美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMAJ22A-13-F 编号：C134971

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7185
50+
￥0.5817
150+
￥0.5133
500+
￥0.462
2500+
￥0.421

有货

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型号：DMN6140L-7 编号：C156306

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N沟道，60V,2.3A

数据手册

5+
￥0.7214
50+
￥0.563
150+
￥0.4838
500+
￥0.4244

有货

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型号：APX809S00-46SA-7 编号：C2067586

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX809S/810S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与+2.5V、+3V、+3.3V和+5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，提供了出色的电路可靠性和低成本解决方案。这些电路执行单一功能：只要VCC电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后至少保持240ms的复位状态

数据手册

5+
￥0.7401
50+
￥0.590135 ￥0.6485
150+
￥0.493533 ￥0.6093
500+
￥0.453843 ￥0.5603
3000+
￥0.436185 ￥0.5385
6000+
￥0.425574 ￥0.5254

有货

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型号：AP2204R-3.3TRG1 编号：C156303

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

是一款采用高压EPNP工艺制造的正电压调节器IC。具有宽输入电压范围、高精度、高纹波抑制、低压差、低噪声、限流和超低静态电流等特点，适用于各种USB和便携式设备。该IC由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路和芯片使能电路组成。有1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、5.0V固定电压版本和可调电压版本。采用节省空间的SOT-23-5、SOT-89和PSOP-8封装。

数据手册

5+
￥0.7578
50+
￥0.669
150+
￥0.631
1000+
￥0.5835
2000+
￥0.5624

有货

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型号：D5V0P4UR6SO-7 编号：C531179

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

D5V0P4UR6SO是一款高性能器件，适用于保护四个高速I/O接口。这些器件采用SOT26封装，具备高ESD浪涌能力和低电容特性。

数据手册

5+
￥0.7601
50+
￥0.6079
150+
￥0.5317
500+
￥0.4746

有货

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型号：SMAJ7.5A-13-F 编号：C135008

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8038
50+
￥0.6682
150+
￥0.6005
500+
￥0.5496
2500+
￥0.509

有货

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型号：DSS5140U-7 编号：C2760656

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流 IC = -1A。峰值脉冲电流 ICM = -2A。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ IC = -1A。超小型表面贴装封装。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.80976 ￥0.8435
50+
￥0.607332 ￥0.7062
150+
￥0.484576 ￥0.6376
500+
￥0.445436 ￥0.5861
3000+
￥0.315628 ￥0.4153
6000+
￥0.299972 ￥0.3947

有货

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型号：74LVC2G126HD4-7 编号：C526351

封装：DFN-8(1x2)

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G126是一款具有三态输出的双缓冲门。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。

数据手册

5+
￥0.8492
50+
￥0.685
150+
￥0.6029
500+
￥0.5413
2500+
￥0.4921

有货

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型号：B150Q-13-F 编号：C134433

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足商业应用的一般需求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管、阻塞二极管、飞轮二极管。

数据手册

5+
￥0.8905
50+
￥0.7124
150+
￥0.6233
500+
￥0.5565
2500+
￥0.503

有货

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型号：LM2904AS-13 编号：C526657

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

LM2902/LM2904系列放大器分别由四个和两个独立的高增益运算放大器组成，具有极低的输入失调电压规格。它们设计用于在宽电压范围内的单电源供电；不过，也可以采用双电源供电。它们的电源电流较低，且与电源电压的大小无关

数据手册

5+
￥0.923
50+
￥0.7502
150+
￥0.6638
500+
￥0.599

有货

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型号：B150B-13-F 编号：C134432

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥0.9247
50+
￥0.7441
150+
￥0.6539
500+
￥0.5861
3000+
￥0.532

有货

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型号：BAS16HLP-7 编号：C155256

封装：DFN-2(0.6x1)

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。超小表面贴装封装。用于通用开关应用。高击穿电压。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.948
50+
￥0.7824
150+
￥0.6996
500+
￥0.6375

有货

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型号：B190B-13-F 编号：C134439

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子在 +260℃ 下持续 10 秒。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。续流二极管

数据手册

5+
￥0.954681 ￥1.0491
50+
￥0.757674 ￥0.9354
150+
￥0.629557 ￥0.8867
500+
￥0.586389 ￥0.8259
3000+
￥0.567219 ￥0.7989
6000+
￥0.555646 ￥0.7826

有货

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型号：DMC2038LVT-7 编号：C151020

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.9706
50+
￥0.8087
150+
￥0.7277
500+
￥0.667

有货

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型号：D5V0L1B2LPS-7B 编号：C2934597

封装：DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和 MP3 播放器。该封装的侧壁电镀选项允许在回流焊接后进行光学检查，以便进行简单可靠的质量控制。

数据手册

5+
￥0.9763
50+
￥0.762
150+
￥0.6548
500+
￥0.5744

有货

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型号：DMP3028LFDE-13 编号：C150441

