美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSOT-25

AP22815/615是3A单通道、带输出过压保护（OVP）的限流高端功率开关，针对USB和其他热插拔应用进行了优化。AP22815/615符合USB标准，使能输入有两种极性可选。该器件还具备固定和可调限流功能，针对需要精确限流支持的应用进行了优化

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￥4.72
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型号：PAM2423AECADJR 编号：C781891

封装：ESOP-8

品牌：DIODES(美台)

PAM242x系列器件是高性能、固定频率、电流模式的PWM升压型DC/DC转换器，内置功率MOSFET。PAM242x集成了一个功率MOSFET，可支持高达3A/4.5A/5.5A的峰值电流。PAM242x采用简单的外部环路补偿，可在各种应用中对元件尺寸、成本和交流性能进行优化

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型号：FL3200037 编号：C1987109

封装：SMD3225-4P

品牌：DIODES(美台)

4 引脚 FL 系列缝封装置包含一个超小型 AT 切割晶体谐振器，封装在标准 3.2×2.5mm 陶瓷封装中。这些紧凑型晶体非常适合在高密度或小尺寸 PCB 应用中进行表面贴装。

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型号：ZXMN4A06GTA 编号：C155253

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：PI4ULS3V204ZBEX 编号：C2677445

封装：TQFN-14-EP(3.5x3.5)

品牌：DIODES(美台)

PI4ULS3V204是一款4位可配置双电源双向自动感应电平转换器，无需方向控制引脚。A端口和B端口分别用于跟踪两个不同的电源轨VCCA和VCCB。VCCA和VCCB电源轨均可在1.1V至3.6V范围内进行配置

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型号：FZT869TA 编号：C151042

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 25V。高连续集电极电流 IC = 7A。峰值脉冲电流 ICM = 20A。极低饱和电压 VCE(SAT) < 110mV @ 1A。在 5A 时 RCE(SAT) = 36mΩ，实现低等效导通电阻。hFE 规定高达 20A，实现高增益保持。PTOT = 3W。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性

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型号：ZVP0545A 编号：C526788

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：450V VDS。 RDS(on) = 150Ω

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型号：DMHC3025LSDQ-13 编号：C3289659

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代互补 MOSFET H 桥在 SOIC 封装中集成了 2N 和 2P 沟道。该 H 桥已通过 AECQ101 认证，非常适合驱动：螺线管、直流电机、音频输出。

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型号：ZDT6753TA 编号：C155336

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管：BVCEO > 100V。IC = 2A，高连续电流。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。 PNP晶体管：BVCEO > -100V。IC = -2A，高连续电流。低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性

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型号：DMT40M9LPS-13 编号：C268029

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

N沟道,40V,304A,0.9mΩ@10V

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型号：DMT8008LFG-7 编号：C2960360

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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￥6.55
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￥5.78
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型号：DMT10H009LCG-7 编号：C461105

封装：VDFN3333-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 的设计旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关、背光电源管理功能以及 DC-DC 转换器。

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型号：ZXLD1370EST16TC 编号：C444409

封装：TSSOP-16-EP

品牌：DIODES(美台)

ZXLD1370 是一种用于驱动外部MOSFET以驱动高电流LEDs的LED驱动控制器集成电路。它是一种多拓扑控制器，能够高效地控制串联连接的LEDs中的电流，使其能够在降压、升压和升降压配置下工作。60V的能力，加上其多拓扑能力，使其可以应用于广泛的场景，并能驱动超过15个串联的LEDs。ZXLD1370 采用了一种改进的迟滞控制器，使用了正在申请专利的控制方案，在所有三种工作模式下提供高输出电流精度。通过直流控制和高频PWM控制实现高精度调光。ZXLD1370 使用两个引脚进行故障诊断。一个标志输出引脚突出显示故障，而多级状态引脚则提供了有关确切故障的更多信息。

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￥9.47
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￥7.93
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型号：DMP510DL-7 编号：C397953

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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10+
￥0.1569
5000+
￥0.1344

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型号：MMBT2907A-7-F 编号：C106923

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构，适用于低功率放大和开关。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。具备PPAP能力

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20+
￥0.1915
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￥0.1538
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型号：BZT52C5V6-7-F 编号：C397930

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2043
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￥0.1619
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型号：MMBT4401-13-F 编号：C2760575

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。互补PNP型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥0.2123
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￥0.1661
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￥0.1404
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型号：SDMK0340L-7-F 编号：C139440

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。适用于低逻辑电平应用。低电容。无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色”器件

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20+
￥0.2162
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￥0.1731
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型号：BAV99W-7-F 编号：C93035

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。小表面贴装封装。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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20+
￥0.2211
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￥0.1747
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型号：MMSZ5246B-7-F 编号：C74710

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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20+
￥0.2252
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型号：BAV19WS-7-F 编号：C92318

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

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20+
￥0.2342
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￥0.1832
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￥0.1549
3000+
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型号：BZX84C4V7-7-F 编号：C384560

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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20+
￥0.2358
200+
￥0.1853
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￥0.1573
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￥0.1405

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型号：D5V0H1B2LP-7B 编号：C443643

封装：DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合，使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和 MP3 播放器。

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20+
￥0.2384
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￥0.1911
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￥0.1649
2000+
￥0.1492

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型号：MMBT3906Q-7-F 编号：C460100

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。互补NPN型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备PPAP能力

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20+
￥0.2458
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￥0.1972
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￥0.1702
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￥0.1531

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型号：BZT52C4V7SQ-7-F 编号：C507915

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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10+
￥0.2468
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￥0.198
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￥0.1736
3000+
￥0.1552

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型号：BZT52C18-7-F 编号：C192739

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2468
200+
￥0.2008
600+
￥0.1752
3000+
￥0.1435

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型号：DMN601K-7 编号：C260937

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

20+
￥0.2619
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￥0.2105
600+
￥0.1819
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￥0.1648

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型号：UDZ9V1B-7 编号：C445007

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：小型表面贴装封装。非常适合自动化组装过程。非常尖锐的击穿特性。齐纳击穿电压公差非常小。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.2625
100+
￥0.2132
300+
￥0.1886
3000+
￥0.1702

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型号：D6V3H1U2LP-7B 编号：C526516

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

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10+
￥0.26296 ￥0.2768
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￥0.191165 ￥0.2249
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￥0.14925 ￥0.199
1000+
￥0.1347 ￥0.1796
5000+
￥0.123 ￥0.164
10000+
￥0.11715 ￥0.1562

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型号：DDZ9697-7 编号：C151619

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产

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