TI驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27424QDRQ1 编号：C2676923

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x-Q1 系列器件为高速双 MOSFET 驱动器，能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供两种标准逻辑选项：双反相驱动器和双同相驱动器。它们采用标准 8 引脚 SOIC (D) 封装

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型号：DRV10974RUMR 编号：C2150541

封装：WQFN-16-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV10974 12V 标称电压、2.5A 峰值无传感器正弦控制三相 BLDC 电机驱动器

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型号：DRV8411APWPR 编号：C22428260

封装：HTSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

DRV8411A 是一款双路 H 桥电机驱动器，可驱动一个或两个直流有刷电机、一个步进电机、螺线管或其他电感负载。三倍压电荷泵让器件可以在低至 1.65V 的电压下工作，以适应 1.8V 的电源轨和电池电量不足的情况。电荷泵集成了所有电容器并允许 100%占空比运行。输入和输出可以并联以驱动具有一半 RDS(on) 的大电流有刷直流电机。该器件可实现电流检测和调节。内部电流镜在 IPROPI 引脚上输出电流检测信息，无需大功率分流电阻，从而节省电路板面积并降低系统成本。借助 IPROPI 输出，微控制器可以检测电机失速或负载条件变化。使用 VREF 引脚，这些器件可以在启动和高负载事件期间调节电机电流，而无需与微控制器进行交互。低功耗睡眠模式可通过关断大部分内部电路实现超低静态电流消耗。内部保护特性包括欠压、过流和过热保护。 DRV8411A 所属的器件系列具有引脚对引脚、可扩展 RDS(ON) 选项，可支持不同负载，并尽可能减少设计改动。

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型号：DRV2605LYZFT 编号：C2150692

封装：DSBGA-9

品牌：TI(德州仪器)

DRV2605L 具有 2V 工作电压、波形库和自动谐振跟踪功能的 ERM/LRA 触觉驱动器

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型号：UCC27423DGNR 编号：C781810

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27423 具有启动的双路 4A MOSFET 驱动器

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型号：DRV8323HRTAT 编号：C2150673

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323 具有电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：LM5111-2MYX/NOPB 编号：C2862763

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：LM5114BSD/NOPB 编号：C2676975

封装：WSON-6-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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型号：DRV110PWR 编号：C2677111

封装：TSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

DRV110 具有电流调节功能的单通道继电器、电磁阀、低侧控制器

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型号：LM5110-2SD/NOPB 编号：C1880274

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：DRV10970PWP 编号：C1556993

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV10970 12V 标称电压、3A 峰值含传感器正弦或梯形控制三相 BLDC 电机驱动器

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型号：UCC27282QDRCRQ1 编号：C3654985

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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型号：DRV8428EPWPR 编号：C3681349

封装：HTSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

DRV8428E 具有集成电流检测功能的 35V、1A 双极步进或双通道有刷电机驱动器

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型号：DRV8320RHRHAT 编号：C2866623

封装：VQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8320R 具有降压稳压器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：TPS2815DR 编号：C2677153

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2815 具有 2 个与非门输入（每个输出各一个）的 2A/2A 双路栅极驱动器

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型号：CSD95496QVMT 编号：C701756

封装：VSON-18-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95496QVM 采用 4x5 SON 小型封装的 40A 同步降压 NexFET 智能功率级

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型号：UCC27301AQDRCRQ1 编号：C42295981

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27301A-Q1 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27301A-Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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型号：UCC27302AQDRCRQ1 编号：C50092305

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：LM5105SDX/NOPB 编号：C2677073

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：DRV8350SRTVT 编号：C2864513

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8350 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：LM5101ASD/NOPB 编号：C181591

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：UCC27284QDRQ1 编号：C3654891

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。由于具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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型号：LM5110-2M/NOPB 编号：C962998

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：DRV8860APWR 编号：C2150626

封装：TSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

DRV8860 具有串行控制的 38V、0.3A、8 路低侧电机驱动器

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型号：DRV8343HPHPRQ1 编号：C2150745

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器

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型号：DRV8305NQPHPQ1 编号：C2870261

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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型号：DRV8434PPWPR 编号：C2862917

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8434E 具有集成电流检测功能的 48V、2.5A 双极步进或双通道有刷电机驱动器

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型号：LM5102MMX/NOPB 编号：C2677197

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：MCT8315Z0HRRYR 编号：C25170804

封装：WQFN-32-EP(4x6)

品牌：TI(德州仪器)

集成含传感器梯形控制的三相 BLDC 电机驱动器，基于霍尔传感器的梯形 (120°) 换向，支持模拟或数字霍尔输入。可配置 PWM 调制：同步/异步，逐周期电流限制，可限制相位电流，支持高达 200kHz 的 PWM 频率，主动消磁支持减少功率损耗。4.5V 至 35V 工作电压（绝对最大值 40V），高输出电流能力：4A 峰值。低 MOSFET 导通状态电阻，TA = 25°C 时，275mΩ（典型值）RDS(ON) (HS + LS)。低功耗睡眠模式。为要驱动 12V/24V 无刷直流电机提供单芯片、无代码、有传感器的梯形解决方案，无需外部微控制器即可使 BLDC 电机旋转。集成三个半桥，具有 40V 绝对最大电压和 275mΩ 的低 RDS(ON)（高侧 + 低侧），用于实现高功率驱动能力。集成电流限制功能可限制启动或高负载条件下的电机电流，同时无需外部检测电阻。提供输出电压可调节降压稳压器和可用于为外部电路供电的 LDO。集成三个用于位置检测的模拟霍尔比较器，用于实现有传感器的梯形 BLDC 电机控制。该控制方案具有高度可配置性，可通过硬件引脚或寄存器设置来配置电机电流限制行为和超前角等。速度可以通过 PWM 输入进行控制。MCT8315ZR：用于器件配置和故障状态的 5MHz 16 位 SPI 接口。MCT8315ZH：带降压功能的基于硬件引脚的配置。MCT8315ZT：不带降压功能的基于硬件引脚的配置。集成多种保护特性，包括电源欠压锁定(UVLO)、过压保护 (OVP)、电荷泵欠压 (CPUV)、过流保护 (OCP)、过热警告 (OTW) 和过热关断 (TSD)，目的是在出现故障事件时保护器件、电机和系统。故障状态通过 nFAULT 引脚指示。延迟补偿减少占空比失真，整套集成保护特性。

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型号：DRV8329AQRGFRQ1 编号：C22435456

封装：VQFN-40-EP(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

65V 三相半桥栅极驱动器，可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET(NMOS)，4.5V 至 60V 工作电压范围，具有涓流电荷泵，支持 100%占空比。

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