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首页 > 热门关键词 > ir驱动芯片
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IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.0V逻辑。
数据手册
  • 1+

    ¥18.58
  • 10+

    ¥18.14
  • 30+

    ¥16.93
  • 有货
  • IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.6
    • 10+

      ¥11.15
    • 30+

      ¥9.62
  • 有货
  • 是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本,结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比,提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能,因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就相同,从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V,显著提高了抗噪性。最后,特别注意最大化器件的抗闩锁能力,并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.4
    • 10+

      ¥15.02
    • 30+

      ¥14.76
  • 有货
  • IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本,集成了一个高压半桥栅极驱动器,其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比,IR2153 功能更丰富,使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出
    数据手册
    • 1+

      ¥16.23
    • 10+

      ¥13.65
    • 30+

      ¥12.04
  • 有货
  • IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥16.42
    • 10+

      ¥16.01
    • 50+

      ¥15.74
  • 有货
  • IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.03
    • 10+

      ¥17.6
    • 30+

      ¥16.43
  • 有货
  • IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥41.66
    • 10+

      ¥40.63
    • 30+

      ¥39.94
  • 有货
  • IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.51
    • 10+

      ¥15.17
    • 30+

      ¥14.94
  • 有货
  • IR3553集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器,与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET封装在一起。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合,可在先进CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率
    数据手册
    • 1+

      ¥24.36
    • 10+

      ¥23.79
    • 30+

      ¥23.41
  • 有货
  • IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥33.39
    • 10+

      ¥28.79
    • 30+

      ¥25.03
  • 有货
  • IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 10+

      ¥4.3335
    • 100+

      ¥4.173
    • 200+

      ¥3.852
    • 1000+

      ¥3.6915
    • 2000+

      ¥3.531
    IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥55.73
    • 10+

      ¥48.28
    • 25+

      ¥43.73
  • 有货
  • IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥26.45
    • 10+

      ¥26.11
    • 30+

      ¥25.88
    • 100+

      ¥25.65
  • 订货
  • IR2086S(PbF)是一款自振荡全桥控制器及驱动器IC,占空比为50%,非常适合用于36V - 75V全桥直流母线转换器。死区时间可通过合理选择CT来控制,范围为50至200纳秒。内部软启动功能在上电时增加脉冲宽度,并在整个启动周期内保持高低端输出的脉冲宽度相等
    数据手册
    • 1+

      ¥34.42
    • 10+

      ¥29.46
    • 30+

      ¥26.51
    • 100+

      ¥23.53
    • 500+

      ¥22.15
    • 1000+

      ¥21.53
  • 订货
  • IR2112(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.06
    • 10+

      ¥11.78
    • 30+

      ¥11.6
    • 100+

      ¥10.85
  • 订货
  • IR2117/IR2118(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥33.39
    • 10+

      ¥28.79
    • 30+

      ¥25.03
    • 100+

      ¥22.26
    • 500+

      ¥20.99
    • 1000+

      ¥20.41
  • 订货
  • IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.0V逻辑。
    数据手册
    • 1+

      ¥55.05
    • 10+

      ¥53.77
    • 30+

      ¥52.91
    • 100+

      ¥52.05
  • 订货
  • IR2104(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.8
    • 100+

      ¥2.75
  • 订货
  • IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥24.2
    • 10+

      ¥23.66
    • 30+

      ¥23.31
    • 95+

      ¥22.95
  • 订货
  • IR2136x(J&S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专利的HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 单价:

      ¥34.5 / 个
    600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.99
    • 10+

      ¥2.36
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.7444 ¥1.78
    • 500+

      ¥1.4112 ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.372 ¥1.4
  • 有货
  • DC双向马达驱动芯片,采用SOP8封装,具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻,静态电流1UA,具有过热保护,短路保护,过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能,被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。
    • 1+

      ¥3.002 ¥3.16
    • 10+

      ¥2.3085 ¥2.43
    • 30+

      ¥1.9665 ¥2.07
    • 100+

      ¥1.6625 ¥1.75
    • 500+

      ¥1.615 ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.5675 ¥1.65
  • 有货
  • TMC2209是一款用于两相步进电机的超静音电机驱动IC。TMC2209的引脚排列与多款旧款驱动器以及TMC2208兼容。TRINAMIC先进的StealthChop2斩波器可确保无噪音运行、实现最高效率并提供最佳电机扭矩
    数据手册
    • 1+

      ¥16.65
    • 10+

      ¥14.83
    • 30+

      ¥13.55
    • 100+

      ¥10.5742 ¥10.79
    • 500+

      ¥10.045 ¥10.25
    • 1000+

      ¥9.8294 ¥10.03
  • 有货
  • DRV8870 具有电流调节功能的 50V、3.6A、H 桥电机驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7587
    • 50+

      ¥1.3504
    • 150+

      ¥1.151
    • 500+

      ¥0.9732
    • 2500+

      ¥0.9244
    • 5000+

      ¥0.895
  • 有货
  • DRV8837 12V、1.8A H 桥电机驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8757
    • 50+

      ¥0.6744
    • 150+

      ¥0.5762
    • 500+

      ¥0.4886
    • 3000+

      ¥0.4645
    • 6000+

      ¥0.4501
  • 有货
  • UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 当 VDD = 12V 时,UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9531
    • 50+

      ¥0.745
    • 150+

      ¥0.6435
    • 500+

      ¥0.5528
    • 3000+

      ¥0.4652
    • 6000+

      ¥0.4502
  • 有货
  • UMW UCC27517DBVR器件是一款用于功率MOSFET和IGBT的低电压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁CMOS技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。UMW UCC27517DBVR的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容
    • 5+

      ¥0.7259
    • 50+

      ¥0.5686
    • 150+

      ¥0.4877
    • 500+

      ¥0.4211
    • 3000+

      ¥0.3978
    • 6000+

      ¥0.3821
  • 有货
  • TC4426A/TC4427A/TC4428A是早期TC4426/TC4427/TC4428系列MOSFET驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外,TC4426A/TC4427A/TC4428A器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰(任何极性)时,它们不会受到损坏。它们能够承受高达500mA的反向电流(任何极性)被强制回流到其输出端,而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4kV的静电放电(ESD)保护。TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET驱动器能够在30ns内轻松对1000pF的栅极电容进行充电/放电。这些器件在导通和关断状态下都具有足够低的阻抗,以确保即使存在大的瞬变,MOSFET的预期状态也不会受到影响。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.56
    • 10+

      ¥2.97
    • 30+

      ¥2.56
    • 100+

      ¥2.22
    • 500+

      ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.7
  • 有货
  • 此款DC双向马达驱动芯片,采用SOP8封装,最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻,静态电流1UA,具有过热保护,短路保护,过流保护及紧急停止功能,能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等,可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中,驱动直流电机正转和反转,因其高效能和稳定性,特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。
    • 1+

      ¥2.5555 ¥2.69
    • 10+

      ¥1.9855 ¥2.09
    • 30+

      ¥1.7005 ¥1.79
    • 100+

      ¥1.4535 ¥1.53
    • 500+

      ¥1.3775 ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.3395 ¥1.41
  • 有货
  • DRV8874 具有集成电流检测反馈功能的 40V、6A H 桥电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.08
    • 10+

      ¥4.2
    • 30+

      ¥3.58
    • 100+

      ¥3.07
    • 500+

      ¥2.98
    • 1000+

      ¥2.89
  • 有货
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