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.98252 ￥1.4036
50+
￥0.67014 ￥1.1169
150+
￥0.49705 ￥0.9941
500+
￥0.4204 ￥0.8408
2500+
￥0.38625 ￥0.7725
5000+
￥0.36575 ￥0.7315

有货

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型号：1SMB5947B-13 编号：C5244680

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.9998
50+
￥0.8894
150+
￥0.8421
500+
￥0.7831

有货

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型号：APX811-40UG-7 编号：C155533

封装：SOT-143

品牌：DIODES(美台)

APX811/812用于微处理器监控电路，以监测电源。这些电路执行单一功能：只要Vcc电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在Vcc升至复位阈值以上后，至少保持240ms的复位状态。提供适用于各种电源电压工作的复位阈值

数据手册

5+
￥1.001736 ￥1.3913
50+
￥0.759314 ￥1.2247
150+
￥0.599716 ￥1.1533
500+
￥0.553384 ￥1.0642
3000+
￥0.532792 ￥1.0246
6000+
￥0.520416 ￥1.0008

有货

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型号：AH1912-W-7 编号：C2152988

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AH1912是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统，在3V电压下，其平均供电电流仅为1.6μA，这使得AH1912非常适合用于电池供电的消费产品、燃气或水表、烟雾探测器和物联网设备。更宽的供电电压范围（1.6V至5.5V）可延长电池工作时间，并支持低电压系统微控制器，为系统设计提供了极大的灵活性

数据手册

5+
￥1.0087
50+
￥0.8071
150+
￥0.7207
500+
￥0.6129
3000+
￥0.5609

有货

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型号：SD12C-7 编号：C1977377

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和MP3播放器。

数据手册

5+
￥1.011
50+
￥0.7973
150+
￥0.7057
500+
￥0.5915

有货

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型号：DMP3098LQ-7 编号：C460875

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.0249
50+
￥0.8107
150+
￥0.7189
500+
￥0.6044

有货

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型号：74LVC2G14W6-7 编号：C384558

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G14 是一款具有标准推挽输出的双施密特触发器反相门。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。

数据手册

5+
￥1.0329
50+
￥0.8073
150+
￥0.7106
500+
￥0.5899

有货

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型号：ZXTN25012EFHTA 编号：C780920

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

5+
￥1.064559 ￥1.4583
50+
￥0.810243 ￥1.2861
150+
￥0.642519 ￥1.2123
500+
￥0.593706 ￥1.1202
3000+
￥0.571976 ￥1.0792
6000+
￥0.558938 ￥1.0546

有货

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型号：AP62300WU-7 编号：C1880390

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP62300/AP62301/AP62300T 是一款 3A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 4.2V 至 18V。该器件完全集成了一个 75mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 45mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。AP62300/AP62301/AP62300T 采用恒定导通时间（COT）控制，以实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，通过减少外部元件数量，使其易于使用

数据手册

5+
￥1.0831
50+
￥0.8714
150+
￥0.7807
500+
￥0.6674
3000+
￥0.599

有货

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型号：DMC3071LVT-13 编号：C17543297

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

5+
￥1.1046
50+
￥0.8875
150+
￥0.7944
500+
￥0.6783
2500+
￥0.6267
5000+
￥0.5956

有货

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型号：SBRT3U40P1-7 编号：C460956

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑的高效散热PowerDI123封装，提供极低的正向电压降（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。非常适合用作MR16桥式整流器应用中的整流二极管。

数据手册

5+
￥1.1075
50+
￥0.8965
150+
￥0.806
500+
￥0.6932

有货

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型号：1SMB5922B-13 编号：C5336804

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.1108
50+
￥0.9029
150+
￥0.8138
500+
￥0.7026
3000+
￥0.6284

有货

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型号：ZX5T955GTA 编号：C177097

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -140V。 IC = -4A 高连续集电极电流。 ICM = -10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ 低等效导通电阻。 HPE 指定高达 -10A 高增益保持。应用：电机驱动。线路开关

数据手册

5+
￥1.1293
50+
￥0.9967
150+
￥0.9399
1000+
￥0.869

有货

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型号：APX809S-26SA-7 编号：C2067351

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX809S/810S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与+5V、+3.3V、+3.0V和+2.5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，提供了出色的电路可靠性和低成本优势。这些电路执行单一功能：每当VCC电源电压降至预设阈值以下时，它们会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后，至少保持该信号240ms。有适用于各种电源电压操作的复位阈值可供选择。APX809S/810S具有推挽输出。APX809S具有低电平有效复位输出，而APX810S具有高电平有效复位输出。复位比较器设计为忽略VCC上的快速瞬变，并且保证在VCC低至1V时，输出处于正确的逻辑状态。低电源电流使APX809S/810S非常适合用于便携式设备。APX809S/810S采用3引脚SOT23封装。

5+
￥1.1305
50+
￥0.9188
150+
￥0.8281
500+
￥0.7149

有货

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型号：SMBJ14A-13-F 编号：C91922

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=13V，Vc=23.2V，Ipp=25.8A

数据手册

5+
￥1.1413
50+
￥0.9216
150+
￥0.8274
500+
￥0.7099

有货

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