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首页 > 热门关键词 > ir驱动芯片
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IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
数据手册
  • 1+

    ¥3.76
  • 10+

    ¥3.05
  • 30+

    ¥2.69
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    ¥2.33
  • 500+

    ¥1.85
  • 1000+

    ¥1.74
  • 有货
  • IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥7.5409 ¥10.33
    • 10+

      ¥5.4054 ¥8.58
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      ¥4.0386 ¥7.62
    • 100+

      ¥3.4609 ¥6.53
    • 500+

      ¥2.8196 ¥5.32
    • 1000+

      ¥2.703 ¥5.1
  • 有货
  • IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.76
    • 10+

      ¥7.17
    • 30+

      ¥6.3
    • 100+

      ¥5.32
    • 500+

      ¥4.88
  • 有货
  • AP1511系列是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC,用来开关红外线滤光片。 AP1511系列具有一个低饱和电压双向的H-bridge驱动电路,内建保护二极管疏通ICR,所产生的反馈电流,以及防止ESD的破坏。 AP1511系列内的双向H-bridge 驱动电路其内阻比较小,ICR模块所需的电流决定于其线圈的阻抗。
    • 5+

      ¥0.6041
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      ¥0.4841
    • 150+

      ¥0.4241
    • 500+

      ¥0.3791
    • 3000+

      ¥0.3431
    • 6000+

      ¥0.325
  • 有货
  • AP1511B是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC,用来开关红外线滤光片。具有一个低饱和电压双向的H-bridge驱动电路,内建保护二极管疏通ICR,所产生的反馈电流,以及防止ESD的破坏。 双向H-bridge驱动电路其内阻比较小,ICR模块所需的电流决定于其线圈的阻抗。
    • 5+

      ¥0.4865
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      ¥0.3866
    • 150+

      ¥0.3367
    • 500+

      ¥0.2993
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      ¥0.2693
    • 6000+

      ¥0.2543
  • 有货
  • 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.8V 输出漏电流(Icex@Vce):20uA 开态输入电流(Ii@Vi):1.25mA@12V 嵌位二极管漏电流(IR@VR):50uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.5V@350mA 8通道源极驱动 500mA
    数据手册
    • 1+

      ¥5.23
    • 10+

      ¥4.16
    • 30+

      ¥3.62
    • 100+

      ¥3.09
    • 500+

      ¥2.81
  • 有货
  • IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.74
    • 10+

      ¥5.64
    • 30+

      ¥5.04
    • 100+

      ¥4.36
  • 有货
  • IR4428STRPBF-HX系列是双路低边MOSFET驱动器,采用BiCMOS/DMOS工艺,高效可靠。支持TTL/CMOS输入,输出电压摆幅接近电源/地(25mV内)。提供三种配置:双同相、双反相及一同一反输出,适用于驱动MOSFET、重载时钟线等。
    • 5+

      ¥1.90575 ¥2.1175
    • 50+

      ¥1.50651 ¥1.6739
    • 150+

      ¥1.33551 ¥1.4839
    • 500+

      ¥1.12203 ¥1.2467
    • 2500+

      ¥1.02699 ¥1.1411
    • 5000+

      ¥0.96993 ¥1.0777
  • 有货
  • IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,最低可至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.64
    • 10+

      ¥3.85
    • 30+

      ¥3.45
    • 100+

      ¥3.06
    • 500+

      ¥2.51
  • 有货
  • IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥23.21
    • 10+

      ¥19.73
    • 45+

      ¥17.66
    • 90+

      ¥15.56
  • 有货
  • IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器,具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容,内置强驱动缓冲,支持高边N沟道器件驱动,电压可达600V
    • 5+

      ¥1.51587 ¥1.6843
    • 50+

      ¥1.19835 ¥1.3315
    • 150+

      ¥1.06227 ¥1.1803
    • 500+

      ¥0.89253 ¥0.9917
    • 2500+

      ¥0.81693 ¥0.9077
    • 5000+

      ¥0.77157 ¥0.8573
  • 有货
  • IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,最低可至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.48
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥1.95
  • 有货
  • IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器,具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容,内置强驱动缓冲,支持高边N沟道器件驱动,电压可达600V
    • 1+

      ¥3.816 ¥4.24
    • 10+

      ¥3.033 ¥3.37
    • 30+

      ¥2.646 ¥2.94
    • 100+

      ¥2.259 ¥2.51
    • 500+

      ¥2.034 ¥2.26
    • 1000+

      ¥1.908 ¥2.12
  • 有货
  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是一款低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专利抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥11.41
    • 10+

      ¥9.7
    • 30+

      ¥8.63
    • 100+

      ¥7.53
  • 有货
  • IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥37.42
    • 10+

      ¥32.2
    • 30+

      ¥27.92
  • 有货
  • AP1511B是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC,用来开关红外线滤光片。具有一个低饱和电压双向的H-bridge驱动电路,内建保护二极管疏通ICR,所产生的反馈电流,以及防止ESD的破坏。 双向H-bridge驱动电路其内阻比较小,ICR模块所需的电流决定于其线圈的阻抗。
    • 5+

