
500+
￥0.250884 ￥0.3636
3000+
￥0.229149 ￥0.3321
6000+
￥0.218247 ￥0.3163

有货

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TVS 10V截止峰值浪涌电流：15A@8/20us

型号：D10V0H1U2LP-7B 编号：C1977419

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

5+
￥0.4988
50+
￥0.399
150+
￥0.3491
500+
￥0.3117
2500+
￥0.2818
5000+
￥0.2668

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:1.2A

型号：DMN2310UT-13 编号：C5711683

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

5+
￥0.4997
50+
￥0.4427
150+
￥0.4143
500+
￥0.3929
2500+
￥0.3758
5000+
￥0.3673

有货

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低功耗双运算放大器

型号：AS358MTR-E1 编号：C145499

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

AS358/358A/358B由两个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成，它们专为单电源供电而设计。也可以采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路

数据手册

10+
￥0.5104
100+
￥0.4088
300+
￥0.3579
1000+
￥0.3198

有货

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3.3V 5uA@1V

型号：BZT52HC3V3WF-7 编号：C5244723

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

特性：扁平引脚封装设计，实现低外形和高功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，为“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性

5+
￥0.5252
50+
￥0.4201
150+
￥0.3676
500+
￥0.3282
3000+
￥0.2967

有货

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100V 200mA

型号：BAS16HTWQ-13R 编号：C5124967

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。高反向击穿电压。低泄漏电流。低电容。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

数据手册

5+
￥0.5253
50+
￥0.4269
150+
￥0.3777
500+
￥0.3408
2500+
￥0.3112
5000+
￥0.2965

有货

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单施密特触发器反相器

型号：74LVC1G14FZ4-7 编号：C526341

封装：X2-DFN1410-6

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G14是一款单路1输入施密特触发反相器，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5V的电源电压范围。

数据手册

5+
￥0.526284 ￥0.9746
50+
￥0.377828 ￥0.8587
150+
￥0.275094 ￥0.8091
500+
￥0.254014 ￥0.7471
2500+
￥0.24463 ￥0.7195
5000+
￥0.238986 ￥0.7029

有货

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电压:45V 电流:2A

型号：B245AF-13 编号：C5438913

封装：DO-221AC(SMA)

品牌：DIODES(美台)

肖特基整流器提供低正向电压（VF）和高温下出色的反向泄漏稳定性，适用于一般整流应用。

数据手册

5+
￥0.5446
50+
￥0.4824
150+
￥0.4513
500+
￥0.428
2500+
￥0.4093
5000+
￥0.4

有货

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40V 2A

型号：SBR2A40SA-13 编号：C177084

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：低漏电流。专利超级势垒整流器技术。软、快速开关能力。 +150℃工作结温。无铅表面处理：符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：SMPS。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥0.54632 ￥1.3658
10+
￥0.36135 ￥1.2045
30+
￥0.22708 ￥1.1354
100+
￥0.20984 ￥1.0492
500+
￥0.20216 ￥1.0108
1000+
￥0.19754 ￥0.9877

有货

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独立式耐压:18V 电流:0.05uA@12.6V

型号：BZT52HC18WF-7 编号：C5244716

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

特性：扁平引脚封装设计，实现低外形和高功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，为“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性

5+
￥0.5515
50+
￥0.4412
150+
￥0.386
500+
￥0.3446

有货

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2个独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1V

型号：BZX84C3V3S-7-F 编号：C151404

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.561616 ￥0.6382
50+
￥0.404508 ￥0.5186
150+
￥0.312052 ￥0.4589
500+
￥0.28152 ￥0.414
3000+
￥0.257176 ￥0.3782
6000+
￥0.244936 ￥0.3602

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:4A

型号：DMG3418L-7 编号：C151026

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5655
50+
￥0.4627
150+
￥0.4113
500+
￥0.3728
3000+
￥0.342

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:4A

型号：DMG3402L-7 编号：C96614

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N沟道,30V,4A,50mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.5744
50+
￥0.4639
150+
￥0.4087
500+
￥0.3673

有货

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三态输出，单缓冲门

型号：74AHCT1G126SE-7 编号：C150723

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74AHCT1G126是一款单路同相缓冲器/总线驱动器，具有三态输出。当向输出使能（OE）引脚施加低电平时，输出进入高阻态

