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单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥5.149 ￥5.42
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￥4.199 ￥4.42
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￥3.249 ￥3.42
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￥2.7075 ￥2.85
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￥2.565 ￥2.7

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型号：COS4426SR 编号：C2685357

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,双反相，双高速低功耗 MOSFET低边驱动器

数据手册

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￥2.62
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￥2.02
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￥1.76
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￥1.29
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￥1.2

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型号：AS4950 编号：C2929412

封装：ESOP-8

品牌：ASSEMSTAR(聚迹)

有刷电机/继电器驱动，25V~48V供电，2A~4A方案，全桥DMOS有刷直流电机驱动器，3.5A峰值驱动输出，8V-40V宽电压供电，支持过流/短路/欠压/过温保护

数据手册

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￥2.8
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型号：IR2304STRPBF-JSM 编号：C17701715

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 IR2304S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.898 ￥3.22
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型号：UCC27517ADBVR 编号：C2653784

封装：SOT-23-5

UCC27517A 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，UCC27517A 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。 UCC27517A 器件能够处理输入上的–5V 电压。

数据手册

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￥2.94
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￥2.34
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￥2.08
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￥1.32

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型号：IRS2186STR(UMW) 编号：C20623203

封装：SOP-8

IRS2186STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可低至3.3V

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￥1.51

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型号：SL4139 编号：C5375302

封装：SOT-23-5

品牌：Slkor(萨科微)

SL4139是一款DC/DC升压转换器，可为多个LED提供恒定精确的驱动电流。当固定开关频率为1MHz时，SL4139可以配套小值的外部陶瓷电容和电感。通过由外部电阻R1设置的可调电流，SL4139可以驱动串联连接的多个LED。

数据手册

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￥3.06
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￥1.77
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型号：SR420361N 编号：C98926

封装：插件

品牌：ARKLED(方舟)

0.36英寸四位(4位)超高亮红色共阴数码管,方舟电子出品

数据手册

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￥1.99
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型号：IRS2113STR(UMW) 编号：C20623178

封装：SOP-16-300mil

IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥2.36

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型号：U3216S-JSM 编号：C44606288

封装：SOP-8

U3216S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

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￥1.82

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型号：IRS21814STR(UMW) 编号：C20623187

封装：SOP-14

IRS21814STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：DRV8251DDAR 编号：C3681116

封装：SO-8-EP

DRV8251 具有集成电流调节和锁存 OCP 功能的 50V、4.1A H 桥电机驱动器

数据手册

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￥3.52
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￥2.83
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￥1.83

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型号：IX4424NTR-JSM 编号：C7498964

封装：SOP-8

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

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￥2.088 ￥2.32

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型号：IR21531STRPBF-JSM 编号：C41421804

封装：SOP-8

集成自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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￥4.26
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型号：UCC27282DRCR 编号：C2677035

封装：VSON-10-EP(3x3)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

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￥5.51
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型号：SIC634CD-T1-GE3 编号：C2653472

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。

数据手册

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￥6.49
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￥5.31
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￥4.67
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￥3.8612 ￥3.94
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￥3.5378 ￥3.61
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￥3.4006 ￥3.47

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型号：IR4427STRPBF 编号：C49058

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。

数据手册

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￥6.64
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￥5.43
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￥4.23
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￥3.18

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型号：HS1602A 编号：C5329588

封装：-

品牌：HS(汉昇)

视窗:64.5*13.8；8bit并口通讯,单色字符液晶模块；黄绿底深蓝字；单排2.54间距16PIN。

数据手册

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￥14.4685 ￥15.23
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￥13.0625 ￥13.75
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￥12.597 ￥13.26
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￥12.122 ￥12.76
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￥11.9035 ￥12.53
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￥11.799 ￥12.42

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型号：IR2085STRPbF 编号：C50124

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置，其中fOSC = 1/(2*RT*CT)

数据手册

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￥18.75
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￥15
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￥12.66
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￥10.26
500+
￥9.17
1000+
￥8.7

