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首页 > 热门关键词 > ir驱动芯片
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电机驱动,逆变器驱动 IR2103S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。
  • 1+

    ¥2.5935 ¥2.73
  • 10+

    ¥2.0235 ¥2.13
  • 30+

    ¥1.7765 ¥1.87
  • 100+

    ¥1.463 ¥1.54
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    ¥1.425 ¥1.5
  • 1000+

    ¥1.3395 ¥1.41
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 IR2304S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥2.898 ¥3.22
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      ¥2.322 ¥2.58
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      ¥2.025 ¥2.25
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      ¥1.737 ¥1.93
    • 500+

      ¥1.566 ¥1.74
    • 1000+

      ¥1.476 ¥1.64
  • 有货
  • 电机驱动芯片 专用步进电机和IR-Cut Removable驱动集成电路
    • 5+

      ¥1.0773
    • 50+

      ¥0.9408
    • 150+

      ¥0.8823
    • 500+

      ¥0.8093
    • 2500+

      ¥0.7768
    • 5000+

      ¥0.7573
  • 有货
  • 电机驱动芯片 专用步进电机和IR-Cut Removable驱动集成电路
    • 5+

      ¥1.1624
    • 50+

      ¥1.0049
    • 150+

      ¥0.9374
    • 500+

      ¥0.8531
    • 2500+

      ¥0.8156
    • 5000+

      ¥0.7931
  • 有货
  • H桥驱动芯片(HS+LS),兼容1.8V/3.3V/5.0VIO集成过温保护、欠压保护,应用领域:IR-CUR,安防电子等
    • 5+

      ¥0.58491 ¥0.6499
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      ¥0.45531 ¥0.5059
    • 150+

      ¥0.39051 ¥0.4339
    • 500+

      ¥0.34191 ¥0.3799
    • 3000+

      ¥0.30303 ¥0.3367
    • 6000+

      ¥0.2835 ¥0.315
  • 有货
  • 电机驱动芯片 专用步进电机和IR-Cut Removable驱动集成电路
    • 5+

      ¥1.1609
    • 50+

      ¥1.0034
    • 150+

      ¥0.9359
    • 500+

      ¥0.8517
    • 2500+

      ¥0.8142
    • 4000+

      ¥0.7917
  • 有货
  • IR2113S-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片,栅极驱动电范围 10V-20V
    • 1+

      ¥4.09
    • 10+

      ¥3.31
    • 30+

      ¥2.92
    • 100+

      ¥2.54
    • 500+

      ¥2.31
    • 1000+

      ¥2.19
  • 有货
  • IR2113-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片,栅极驱动电范围 10V-20V
    • 1+

      ¥5
    • 10+

      ¥4.05
    • 25+

      ¥3.57
    • 100+

      ¥3.1
    • 500+

      ¥2.82
    • 1000+

      ¥2.67
  • 有货
  • IR2127S是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装,可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
    • 1+

      ¥5.699 ¥6.95
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      ¥4.6658 ¥5.69
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      ¥4.1 ¥5
    • 100+

      ¥3.4604 ¥4.22
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      ¥3.1734 ¥3.87
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      ¥3.0422 ¥3.71
  • 有货
  • 电机驱动芯片 通用版本 GR6208D 是一款的双向马达驱动芯片,可驱动马达正转、反转、停止,可用于IR-Cut驱动,用来控制红外线滤光片的切换。GR6208D具有耐压高、待机功耗低的特点,可广泛应用于无线摄像设备和安防监控系统中。
    • 20+

      ¥0.2204
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      ¥0.1724
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      ¥0.1484
    • 4000+

      ¥0.1304
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      ¥0.116
    • 20000+

      ¥0.1088
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.41
    • 30+

      ¥2.98
    • 100+

      ¥2.55
  • 有货
  • 电机驱动芯片 专用步进电机和IR-Cut Removable驱动集成电路
    • 5+

      ¥1.483
    • 50+

      ¥1.1554
    • 150+

      ¥1.015
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      ¥0.8399
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      ¥0.7619
    • 5000+

      ¥0.715
  • 有货
  • IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术,实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥12.9948 ¥19.11
    • 10+

      ¥11.084 ¥16.3
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      ¥9.894 ¥14.55
    • 100+

      ¥8.67 ¥12.75
    • 500+

      ¥8.1192 ¥11.94
    • 1000+

      ¥7.8812 ¥11.59
  • 有货
  • H桥驱动芯片(HS+LS),兼容1.8V/3.3V/5.0VIO集成过温保护、欠压保护,应用领域:IR-CUR,安防电子等
    • 5+

      ¥0.6893
    • 50+

      ¥0.5453
    • 150+

      ¥0.4733
    • 500+

      ¥0.4193
    • 3000+

      ¥0.3761
    • 6000+

      ¥0.3545
  • 订货
  • IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术,实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册
    • 10+

