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封装：SOIC-8

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

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型号：JSM2136STR 编号：C19077366

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

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型号：NSG5183 编号：C52975935

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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型号：LV8548MC-AH 编号：C19950

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

电机驱动器，正向/反向，低饱和电压，12V

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型号：NCP1393BDR2G 编号：C380792

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术，该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻，驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节

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型号：AW86907FCR 编号：C5162542

封装：FCQFN-20L(2x3)

品牌：AWINIC(艾为)

一款高压 H 桥单芯片线性谐振致动器（LRA）触觉驱动器，基于反电动势（BEMF）实现 F0 检测与跟踪，内置升压转换器，驱动电压最高可达 11V，支持实时播放、内存播放、连续播放、一线式触发播放和硬件引脚触发播放。典型启动时间为 1ms，使其成为快速响应的理想触觉驱动器。集成 12KB 静态随机存取存储器（SRAM），用于存储用户自定义波形，以实现多种振动体验，支持 3 种采样率（12k/24k/48k）的波形加载到 SRAM 中，并支持将输出波形采样率上采样至 48k

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型号：TMI8340 编号：C2985071

封装：SOP-8

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8340是一款直流双向电机驱动器，适用于中、大电流电机。两个逻辑输入端（IN1/IN2）用作PWM控制模式的输入，通过H桥控制电流的流向，进而控制直流电机的旋转方向。该电路抗干扰性好、待机电流小、输出内阻超低，采用BCD工艺，耐压能力强，释放感性负载时的反向浪涌电流能力强

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型号：DRV8800PWPR 编号：C32579

封装：TSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8800 40V、2.8A 有刷直流电机驱动器

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型号：NSD1025E-DHMSR 编号：C5439828

封装：MSOP-8

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1025E 是一款宽电源、同相、双通道、高速、低端栅极驱动器，适用于 MOSFET 和 IGBT。它能够向容性负载提供 5A 的灌电流和拉电流，同时具备轨到轨输出，以减少 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。快速的上升和下降时间以及两个输出通道匹配的传播延迟，使 NSD1025E 适用于高频电源转换器应用

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型号：COS3122SR 编号：C30212522

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-18V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

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型号：NCV5701ADR2G 编号：C603967

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5701 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包含感应加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中等到高功率应用。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5701A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5701C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5701B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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型号：UCC27517AQDBVRQ1 编号：C524784

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

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型号：LB1838M-TRM-E 编号：C242280

封装：LSOP-14-175mil

品牌：onsemi(安森美)

LB1838M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC，适用于低压应用。 LB1838M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机、相机和其他便携式设备。

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型号：MC33035MW/TR-HG 编号：C53155527

封装：SOP-24W

品牌：HGSEMI(华冠)

Brushless DC Motor Controller

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型号：FAN7392MX-MNS 编号：C47967295

封装：SOP-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。

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型号：2EDL05N06PF 编号：C533066

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容

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型号：DRV8213DSGR 编号：C22407186

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

是一款集成电机驱动器，具有N通道H桥、电荷泵、电流感应输出、电流调节和保护电路。三倍电荷泵允许器件低至1.65 V电压下工作，以适应1.8 V电源轨和低电池条件。电荷泵集成了所有电容器，允许100%占空比运行。内部电流镜实现电流感应和调节，无需大型功率分流电阻，节省电路板面积并降低系统成本

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型号：TC4427COA713 编号：C144205

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：MAX5048BAUT 编号：C3655031

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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型号：XL298P 编号：C17179540

封装：HSOP-20

品牌：XINLUDA(信路达)

XZ298N/XL298P是一款采用15引脚ZIP和HSOP20封装的单片集成电路。它是一款高压、大电流双路全桥驱动器，设计用于接收标准TTL逻辑电平，并驱动继电器、螺线管、直流电机和步进电机等感性负载。该器件提供两个使能输入，可独立于输入信号对器件进行使能或禁用操作

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型号：DRV8871DDARQ1 编号：C701805

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8871-Q1 具有集成电流检测功能的汽车类 50V、3.6A H 桥电机驱动器

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型号：NCV7718BDQR2G 编号：C513035

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718B/C由十二个DMOS功率驱动器（六个PMOS高端驱动器和六个NMOS低端驱动器）组成，这些驱动器配置为六个半桥，可实现三个独立的全桥操作。每个输出驱动器的最大直流负载为550 mA，典型浪涌能力为2 A（在VSx = 13.2 V时）。必须严格遵守集成电路管芯温度要求

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型号：MP1907GQ-Z 编号：C91944

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP1907是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道可独立控制，且延时匹配误差小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源供电不足时会强制其输出为低电平

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￥15.1561
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￥7.5371
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型号：MCP14A1202T-E/SN 编号：C622986

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14A1201/2 器件是高速 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 12.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择：反相（MCP14A1201）和同相（MCP14A1202）。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及匹配的传播延迟，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A1201/2 系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效使能引脚可拉低，以使 MCP14A1201/2 的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们能够承受高达 500 mA 的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达 2 kV（HBM）和 200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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￥13.03
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￥11.58
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型号：AUIRS2181STR 编号：C533513

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥17.52
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￥15.44
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￥14.14
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型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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