TI驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27523D 编号：C206023

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27523 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

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￥6.09
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￥5.15
30+
￥4.68
75+
￥4.21

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型号：UCC37323DR 编号：C1848354

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

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￥6.65
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型号：UCC57142ADBVR 编号：C49659956

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

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￥6.73
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￥5.52
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型号：UCC27201DRMR 编号：C2677220

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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￥7.65
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￥6.36
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型号：UCC27211ADRMT 编号：C133078

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。

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￥9.29
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￥6.67

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型号：DRV8434PWPR 编号：C3681245

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8434 具有集成电流检测功能和 1/256 微步进的 48V、2.5A 双极步进电机驱动器

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￥9.33
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￥7.74
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型号：LM5114AMFX/S7003103 编号：C5218786

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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￥10.06
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￥8.48
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型号：DRV8162DGSR 编号：C46377302

封装：VSSOP-20

品牌：TI(德州仪器)

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￥10.38
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型号：DRV8801RTYR 编号：C701789

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8801 具有电流反馈功能的 40V、2.8A、H 桥电机驱动器

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￥11.59
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￥9.84
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型号：UCC27282DRCT 编号：C2676968

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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￥10.73
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型号：DRV8421ADGQR 编号：C39991458

封装：HVSSOP-10

品牌：TI(德州仪器)

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型号：UCC27201ADRCT 编号：C2876550

封装：VSON-9-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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1+
￥13.1105 ￥20.17
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￥10.538 ￥19.16
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型号：UCC27322DGNR 编号：C84155

封装：MSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCC27322 具有使能端的单路 9A 高速低侧 MOSFET 驱动器

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1+
￥15.91
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￥13.43
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型号：CSD95490Q5MC 编号：C468252

封装：VSON-12-EP(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95490Q5MC 采用 DualCool 封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级

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￥16.31
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￥13.85
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￥12.3

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型号：DRV8307RHAT 编号：C2150454

封装：VQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8307 42V（最大值）含传感器梯形控制三相 BLDC 栅极驱动器

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型号：DRV8329AREER 编号：C7501205

封装：WQFN-36-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

65V三相半桥栅极驱动器驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET（NMOS）4.5至60V工作电压范围支持带涓流充电泵的100%PWM占空比基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA，最大峰值灌电流2000mA集成低输入失调电流检测放大器（针对1个分流电阻优化） – 增益可调（5、10、20、40V/V）硬件接口提供简单配置超低功耗睡眠模式，25℃时电流<1μA各相之间传播延迟匹配为4ns（典型值）独立驱动器关断路径（DRVOFF）65V耐压唤醒引脚（nSLEEP）支持SHx上高达 -10V的负瞬变6倍和3倍PWM模式支持3.3V和5V逻辑输入精确LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA紧凑的QFN封装和引脚布局可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值可通过DT引脚调节死区时间采用功率模块的高效系统设计集成保护功能 – PVDD欠压锁定（PVDDUV）、GVDD欠压（GVDDUV） – 自举欠压（BST_UV） – 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP） – 热关断（OTSD）故障状态指示器（nFAULT）

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￥17.48
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￥17.03
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型号：UCC57108CDR 编号：C48397771

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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￥18.01
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￥13.35

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型号：DRV8845RHHR 编号：C20345375

封装：VQFN-36(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8845 采用智能调优技术的 35V、1.5A 四路 H 桥电机驱动器

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￥18.55
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￥13.69

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型号：LM5109BQNGTTQ1 编号：C2677100

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥18.7
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￥15.72
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型号：DRV8662RGPR 编号：C2653565

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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1+
￥25.48
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￥22.51
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￥21

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型号：SM72295MA/NOPB 编号：C1519373

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TI(德州仪器)

SM72295 具有集成电流感应放大器的 3A、100V 全桥栅极驱动器

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￥28.82
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￥24.66
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￥22.2

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型号：DRV8350RSRGZR 编号：C2150748

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8350R 具有降压稳压器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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￥29.1
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￥28.4
30+
￥27.93

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型号：DRV8376SNLGR 编号：C47023654