      ¥37.608378
    • 100+

      ¥32.446443
    • 1000+

      ¥29.865477
    ESP32-S_V1.2-1029号MQTT常规固件-0251号常规丝印-不贴IPEX座-接入板载天线-编带
    数据手册
    • 1+

      ¥18.85
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      ¥18.47
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      ¥18.22
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      ¥17.96
  • 订货
  • 是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本,集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能,可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度相同,使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V,显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力,并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.4
    • 10+

      ¥5.31
    • 30+

      ¥4.76
    • 100+

      ¥3.3345 ¥3.51
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      ¥3.0305 ¥3.19
    • 1000+

      ¥2.869 ¥3.02
  • 有货
  • AP1511 是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC 用来开关红外线滤光片. AP1511 具有一个低饱和电压双向的H-bridge 驱动电路. 内建保护二极管疏通ICR 所产生的反馈电流, 以及防止ESD 的破坏. AP1511 内的双向H-bridge 驱动电路其内阻小于3Ω, 所以ICR 模块所需的电流决定于其线圈的阻抗. 以工作电源5 伏特为例, 当ICR 内部线圈流过300mA 电流时, AP1511 内的H-bridge 驱动电路会产生0.73V 的压降. AP1511A 提供单线控制与双线控制, 而AP1511B以单线控制并且提供单步操作( One-Shot )的功能.。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6094
    • 50+

      ¥0.4777
    • 150+

      ¥0.4118
    • 500+

      ¥0.3624
    • 3000+

      ¥0.3033
    • 6000+

      ¥0.2836
  • 有货
  • UMW IR4427STR是一款功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。UMW IR4427STR在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高抗闩锁能力
    • 5+

      ¥1.4382
    • 50+

      ¥1.1233
    • 150+

      ¥0.9883
    • 500+

      ¥0.8199
    • 2500+

      ¥0.7449
    • 5000+

      ¥0.6999
  • 有货
  • UMW IR2110STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3路。
    • 1+

      ¥3.91
    • 10+

      ¥3.13
    • 30+

      ¥2.74
    • 100+

      ¥2.36
    • 500+

      ¥2.13
    • 1000+

      ¥2.01
  • 有货
  • IR4426STR是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。IR4426STR在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高抗闩锁能力
    • 5+

      ¥1.4191
    • 50+

      ¥1.1124
    • 150+

      ¥0.9809
    • 500+

      ¥0.8169
    • 2500+

      ¥0.7438
    • 5000+

      ¥0.7
  • 有货
  • IR4428S是一款功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。在其额定功率和电压范围内的所有条件下,IR4428S都具有高抗闩锁能力
    • 1+

      ¥2.46
    • 10+

      ¥1.92
    • 30+

      ¥1.7
    • 100+

      ¥1.41
    • 500+

      ¥1.28
    • 1000+

      ¥1.21
  • 有货
  • IR2101S是一款半桥前级驱动IC,能够驱动一对功率器件(IGBT/N-MOSFET)。适用于具有外部自举二极管的典型自举架构。具备UVLO(欠压锁定)和交叉导通防护功能。
    • 5+

      ¥2.185 ¥2.3
    • 50+

      ¥1.7005 ¥1.79
    • 150+

      ¥1.501 ¥1.58
    • 500+

      ¥1.2445 ¥1.31
    • 3000+

      ¥1.1305 ¥1.19
    • 6000+

      ¥1.0545 ¥1.11
  • 有货
  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.64
    • 10+

      ¥5.43
    • 30+

      ¥4.83
    • 100+

      ¥4.23
    • 500+

      ¥3.36
    • 1000+

      ¥3.18
  • 有货
  • IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC,非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC,可通过选择RT和CT来设置,其中fOSC = 1/(2*RT*CT)
    数据手册
    • 1+

      ¥18.75
    • 10+

      ¥15
    • 30+

      ¥12.66
    • 100+

      ¥10.26
    • 500+

      ¥9.17
    • 1000+

      ¥8.7
  • 有货
  • UMW IR21271STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥2.88
    • 10+

      ¥2.25
    • 30+

      ¥1.98
    • 100+

      ¥1.65
    • 500+

      ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。
    • 1+

      ¥6.31
    • 10+

      ¥5.17
    • 30+

      ¥4.54
    • 100+

      ¥3.83
    • 500+

      ¥3.52
    • 1000+

      ¥3.37
  • 有货
  • IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,最低可至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.9
    • 10+

      ¥3.96
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥2.65
    • 500+

      ¥2.37
    • 1000+

      ¥2.23
  • 有货
  • IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.23
    • 10+

      ¥5.97
    • 30+

      ¥5.28
    • 100+

      ¥4.24
    • 500+

      ¥3.89
    • 1000+

      ¥3.73
  • 有货
  • IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.5
    • 10+

      ¥6.91
    • 30+

      ¥6.04
    • 100+

      ¥5.05
    • 500+

      ¥4.61
    • 1000+

      ¥4.42
  • 有货
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