数据手册

5+
￥0.5762
50+
￥0.4571
150+
￥0.3976
500+
￥0.3529

有货

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电压:30V 电流:2A

型号：B230AF-13 编号：C7218248

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

肖特基整流器提供低正向电压（VF）和高温下出色的反向泄漏稳定性，适用于一般整流应用。

5+
￥0.6058
50+
￥0.5423
150+
￥0.5105
500+
￥0.4867
2500+
￥0.4677
5000+
￥0.4582

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:1066mA

型号：DMG1016UDW-7 编号：C211433

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6142
50+
￥0.4913
150+
￥0.4298
500+
￥0.3837
3000+
￥0.3469

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:4A

型号：DMN2056U-13 编号：C5208862

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6248
50+
￥0.561
150+
￥0.5291
500+
￥0.5052
2500+
￥0.486
5000+
￥0.4765

有货

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电压:60V 电流:1A

型号：B160B-13-F 编号：C80301

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥0.6309
50+
￥0.5077
150+
￥0.4461
500+
￥0.3999
3000+
￥0.341

有货

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三态输出，单缓冲门

型号：74AHCT1G125SE-7 编号：C151417

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74AHCT1G125是一款具有三态输出的单路同相缓冲器/总线驱动器。当输出使能（OE）引脚施加高电平时，输出进入高阻态

数据手册

5+
￥0.6409
50+
￥0.5122
150+
￥0.4479
500+
￥0.3996

有货

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单向TVS 5V截止峰值脉冲电流：43.5A

型号：SMAJ5.0A-13-F 编号：C87074

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6418
50+
￥0.5141
150+
￥0.4503

有货

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电压:40V 电流:380mA

型号：ZLLS350TA 编号：C139441

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

采用SOD523封装，具备理想的低正向压降（VF）/反向电流（IR）性能，且封装高度较低，使该器件适用于各种转换器、充电器和LED驱动电路。

数据手册

5+
￥0.6485
50+
￥0.5175
150+
￥0.452
500+
￥0.4029

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4.3A

型号：DMP2045U-7 编号：C459541

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6549
50+
￥0.5264
150+
￥0.4621
500+
￥0.414

有货

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电压:70V 电流:70mA

型号：BAS70LP-7B 编号：C134385

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：低开启电压。快速开关。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。超小表面贴装封装。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.661
50+
￥0.5481
150+
￥0.4917
500+
￥0.4494
2500+
￥0.4155

有货

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单路 2 输入正与非门

型号：74AUP1G00SE-7 编号：C842317

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

Advanced Ultra Low Power (AUP) CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池寿命而设计。是一个单路双输入正与非门，具有标准推挽输出，设计用于在0.8V至3.6V的电源范围内工作。该器件针对使用Icc5的部分掉电应用进行了全面规格设计。Icc5电路可禁用输出，防止器件掉电时产生损坏性电流回流。该门执行正布尔函数：。Y = (A × B)的非，或Y = A(overline) + B(overline)

数据手册

5+
￥0.695037 ￥1.0073
50+
￥0.523684 ￥0.8876
150+
￥0.409738 ￥0.8362
500+
￥0.378378 ￥0.7722
3000+
￥0.364413 ￥0.7437
6000+
￥0.355985 ￥0.7265

有货

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可配置多功能门

型号：74LVC1G58DW-7 编号：C842512

封装：SOT-363-6

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G58是一款单路3输入正逻辑可配置多功能门电路，具有标准推挽输出。输出状态由3位输入的八种组合决定。用户可选择与门、或门、与非门、或非门、异或门、反相器或同相缓冲器等逻辑功能

5+
￥0.6961
50+
￥0.5626
150+
￥0.4958
500+
￥0.4458

有货

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NPN 电流:500mA 电压:80V

型号：MMSTA06-7-F 编号：C443629

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。适用于中功率放大和开关。超小表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.696384 ￥0.7254
50+
￥0.51471 ￥0.5985
150+
￥0.406676 ￥0.5351
500+
￥0.3705 ￥0.4875
3000+
￥0.341544 ￥0.4494
6000+
￥0.327104 ￥0.4304

有货

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