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可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。
数据手册
  • 1+

    ¥9.11
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  • LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
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    • 30+

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  • 具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140
    数据手册
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  • DRV8703-Q1 具有 SPI 控制功能的汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器
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  • LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器
    数据手册
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      ¥10.66
    • 10+

      ¥10.43
    • 30+

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  • 有货
  • LM5134 具有 4V UVLO 和互补分离输出的 7.6A/4.5A 单通道栅极驱动器
    数据手册
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      ¥9
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      ¥7.95
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    • 10+

      ¥10.55
    • 30+

      ¥10.38
  • 有货
  • DRV8106-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.83
    • 10+

      ¥10.57
    • 30+

      ¥10.39
  • 有货
  • DRV8300U 具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V(最大值)简单三相栅极驱动器
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      ¥10.98
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      ¥9.71
    • 30+

      ¥8.8
  • 有货
  • UCC2742x-Q1 系列器件为高速双 MOSFET 驱动器,能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供两种标准逻辑选项:双反相驱动器和双同相驱动器。它们采用标准 8 引脚 SOIC (D) 封装
    数据手册
    • 1+

      ¥11.14
    • 10+

      ¥9.85
    • 30+

      ¥8.93
  • 有货
  • 具有电流感应和故障保护功能的数字控制兼容同步降压闸极驱动器 20-QFN -40 to 125
    数据手册
    • 1+

      ¥11.4
    • 10+

      ¥11.11
    • 30+

      ¥10.93
  • 有货
  • LM5134 具有 4V UVLO 和互补分离输出的 7.6A/4.5A 单通道栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.63
    • 10+

      ¥9.82
    • 30+

      ¥8.69
  • 有货
  • UCC2742x-Q1 系列器件为高速双 MOSFET 驱动器,能够向容性负载提供大峰值电流。该系列提供两种标准逻辑选项:双反相驱动器和双同相驱动器。它们采用标准 8 引脚 SOIC (D) 封装
    数据手册
    • 1+

      ¥11.63
    • 10+

      ¥11.35
    • 30+

      ¥11.16
  • 有货
  • DRV8410 具有电流调节功能的 1.65V 至 11V、2.5A、双 H 桥电机驱动器
    数据手册
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      ¥11.72
    • 10+

      ¥11.45
    • 30+

      ¥11.26
  • 有货
  • TPS2813 具有一个反相驱动器、一个同相驱动器和内部稳压器的 2A/2A 双路栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.75
    • 10+

      ¥11.45
    • 30+

      ¥11.25
  • 有货
  • DRV8436E 具有集成电流检测功能的 48V、1.5A 双极步进或双通道有刷电机驱动器
    数据手册
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      ¥12.03
    • 10+

      ¥11.76
    • 30+

      ¥11.57
  • 有货
  • 具有反相输入、分离输出和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-PDIP 0 to 70
    数据手册
    • 1+

      ¥12.23
    • 10+

      ¥11.94
    • 30+

      ¥11.75
  • 有货
  • 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为5A,有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟(典型值为17ns),可改善系统的死区时间优化、控制环路响应,提高脉宽利用率和瞬态性能,从而提高功率级效率。 可在输入端处理-10V的电压,通过平缓的接地反弹提高系统稳健性
    数据手册
    • 1+

      ¥14.19
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      ¥13.84
    • 30+

      ¥13.6
  • 有货
  • CSD95492QVM 采用 4x5 SON 小型封装的 20A 同步降压 NexFET 智能功率级
    数据手册
    • 1+

      ¥15.03
    • 10+

      ¥14.67
    • 30+

      ¥14.42
  • 有货
  • 具有分离输出和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-PDIP -40 to 105
    数据手册
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      ¥15.42
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      ¥15.05
    • 30+

      ¥14.8
  • 有货
  • 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140
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      ¥15.27
    • 30+

      ¥14.25
  • 有货
  • LM5100B 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
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      ¥17.52
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  • DRV8304 具有电流分流放大器的 40V(最大值)三相智能栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥18.07
    • 10+

      ¥15.39
    • 30+

      ¥13.8
  • 有货
  • DRV8340-Q1 汽车类 12V 至 24V 三相智能栅极驱动器
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    • 10+

      ¥17.82
    • 30+

      ¥17.54
  • 有货
  • UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

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    • 30+

      ¥17.94
  • 有货
  • UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.98
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      ¥18.51
    • 30+

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  • 有货
  • LM5134 具有 4V UVLO 和互补分离输出的 7.6A/4.5A 单通道栅极驱动器
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    • 30+

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  • 有货
  • LM5134 具有 4V UVLO 和互补分离输出的 7.6A/4.5A 单通道栅极驱动器
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    • 1+

      ¥20.3
    • 10+

      ¥17.3
    • 30+

      ¥15.52
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  • DRV8436 具有集成电流检测功能和 1/256 微步进的 48V、1.5A 双极步进电机驱动器
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