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封装：SSOP-24-208mil

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

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型号：IR2213SPBF 编号：C537612

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：IR2109SPBF 编号：C537553

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR2106PBF 编号：C537545

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：IR3553MTRPBF 编号：C386327

封装：QFN-25-EP(4x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3553集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET封装在一起。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在先进CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率

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型号：IR21844PBF 编号：C2992

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：IR4427STRPBF-HX 编号：C50345553

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR4427STRPBF-HX系列为双路低端MOSFET驱动器，效率高、可靠性强，将TTL/CMOS输入转换为接近电源或地的输出电平。提供反相、同相及混合三种配置，适用于驱动功率MOSFET、重载时钟线、同轴电缆及压电换能器等高峰值电流和快速切换场合

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型号：IR4426STRPBF-HX 编号：C50345554

封装：SOP8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR4426STRPBF-HX系列是双路低边MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺，高效可靠。支持TTL/CMOS输入，输出电压摆幅接近电源/地（25mV内）。提供三种配置：双同相、双反相及一同一反输出，适用于驱动MOSFET、重载时钟线等。

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型号：IR2112STRPBF 编号：C537555

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2112(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。

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型号：IR2113SPBF 编号：C537556

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：IR2117SPBF 编号：C537559

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2117/IR2118(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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型号：IR2106SPBF 编号：C537546

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：IR2086STRPBF 编号：C537540

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2086S(PbF)是一款自振荡全桥控制器及驱动器IC，占空比为50%，非常适合用于36V - 75V全桥直流母线转换器。死区时间可通过合理选择CT来控制，范围为50至200纳秒。内部软启动功能在上电时增加脉冲宽度，并在整个启动周期内保持高低端输出的脉冲宽度相等

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型号：IR2010PBF 编号：C537536

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑。

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型号：IR2104SPBF 编号：C5204801

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2104(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：IR2108SPBF 编号：C2963

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：IR2136SPBF 编号：C537594

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2136x（J&S）是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专利的HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥14.61
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￥12.9
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型号：RZ7899-MS 编号：C22462553

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能，被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。

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￥3.116 ￥3.28
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￥2.4035 ￥2.53
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￥2.052 ￥2.16
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￥1.7385 ￥1.83
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￥1.7005 ￥1.79
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￥1.6435 ￥1.73

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型号：DRV8870DDAR 编号：C86590

封装：HSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8870 具有电流调节功能的 50V、3.6A、H 桥电机驱动器

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￥2.4169
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￥2.0457
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￥1.8645
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￥1.7029
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￥1.6585
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￥1.6318

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型号：TMC2209-LA-T 编号：C2150710

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：TRINAMIC

TMC2209是一款用于两相步进电机的超静音电机驱动IC。TMC2209的引脚排列与多款旧款驱动器以及TMC2208兼容。TRINAMIC先进的StealthChop2斩波器可确保无噪音运行、实现最高效率并提供最佳电机扭矩

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￥16.7
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￥13.51
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￥10.4664 ￥10.68
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￥9.9274 ￥10.13
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￥9.702 ￥9.9

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型号：DRV8837DSGR 编号：C39159

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8837 12V、1.8A H 桥电机驱动器

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￥1.1787
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￥0.9663
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￥0.8626
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￥0.7701
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￥0.7447
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￥0.7295

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型号：UCC27517DBVR 编号：C99395

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

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5+
￥1.7463
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￥1.3997
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￥1.2305
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￥1.0796
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￥0.9336
6000+
￥0.9087

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型号：IR2104STRPBF 编号：C2960

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥3.44
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￥2.79
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￥2.48
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￥2.2
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￥1.85
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￥1.8

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型号：DRV8874PWPR 编号：C1855818

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8874 具有集成电流检测反馈功能的 40V、6A H 桥电机驱动器

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￥5.55
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￥4.62
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￥3.97
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￥3.43
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￥3.34
1000+
￥3.24

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型号：TC4427AEOA713 编号：C20551

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A是早期TC4426/TC4427/TC4428系列MOSFET驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们能够承受高达500mA的反向电流（任何极性）被强制回流到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4kV的静电放电（ESD）保护。TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET驱动器能够在30ns内轻松对1000pF的栅极电容进行充电/放电。这些器件在导通和关断状态下都具有足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。

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