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封装：TO-220-5

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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型号：DRV8353SRTAT 编号：C2150480

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

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型号：DRV8323RSRGZR 编号：C545497

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：L6506D013TR 编号：C238872

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

步进电机电流控制器

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型号：DRV8873HPWPR 编号：C2150604

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8873 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、10A H 桥电机驱动器

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型号：DRV8343SPHPRQ1 编号：C2879411

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器

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型号：TMC5160A-WA 编号：C1161714

封装：QFN-56-EP(8x8)

品牌：TRINAMIC

TMC5160/TMC5160A 是一款带有串行通信接口的高功率步进电机控制器和驱动器 IC。它将用于自动目标定位的灵活斜坡发生器与业界最先进的步进电机驱动器相结合。通过使用外部晶体管，可以实现高动态、高扭矩驱动

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型号：2SC0435T2G1-17 编号：C1524114

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

SCALE™ - 2+双驱动器内核2SC0435T2G1 - 17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI性能；无铅）/ 2SC0435T2G1C - 17（采用Lackwerke Peters公司的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本）将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器专为要求高可靠性的通用应用而设计。2SC0435T2G1(C) - 17可驱动所有常见的最高1700V的高功率IGBT模块

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型号：DY-IR204T 编号：C396672

封装：插件,D=3mm

品牌：TONYU(东裕)

淡蓝色胶体高辐射强度红外发射二极管。可适配光敏三极管、光敏二极管、红外接收头、红外接收模块等。

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型号：BDR6120H 编号：C3007876

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

输出 DC 峰值电流达到 2.5A，连续电流 1.4A；有一组 PWM（INA-INB）输入，低输出内阻

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型号：BDR6121H 编号：C3007875

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

输出 DC 峰值电流达到 3A，连续电流1.55A

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型号：MHL512IR029CRT-N 编号：C405270

封装：插件,D=5mm

品牌：MEIHUA(美华)

5mm 直径封装无法兰发光颜色：红外发射: IR；晶片材质：GaAlAs/GaAlAs；胶体类型：无色透明。

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型号：QK1301C 编号：C49108306

封装：SOT-23-6

品牌：HICHON(海川)

QK1301C 是一款针对低压 LED 灯的专用芯片，具有完整的充电功能和完善的电池保护功能，特性  低静态待机电流（＜10uA）  充电电流 0.5A，输出电流最大 1A  欠压保护功能  过温保护功能（芯片内部温度）  直接从 USB 端口给单节锂离子电池充电  4.2V 预设充电电压  完善的 LED 工作指示功能  支持 0V 充电  低于 2.7V 涓流充电  电池防反接保护  SOT23-6 封装应用范围  手提灯、手电筒、头灯、低压球泡灯

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型号：BA6208(MS) 编号：C20627211

封装：SOIC-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

BA6208(MS)是为5V 和12V 供电电压下工作的系统而设计的单通道低导通电阻直流电机驱动集成电路。集成了电机正转/反转/停止/刹车四个功能。BA6208(MS)集成了温度保护功能，当芯片温度超过内部温度保护电路设置的最高温度点后，内部电路关断内置的功率开关管，切断负载电流，避免温度过高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患。

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型号：BL8023DCB6TR 编号：C692261

封装：SOT-23-6

品牌：BL(上海贝岭)

BL8023D是一款双向继电器驱动电路，用于控制磁保持继电器，具有大输出能力和超低功耗的特点。它可广泛应用于智能电表及其他脉冲、电平控制应用中。BL8023D可提供300mA的典型驱动电流，该电流会根据继电器线圈电阻的不同而有所变化

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型号：UCC27517DBVR-TP 编号：C51939678

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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型号：EG3033 编号：C20416138

封装：QFN-16(3x3)

品牌：EG(屹晶微)

EG3033 是一款高性价比三相PMOS、NMOS 管栅极驱动专用芯片，内部集成了LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。 EG3033 的电源电压范围 6V~36V ，静态功耗小于1mA。该芯片集成5V 输出LDO，可为外部MCU等器件供电。

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型号：MCP1415T-E/OT(UMW) 编号：C20623196

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

MCP1415/6 器件是一款用于功率 MOSFET 和 IGBT 的低电压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁 CMOS 技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。MCP1415/6 的逻辑输入电平与低至 3V 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容

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型号：G2020Q 编号：C41414473

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

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￥1.102475 ￥1.1605
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型号：U3117SD 编号：C52953430

封装：SOP-10

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

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型号：U3118SD 编号：C52953431

封装：SOP-10

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

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型号：IRS2005STR(UMW) 编号：C20623177

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2005STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基晶体管 - 晶体管逻辑（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：EG2226 编号：C20416242

封装：SSOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG2226是一款高性价比的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2226高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Δ 0.6/1.0A，采用SSOP16封装。

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型号：COS1416 编号：C7190314

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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￥0.6969
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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

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￥1.4916
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￥1.3026
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￥1.2216
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￥1.1205
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型号：GC3901 编号：C16197197

封装：DFN-10

品牌：SX(芯麦)

GC3901 是一款低压 5V 全桥驱动芯片，可驱动两个独立的直流电机，或者一个步进电机。每个通道能提供高达 1.1A 的持续输出电流；可以工作在 2~6V 的电源电压，封装采用3mmx3mm的DFN10。具有 PWM（IN/IN）输入接口,与行业标准器件兼容，并具有过温保护功能。其H桥导通阻抗为480mΩ，拥有低功耗睡眠模式。提供STM32参考例程及原厂技术支持

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型号：HP3000-AA000-SP08R 编号：C22394786

封装：SOP-8L

品牌：Hynetek(慧能泰)

HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 22 ns），可改善系统的死区时间，优化控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。通道数:2 输出电流:5 A 输入电压（最小）:4.5 V 输入电压（最大）:30 V 工作温度范围：-40 到 150 ℃ 输入负向耐压：-12 V