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封装：SOT-23-5

UCC27517A 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，UCC27517A 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。 UCC27517A 器件能够处理输入上的–5V 电压。

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.75
30+
￥2.49
100+
￥2.16
500+
￥1.81

有货

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型号：XJNG2103 编号：C2887735

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

数据手册

5+
￥0.8253
50+
￥0.6381
150+
￥0.5445
500+
￥0.4743
2500+
￥0.4181
4000+
￥0.39

有货

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型号：IR4426STR(UMW) 编号：C20623182

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IR4426STR是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。IR4426STR在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高抗闩锁能力

5+
￥1.1498
50+
￥1.0012
150+
￥0.9374
500+
￥0.858
2500+
￥0.8226
5000+
￥0.8013

有货

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型号：IR4427STRPBF-JSM 编号：C5804607

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥1.5652 ￥1.72
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￥1.3741 ￥1.51
30+
￥1.2922 ￥1.42
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￥1.1921 ￥1.31
500+
￥1.092 ￥1.2
1000+
￥1.0647 ￥1.17

有货

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型号：JSM2104STR 编号：C19077369

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片

5+
￥1.718785 ￥2.0221
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￥1.37462 ￥1.6172
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￥1.227145 ￥1.4437
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￥1.04312 ￥1.2272
2500+
￥0.96118 ￥1.1308
4000+
￥0.911965 ￥1.0729

有货

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型号：IR4428STR(UMW) 编号：C20623184

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IR4428S是一款功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。在其额定功率和电压范围内的所有条件下，IR4428S都具有高抗闩锁能力

1+
￥1.73
10+
￥1.5
30+
￥1.41
100+
￥1.29
500+
￥1.24
1000+
￥1.2

有货

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型号：COS4427SR 编号：C2685358

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,双同相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

5+
￥2.36
50+
￥1.82
150+
￥1.58
500+
￥1.29
2500+
￥1.16
4000+
￥1.08

有货

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型号：IR2304STRPBF-JSM 编号：C17701715

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR2304S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥3.015 ￥3.35
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￥2.43 ￥2.7
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￥2.142 ￥2.38
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￥1.854 ￥2.06
500+
￥1.674 ￥1.86
1000+
￥1.584 ￥1.76

有货

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型号：IR21531STRPBF-JSM 编号：C41421804

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥4.1
10+
￥3.23
30+
￥2.8
100+
￥2.37
500+
￥2.32
1000+
￥2.18

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型号：IRS21867STRPBF 编号：C52290

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

数据手册

1+
￥6.78
10+
￥5.7
30+
￥5.1
100+
￥4.43
500+
￥3.47
1000+
￥3.33

有货

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥7.18
10+
￥5.96
30+
￥5.28
100+
￥4.1
500+
￥3.76
1000+
￥3.61

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型号：SIC634CD-T1-GE3 编号：C2653472

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。

数据手册

1+
￥7.73
10+
￥6.55
30+
￥5.91
100+
￥5.18
500+
￥4.85
1000+
￥4.7

有货

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型号：DRV8301DCAR 编号：C98969

封装：HTSSOP-56-6mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8301 具有降压稳压器、电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥20.08
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￥17.19
30+
￥15.39
100+
￥12.31
500+
￥11.48
1000+
￥11.11

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型号：LMG1025QDEERQ1 编号：C1858371

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥21.51
10+
￥18.52
30+
￥16.66
100+
￥14.75
500+
￥13.88

有货

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型号：TPS1HTC30AQPWPRQ1 编号：C22414694

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

1+
￥21.7
10+
￥19.17
30+
￥17.88
100+
￥16.15
500+
￥15.53
1000+
￥15.27

有货

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型号：JSM2124AT 编号：C50202099

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动芯片，三相高低侧功率驱动芯片驱动配置：高低侧负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：8V

5+
￥2.0725
50+
￥1.5937
150+
￥1.3885
500+
￥1.1325
2500+
￥1.0185
4000+
￥0.95

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型号：MX1025D 编号：C5341121

封装：DFN-6L(2x2)

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

低边驱动@@单通道

数据手册

5+
￥2.1028
50+
￥1.6492
150+
￥1.4548
500+
￥1.2843
3000+
￥1.1763
6000+
￥1.1114

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型号：EG4427 编号：C2929102

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能双路驱动芯片

数据手册

5+
￥2.3388
50+
￥1.8489
150+
￥1.639
500+
￥1.377
2500+
￥1.1821
4000+
￥1.1122

有货

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型号：IRS2003STRPBF 编号：C40009

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

200V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.24
30+
￥2.01
100+
￥1.72
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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型号：EG3116D 编号：C2929098

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

数据手册

1+
￥3.05
10+
￥2.31
30+
￥2
100+
￥1.61
500+
￥1.53
1000+
￥1.42

有货

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型号：UCC27624DR 编号：C3655293

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为5A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟（典型值为17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.55
30+
￥2.27
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.67

有货

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型号：AP74700QW6-7 编号：C5381661

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器，当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时，它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围，可控制多种常见的直流母线电压，如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥2.93
30+
￥2.59
100+
￥2.26
500+
￥2.06
1000+
￥1.96

有货

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型号：FAN3100TSX-JSM 编号：C7432823

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO LSLTTL -40 to 125

1+
￥3.7145 ￥3.91
10+
￥3.0115 ￥3.17
30+
￥2.66 ￥2.8
100+
￥2.3085 ￥2.43
500+
￥1.938 ￥2.04
1000+
￥1.8335 ￥1.93

有货

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型号：TF2106M-TR 编号：C7466361

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.728 ￥4.66
10+
￥3 ￥3.75
30+
￥2.64 ￥3.3
100+
￥2.28 ￥2.85
500+
￥2.064 ￥2.58
1000+
￥1.952 ￥2.44

有货

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型号：UCC27516DRSR 编号：C3655221

封装：SON-6(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

数据手册

1+
￥3.89
10+
￥3.3
30+
￥2.89
100+
￥2.55
500+
￥2.44
1000+
￥2.38

有货

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型号：IRS2113STR(UMW) 编号：C20623178

封装：SOP-16-300mil

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥3.92
10+
￥3.48
30+
￥3.25
100+
￥3.03
500+
￥2.9
1000+
￥2.83

有货

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型号：TC4428AEOA713 编号：C5804611

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥4.0545 ￥4.77
10+
￥3.3235 ￥3.91
30+
￥2.958 ￥3.48
100+
￥2.5925 ￥3.05
500+
￥2.38 ￥2.8
1000+
￥2.261 ￥2.66

有货

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型号：MCP1415T-E/OT 编号：C83776

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1415/16 器件是高速双 MOSFET 驱动器，可在 4.5V 至 18V 单电源供电下提供高达 1.5A 的峰值电流。反相或同相单通道输出可直接由 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用

数据手册

1+
￥5.27
10+
￥4.28
30+
￥3.79
100+
￥3.29
500+
￥2.74
1000+
￥2.59

有货

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型号：NCP5106BDR2G 编号：C67861

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

数据手册

1+
￥5.42
10+
￥4.32
30+
￥3.77
100+
￥3.23
500+
￥2.9
1000+
￥2.73

有货

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型号：FAN73932MX-JSM 编号：C7466371

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

1+
￥6.29 ￥7.4
10+
￥5.1595 ￥6.07
30+
￥4.539 ￥5.34
100+
￥3.8335 ￥4.51
500+
￥3.774 ￥4.44
1000+
￥3.638 ￥4.28

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