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型号：DRV8353SRTAR 编号：C701785

封装：WQFN-40-EP(6x6)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

数据手册

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￥19.02
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￥16.01
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￥14.13
100+
￥12.2
500+
￥11.33
1000+
￥10.95

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型号：DRV8244SQRYJRQ1 编号：C3681071

封装：VQFN-16-HR(3x6)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

数据手册

1+
￥21.07
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￥17.99
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￥16.15
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￥14.24
500+
￥13.39
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￥13

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型号：AM3352BZCZD80 编号：C20916

封装：NFBGA-324

AM3352 Sitara 处理器: Arm Cortex-A8、1Gb 以太网、支持显示效果、CAN

数据手册

1+
￥40.27
10+
￥34.39
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￥30.81
100+
￥27.8

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型号：SM16306SJ 编号：C2830324

封装：QSOP-24

品牌：明微

是一款带有内置CMOS移位寄存器和锁存功能的LED恒流驱动芯片，可将串行输入数据转换为并行输出数据格式。工作电压为3.3V-5.5V，提供16个电流源，每个输出端口可提供3mA-32mA的恒流；单个IC芯片的输出电流差异小于±2.5%；多个IC之间的输出电流差异小于±3.5%；通道输出电流不随输出电压(VDS)的变化而变化，且受电压和环境温度的影响小于1%；每个通道的输出电流由外部电阻调节。支持高达25MHz的时钟频率，可满足系统对海量数据传输的要求。

数据手册

10+
￥0.3884
100+
￥0.3217
300+
￥0.2884
1000+
￥0.2634
4000+
￥0.198
8000+
￥0.188

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型号：IRS44273LTR(UMW) 编号：C20623195

封装：SOT-23-5

IRS44273器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。IRS44273的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

5+
￥1.2243
50+
￥0.9551
150+
￥0.8397
500+
￥0.6958
3000+
￥0.6317
6000+
￥0.5932

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型号：L9110SM/TR 编号：C725348

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

L9110S 是为控制和驱动电机设计的双通道推挽式功率放大专用集成电路器件，将分立电路集成在单片IC 之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。该芯片输入端兼容TTL/CMOS 电平，具有良好的抗干扰性；两个输出端能直接驱动电机做正反向运动，它具备较大的电流驱动能力，每通道能通过800mA 的持续电流，峰值电流能力可达1.5A；内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流，使它在驱动继电器、直流电机、步进电机或开关功率管的使用上安全可靠。芯片集成有热关断保护功能模块，检测到芯片PN 结温超过设计阈值时，关断所有电路模块功能。

数据手册

5+
￥1.3007
50+
￥1.0235
150+
￥0.9047
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￥0.7565
2500+
￥0.6687
5000+
￥0.6291

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型号：SLM2104SCA-13GTR 编号：C461470

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

5+
￥1.4703
50+
￥1.1326
150+
￥0.9879
500+
￥0.8896
2500+
￥0.8092
5000+
￥0.7609

有货

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型号：JSM5109G 编号：C19077361

封装：SOP-8

JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低至3.3V

5+
￥1.510595 ￥1.5901
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￥1.175435 ￥1.2373
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￥1.031795 ￥1.0861
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￥0.852625 ￥0.8975
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￥0.826025 ￥0.8695
4000+
￥0.77805 ￥0.819

有货

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型号：SN420362N 编号：C193138

封装：插件

品牌：ARKLED(方舟)

ARK方舟 0.36英寸 LED数码管共阴两位红色高亮

数据手册

5+
￥1.6947
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￥1.3419
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￥1.2681
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￥1.0795
2430+
￥0.9955
5130+
￥0.945

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型号：SD6288Q 编号：C44606223

封装：QFN-24

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q

5+
￥1.704 ￥2.13
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￥1.296 ￥1.62
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￥1.128 ￥1.41
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￥1.096 ￥1.37
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￥1 ￥1.25
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￥0.936 ￥1.17

有货

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型号：IRS2008STR(UMW) 编号：C20623198

封装：SOP-8