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型号：A4985SLPTR-T 编号：C192873

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4985是一款完整的微步进电机驱动器，内置翻译器，操作简便。它旨在以全步、半步、四分之一步和八分之一步模式驱动双极步进电机。步进模式可通过MSx逻辑输入进行选择

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型号：A4984SLPTR-T 编号：C38917

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4984是一款完整的微步进电机驱动器，内置易于操作的转换器。它旨在以全步、半步、四分之一步和八分之一步模式驱动双极步进电机。步进模式可通过MSx逻辑输入进行选择。其输出驱动能力高达35 V和±2 A。A4984包含一个固定关断时间的电流调节器，能够在慢速或混合衰减模式下工作。 ET封装通过在关键输出、检测和电源引脚之间添加不连接引脚，满足了客户对无烟无火（NSNF）设计的要求。因此，在引脚与相邻引脚短路的情况下，该器件不会引发冒烟或起火。此外，当任何引脚接地短路或悬空时，该器件也不会引发冒烟或起火。转换器是A4984易于实施的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲，即可驱动电机进行一次微步进。无需相位序列表、高频控制线或复杂的接口编程。A4984接口非常适合没有复杂微处理器或微处理器负担过重的应用。在步进操作期间，A4984中的斩波控制会自动选择电流衰减模式，即慢速或混合模式。在混合衰减模式下，器件在固定关断时间的一部分初始设置为快速衰减，然后在关断时间的其余部分设置为慢速衰减。混合衰减电流控制可降低电机可听噪声、提高步进精度并降低功耗。提供内部同步整流控制电路，以改善PWM操作期间的功耗。内部电路保护包括：带迟滞的热关断、欠压锁定（UVLO）和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A4984提供三种表面贴装封装：两种QFN封装，即4 mm×4 mm、标称总高度为0.75 mm的ES封装，以及5 mm×5 mm×0.90 mm的ET封装。LP封装是24引脚TSSOP封装。所有三种封装均有外露焊盘以增强散热性能，并且无铅（后缀 -T），引脚框架采用100%雾锡电镀。

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型号：L6225DTR 编号：C962628

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：L293DD013TR 编号：C21610

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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型号：DRV8830DGQR 编号：C127591

封装：MSOP-10-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8830 具有速度调节和 I2C 控制的 7V、1A H 桥电机驱动器

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型号：CSD97374Q4M 编号：C140327

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD97374Q4M 30V 25A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

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型号：DRV8834PWPR 编号：C456273

封装：HTSSOP-24

品牌：TI(德州仪器)

DRV8834 具有 1/32 微步进分度器的 11V、1.5A、双路 H 桥或步进电机驱动器

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型号：1ED020I12-F2 编号：C2441209

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器，其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输

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型号：LMG1020YFFT 编号：C2861308

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

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型号：A4955GESTR-T 编号：C5204686

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4955专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够在50 V电压下工作，并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。输入端子用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部提供同步整流控制电路，以降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护包括VDS保护、带迟滞功能的热关断、VBB欠压监测和交越电流保护。A4955采用低外形4×4 mm、20引脚QFN封装（后缀“ES”）和20引脚eTSSOP封装（后缀“LP”），两种封装均带有外露散热焊盘。

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型号：BD6232HFP-TR 编号：C2981752

封装：TO-263-8

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：L6205D013TR 编号：C962257

封装：SO-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：TB5128FTG(CP,EL 编号：C428723

封装：QFN-48

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB5128是一款采用斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造，输出额定值为50 V/5.0 A（电机电源电压μ = 44 V）。

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型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

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型号：TC4422ESM 编号：C638566

封装：SOIJ-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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型号：L6205N 编号：C962260

封装：PDIP-20

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：IXDN630MYI 编号：C1549561

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：MC33887PFK 编号：C3681348

封装：PWRQFN-36(9x9)

品牌：NXP(恩智浦)

是一款具有负载电流反馈功能的单片 H 桥功率 IC，非常适合闭环直流电机控制。该 IC 集成了内部控制逻辑、电荷泵、栅极驱动和低 RDS(on) MOSFET 输出电路。能够控制连续直流负载电流高达 5.0A 的感性负载，峰值电流主动限制在 5.2A 至 7.8A 之间。输出负载可以在高达 10kHz 的频率下进行脉冲宽度调制

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