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封装：SOIC-8

是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为5A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟（典型值为17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.55
30+
￥2.27
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.67

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型号：L9110SM/TR 编号：C725348

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

L9110S 是为控制和驱动电机设计的双通道推挽式功率放大专用集成电路器件，将分立电路集成在单片IC 之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。该芯片输入端兼容TTL/CMOS 电平，具有良好的抗干扰性；两个输出端能直接驱动电机做正反向运动，它具备较大的电流驱动能力，每通道能通过800mA 的持续电流，峰值电流能力可达1.5A；内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流，使它在驱动继电器、直流电机、步进电机或开关功率管的使用上安全可靠。芯片集成有热关断保护功能模块，检测到芯片PN 结温超过设计阈值时，关断所有电路模块功能。

数据手册

5+
￥1.3007
50+
￥1.0235
150+
￥0.9047
500+
￥0.7565
2500+
￥0.6687
5000+
￥0.6291

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型号：JSM2124AT 编号：C50202099

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动芯片，三相高低侧功率驱动芯片驱动配置：高低侧负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：8V

5+
￥2.0725
50+
￥1.5937
150+
￥1.3885
500+
￥1.1325
2500+
￥1.0185
4000+
￥0.95

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型号：CD4543BM96 编号：C28326

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

CD4543B 用于液晶显示的 CMOS BCD 至 7 段锁存器/解码器/驱动器

数据手册

5+
￥2.0957
50+
￥1.6833
150+
￥1.5066
500+
￥1.2861
2500+
￥1.188
5000+
￥1.129

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型号：MX1025D 编号：C5341121

封装：DFN-6L(2x2)

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

低边驱动@@单通道

数据手册

5+
￥2.1028
50+
￥1.6492
150+
￥1.4548
500+
￥1.2843
3000+
￥1.1763
6000+
￥1.1114

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型号：EG4427 编号：C2929102

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能双路驱动芯片

数据手册

5+
￥2.3388
50+
￥1.8489
150+
￥1.639
500+
￥1.377
2500+
￥1.1821
4000+
￥1.1122

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型号：IRS2003STRPBF 编号：C40009

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

200V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.24
30+
￥2.01
100+
￥1.72
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

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型号：SZNUD3124LT1G 编号：C233433

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.21
30+
￥1.95
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

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型号：EG3116D 编号：C2929098

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

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1+
￥3.05
10+
￥2.31
30+
￥2
100+
￥1.61
500+
￥1.53
1000+
￥1.42

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型号：AP74700QW6-7 编号：C5381661

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器，当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时，它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围，可控制多种常见的直流母线电压，如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥2.93
30+
￥2.59
100+
￥2.26
500+
￥2.06
1000+
￥1.96

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型号：FAN3100TSX-JSM 编号：C7432823

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO LSLTTL -40 to 125

1+
￥3.7145 ￥3.91
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￥3.0115 ￥3.17
30+
￥2.66 ￥2.8
100+
￥2.3085 ￥2.43
500+
￥1.938 ￥2.04
1000+
￥1.8335 ￥1.93

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型号：TF2106M-TR 编号：C7466361

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.728 ￥4.66
10+
￥3 ￥3.75
30+
￥2.64 ￥3.3
100+
￥2.28 ￥2.85
500+
￥2.064 ￥2.58
1000+
￥1.952 ￥2.44

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型号：UCC27516DRSR 编号：C3655221

封装：SON-6(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

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1+
￥3.89
10+
￥3.3
30+
￥2.89
100+
￥2.55
500+
￥2.44
1000+
￥2.38

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型号：IRS2113STR(UMW) 编号：C20623178

封装：SOP-16-300mil

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥3.92
10+
￥3.48
30+
￥3.25
100+
￥3.03
500+
￥2.9
1000+
￥2.83

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型号：TC4428AEOA713 编号：C5804611

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥4.0545 ￥4.77
10+
￥3.3235 ￥3.91
30+
￥2.958 ￥3.48
100+
￥2.5925 ￥3.05
500+
￥2.38 ￥2.8
1000+
￥2.261 ￥2.66

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型号：DRV8220DRLR 编号：C3681351

封装：SOT-563

品牌：TI(德州仪器)

DRV8220 具有自动睡眠模式的 20V、1.76A H 桥电机驱动器

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1+
￥4.79
10+
￥3.93
30+
￥3.51
100+
￥3.08
500+
￥2.83
1000+
￥2.7

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型号：MCP1415T-E/OT 编号：C83776

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1415/16 器件是高速双 MOSFET 驱动器，可在 4.5V 至 18V 单电源供电下提供高达 1.5A 的峰值电流。反相或同相单通道输出可直接由 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用

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1+
￥5.27
10+
￥4.28
30+
￥3.79
100+
￥3.29
500+
￥2.74
1000+
￥2.59

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型号：NCP5106BDR2G 编号：C67861

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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1+
￥5.42
10+
￥4.32
30+
￥3.77
100+
￥3.23
500+
￥2.9
1000+
￥2.73

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型号：FAN73932MX-JSM 编号：C7466371

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

1+
￥6.29 ￥7.4
10+
￥5.1595 ￥6.07
30+
￥4.539 ￥5.34
100+
￥3.8335 ￥4.51
500+
￥3.774 ￥4.44
1000+
￥3.638 ￥4.28

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型号：IR2184STRPBF 编号：C2995

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥6.71
10+
￥5.59
30+
￥4.98
100+
￥3.84
500+
￥3.53
1000+
￥3.39

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型号：IR2153STRPBF 编号：C79666

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能，可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度相同，使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V，显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

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