      ¥0.5407
    • 50+

      ¥0.4299
    • 150+

      ¥0.3744
  • 有货
  • IR3537/CHL8510 是一款高效率栅极驱动器,可以切换同步降压转换器中的高侧和低侧 N 沟道外部 MOSFET。它旨在与国际整流子的数字 PWM 控制器一起使用,为当今先进的计算应用提供完整的电压调节器 (VR) 解决方案。IR3537/CHL8510 低侧驱动器能够快速切换具有低 RDS(on) 和大输入电容的大型 MOSFET,用于高效率设计。IR3537/CHL8510 具有对外部 MOSFET 中高侧和低侧栅极驱动电压从 4.5V 到 13.2V 的独立控制。这使得能够优化外部 MOSFET 中的开关和导通损耗。当与 IR 专有的可变栅极驱动 (VGD) 技术一起使用时,在整个负载范围内可以观察到效率的显著提高。IR3537/CHL8510 可以配置为从独特的 IR 快速主动三电平 (ATL) PWM 信号或通用的三态 PWM 模式驱动高侧和低侧开关。IR ATL 模式允许控制器在不到 30ns 的时间内禁用高侧和低侧 FET,而无需专用禁用引脚。这提高了 VR 瞬态性能,尤其是在负载释放期间。集成的自举二极管减少了外部元件数量。IR3537/CHL8510 还具有自适应非重叠控制,用于防止直通保护。这可以防止高侧和低侧 MOSFET 的交叉传导,并最大程度地减少体二极管导通时间,从而提供一流的效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.8 ¥5
    • 10+

      ¥3.234 ¥4.9
    • 30+

      ¥2.6992 ¥4.82
    • 100+

      ¥2.66 ¥4.75
  • 有货
  • 18V500mA IR-CUT驱动,高压版本,可替换FT117S、MS3111、GC9111、TMI8113、TPM16050,SOT23-6封装
    • 5+

      ¥0.4711
    • 50+

      ¥0.3712
    • 150+

      ¥0.3213
  • 有货
  • 基于流行的IR2153自振荡半桥栅极驱动器IC,采用更先进的硅平台,集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。通过栅极驱动器的低di/dt峰值实现抗噪性。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.84
    • 10+

      ¥6.56
    • 30+

      ¥5.86
  • 有货
  • IR2181(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥43.17 ¥71.95
    • 10+

      ¥31.16 ¥62.32
    • 30+

      ¥22.584 ¥56.46
    • 100+

      ¥20.616 ¥51.54
  • 有货
  • IR3537/CHL8510是一款高效栅极驱动器,可在同步降压转换器中驱动高端和低端N沟道外部MOSFET。它旨在与国际整流器公司(International Rectifier)的数字PWM控制器配合使用,为当今的先进计算应用提供完整的电压调节器(VR)解决方案。IR3537/CHL8510低端驱动器能够快速切换低导通电阻(RDS(on))、高输入电容的大型MOSFET,适用于高效设计
    数据手册
    • 1+

      ¥9.5403 ¥16.17
    • 10+

      ¥6.762 ¥13.8
    • 30+

      ¥4.8009 ¥12.31
    • 100+

      ¥4.2081 ¥10.79
    • 500+

      ¥3.9429 ¥10.11
    • 1000+

      ¥3.8259 ¥9.81
  • 有货
  • IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥14.43 ¥19.24
    • 10+

      ¥12.233 ¥18.82
    • 30+

      ¥10.1915 ¥18.53
    • 100+

      ¥10.0375 ¥18.25
  • 有货
  • IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.41
    • 10+

      ¥7.9
    • 30+

      ¥6.95
  • 有货
  • IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.68
    • 10+

      ¥17.26
    • 30+

      ¥16.08
  • 有货
  • IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.0V逻辑。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.29
    • 10+

      ¥17.85
    • 30+

      ¥16.64
  • 有货
  • IR3550集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器,与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET共同封装。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合,可在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率
    数据手册
    • 1+

      ¥20.2
    • 10+

      ¥19.7
    • 30+

      ¥19.37
  • 有货
  • IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.6
    • 10+

      ¥11.15
    • 30+

      ¥9.62
  • 有货
  • IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本,集成了一个高压半桥栅极驱动器,其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比,IR2153 功能更丰富,使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出
    数据手册
    • 1+

      ¥16.23
    • 10+

      ¥13.65
    • 30+

      ¥12.04
  • 有货
  • IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.46
    • 10+

      ¥8.27
    • 30+

      ¥8.15
  • 有货
  • 是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本,结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比,提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能,因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就相同,从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V,显著提高了抗噪性。最后,特别注意最大化器件的抗闩锁能力,并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.4
    • 10+

      ¥15.02
    • 30+

      ¥14.76
  • 有货
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