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UCC27524A 具有负输入电压能力的双路 5A，高速，低侧栅极功率 MOSFET 驱动器

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￥1.6911
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￥1.321
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￥1.1623
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￥1.0011
2500+
￥0.9129
5000+
￥0.86

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型号：L6388ED013TR 编号：C23921

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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￥3.15
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￥2.49
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￥2.2
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￥1.84
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￥1.69
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￥1.59

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型号：IR2101STRPBF 编号：C2956

封装：SOIC-8

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥3.68
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￥2.96
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￥2.66
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￥2.28
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￥1.93
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￥1.82

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型号：MIC4424YM-TR 编号：C511339

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4423/4424/4425系列是高可靠性的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器。它们是MIC4426/4427/4428的高输出电流版本，而MIC4426/4427/4428是MIC426/427/428的改进版本。这三个系列的引脚均兼容

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￥5.89
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￥4.79
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￥4.24
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￥3.69
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￥2.93
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￥2.76

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型号：DRV8701PRGER 编号：C114178

封装：VQFN-24-EP(4x4)

DRV8701 47V H 桥智能栅极驱动器

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￥6.48
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￥5.33
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￥4.75
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￥3.88
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￥3.54
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￥3.36

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型号：DRV8353SRTAR 编号：C701785

封装：WQFN-40-EP(6x6)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

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￥17.38
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￥14.63
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￥12.92
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￥11.16
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￥10.36
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￥10.02

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型号：TC4424AVOA713(UMW) 编号：C20623205

封装：SOP-8

TC4424AVOA713 是一款功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。在其额定功率和电压范围内的所有条件下，友顺科技（UMW）TC4424AVOA713 都具有高抗闩锁能力

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￥1.3676
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￥1.1895
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￥1.1131
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￥1.0179
2500+
￥0.9755
5000+
￥0.95

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型号：U2104M 编号：C2932196

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2104(S/M) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.5433
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￥1.2327
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￥1.0997
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￥0.8056
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￥0.7612

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型号：IRS2104STR(UMW) 编号：C20623202

封装：SOP-8

IRS2104STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥2.1499
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￥1.6815
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￥1.4808
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￥1.2304
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￥1.1189
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￥1.0519

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型号：FAN7382MX(UMW) 编号：C20623201

封装：SOP-8

UMW公司的FAN7382MX是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。其采用的专有HVIC和抗闩锁CMOS技术可实现坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3V

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￥2.16
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￥1.88
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￥1.76
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￥1.61
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￥1.55
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￥1.51

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型号：SD6287Q 编号：C44606225

封装：QFN-24(4x4)

SD6287是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。FD6287Q

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￥2.27
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￥1.34
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￥1.22
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￥1.14

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型号：EG2104 编号：C186697

封装：SOP-8

高性价比, 600V，半桥式Nmos预驱动器

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￥2.47
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￥1.88
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￥1.63
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￥1.28
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￥1.19

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型号：IRS2186STR(UMW) 编号：C20623203

封装：SOP-8

IRS2186STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可低至3.3V

1+
￥2.51
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￥2.22
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￥2.08
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￥1.94
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￥1.85
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￥1.81

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型号：IRS2181STR(UMW) 编号：C20623180

封装：SOP-8

IRS2181STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥2.51
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￥2.22
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￥2.08
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型号：IR2153STRPBF-JSM 编号：C41421803

封装：SOP-8

集成了50%占空比振荡器的600V半桥栅极驱动器，能够驱动N型MOSFET或IGBT器件。

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￥4.86
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￥3.91
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￥3.44
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￥2.97
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￥2.71

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型号：TC4424AVOA713 编号：C44150

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4423A/TC4424A/TC4425A器件是一系列双输出3A缓冲器/MOSFET驱动器。这些器件是早期TC4423/TC4424/TC4425双输出3A驱动器系列的改进版本。此改进版本具有更高的峰值输出电流驱动能力、更低的直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟时间

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￥5.56
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￥4.44
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￥3.87
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￥3.32
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￥2.81

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型号：IR4427STRPBF 编号：C49058

封装：SOIC-8

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。

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￥6.5
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￥4.72
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￥4.13
500+
￥3.28
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￥3.1

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型号：IR2109STRPBF 编号：C2966

封装：SOIC-8

IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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1+
￥8.62
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￥6.96
30+
￥6.13
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￥5.02
500+
￥4.52
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￥4.27

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型号：EG2131 编号：C5240691

封装：SOP-8-150mil

EG2131是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2131高端的工作电压可达300V，低端Vcc的电源电压范围宽11V~20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 1/1.5A，采用SOP8封装。

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5+
￥0.6603
50+
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150+
￥0.4503
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￥0.3978
2500+
￥0.3234
4000+
￥0.3024

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型号：EG3013S 编号：C5138297

封装：SOP-8

EG3013S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG3013S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽4.5V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN内建了一个15K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

5+
￥1.3263
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￥1.0324
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￥0.9064
500+
￥0.7492
2500+
￥0.6468
4000+
￥0.6048

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型号：IR2103STRPBF-JSM 编号：C17701703

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 IR2103S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.4985 ￥2.63
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.672 ￥1.76
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￥1.368 ￥1.44
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￥1.3205 ￥1.39
1000+
￥1.2445 ￥1.31

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型号：IRS21864STR(UMW) 编号：C20623186

封装：SOP-14

IRS21864STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥2.63
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￥2.33
30+
￥2.19
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￥2.04
500+
￥1.95
1000+
￥1.9

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型号：UCC27524DSDR 编号：C2676911

封装：SON-8-EP(3x3)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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1+
￥2.77
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￥2.19
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￥1.95
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￥1.64
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

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型号：TF0211E-USQ 编号：C2683768

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥3.48
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￥2.83
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￥2.51
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￥2.19
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￥1.84
1000+
￥1.74

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型号：UCC27714DR(UMW) 编号：C20623188

封装：SOP-14

UCC27714DR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

1+
￥3.49
10+
￥2.8
30+
￥2.46
100+
￥2.12
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

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型号：IX4424NTR-JSM 编号：C7498964

封装：SOP-8

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

1+
￥3.825 ￥4.25
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￥3.051 ￥3.39
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￥2.655 ￥2.95
100+
￥2.268 ￥2.52
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￥2.043 ￥2.27
1000+
￥1.926 ￥2.14

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型号：IR2184STRPBF-JSM 编号：C7466369

封装：SOP-8

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

1+
￥5.472 ￥5.76
10+
￥4.9495 ￥5.21
30+
￥4.655 ￥4.9
100+
￥4.332 ￥4.56
500+
￥4.18 ￥4.4
1000+
￥4.1135 ￥4.33

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型号：UCC27282DRCR 编号：C2677035

封装：VSON-10-EP(3x3)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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1+
￥6.82
10+
￥5.57
30+
￥4.94
100+
￥4.25
500+
￥3.88
1000+
￥3.69

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型号：1ED020I12-F2 编号：C2441209

封装：DSO-16

1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器，其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输

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1+
￥17.72
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￥15.09
30+
￥13.45
100+
￥11.77
500+
￥11.01
1000+
￥10.68

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型号：EG2132 编号：C480660

封装：SOP-8