封装：VQFN-28(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

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￥29.91
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￥26.43
30+
￥24.65

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型号：DRV8242HQRHLRQ1 编号：C28719583

封装：VQFN-20-EP(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV824x-Q1 器件系列是完全集成式 H 桥驱动器，适用于各种汽车应用。该器件是一款具有 PWM 或相位使能控制的双向全桥驱动器。该单片功率封装器件系列采用 BiCMOS 大功率工艺技术节点设计，提供了出色的电源处理能力和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确的电流检测和诊断功能，稳健性较高。该系列提供相同的引脚功能和可扩展的 RON（电流能力），可支持不同的负载。这些器件集成了 N 沟道 H 桥、电荷泵稳压器、高侧电流检测和调节、电流比例输出以及保护电路。还提供了一种低功耗睡眠模式，以实现较低静态电流。这些器件提供电压监测和负载诊断以及过流和过热保护功能。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。这些器件提供三种型号-硬接线接口：HW (H) 和两种 SPI 接口型号：SPI(P) 和 SPI(S)，其中 SPI(P) 用于外部提供的逻辑电源，SPI(S) 用于内部生成的逻辑电源。SPI 接口型号可实现更加灵活的器件配置和故障监测。

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1+
￥32.11
10+
￥28.73
30+
￥26.57

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型号：DRV8234RTER 编号：C22397078

封装：QFN-16(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥36.16
10+
￥30.86
30+
￥27.7

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型号：UC3625DWTR 编号：C2150737

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TI(德州仪器)

电机控制器设备将高性能无刷直流电机控制所需的大部分功能集成到一个封装中。当与外部功率MOSFET或达林顿管配合使用时，这些设备可在电压或电流模式下执行固定频率PWM电机控制，同时实现闭环速度控制和制动，并具备智能噪声抑制、安全方向反转和交叉传导保护功能。虽然规定在10V至18V的电源下工作，但UC1625可通过外部电平转换组件控制更高电压的功率器件。UC1625包含用于低侧功率器件的快速大电流推挽驱动器，以及用于高侧功率器件或电平转换电路的50V开集电极输出。UC1625的工作温度范围为 -55℃至 +125℃，UC2625为 -40℃至 +105℃，UC3625为0℃至 +70℃。

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1+
￥50.33
10+
￥49.16
30+
￥48.38

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型号：DRV83053QPHPQ1 编号：C701115

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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￥66.66
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￥64.55

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型号：LMG3100R044VBER 编号：C42715446

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3100器件是一款具有集成驱动器的100V连续、120V脉冲氮化（GaN）FET。该器件提供两种Rds(on)和最大电流型号，即126A/1.7mΩ(LMG3100R017)和46A/4.4mΩ(LMG3100R044)。该器件包含一个由高频GaNFET驱动器驱动的100V GaN FET。LMG3100包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个LMG3100器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。 GaNFET在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容Ciss和输出电容Coss都非常小。驱动器和GaNFET均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100器件采用6.5mmx4mmx0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。无论VCC电压如何，TTL逻辑兼容输入均可支持3.3V和5V逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaNFET的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式GaNFET的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

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1+
￥72.4
10+
￥65.24
30+
￥60.67

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型号：LMG2610RRGR 编号：C21031557

封装：-

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥89.28
10+
￥80.93
30+
￥77.9

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型号：UC2625DWTR 编号：C2150731

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TI(德州仪器)

电机控制器设备将高性能无刷直流电机控制所需的大部分功能集成到一个封装中。当与外部功率MOSFET或达林顿管配合使用时，这些设备可在电压或电流模式下执行固定频率PWM电机控制，同时实现闭环速度控制和制动，并具备智能噪声抑制、安全方向反转和交叉传导保护功能。虽然规定在10V至18V的电源下工作，但UC1625可通过外部电平转换组件控制更高电压的功率器件。UC1625包含用于低侧功率器件的快速大电流推挽驱动器，以及用于高侧功率器件或电平转换电路的50V开集电极输出。UC1625的工作温度范围为 -55℃至 +125℃，UC2625为 -40℃至 +105℃，UC3625为0℃至 +70℃。

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