电机驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8811PWP 编号：C1556868

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8811 具有电流调节功能和 1/8 微步进的 38V、1.9A 双极步进电机驱动器

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￥9.054 ￥30.18
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￥5.374 ￥26.87
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￥2.177 ￥21.77

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型号：UCC27710DR 编号：C2676981

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

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￥9.06
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￥7.47
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￥6.44
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￥5.46

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型号：L293DD-HXY 编号：C48677910

封装：SOP-20

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款步进电机驱动芯片专为精确控制设计，提供0.6A的持续输出电流和高达1.2A的峰值电流能力，确保稳定的动力供给。其宽泛的工作电压范围从4.5V至36V，适应多种电源配置。内置二极管具有1.3V的正向电压，有效提升能效比，减少能耗。该驱动芯片适用于需要精准位置控制的应用场景，如办公自动化设备、消费电子装置等，能够实现高效、平稳的电机运转，满足对速度和位置控制精度的需求。

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￥9.31 ￥9.8
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￥7.8755 ￥8.29
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￥6.9825 ￥7.35
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￥5.6525 ￥5.95
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￥5.472 ￥5.76

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型号：HX298NG 编号：C2977115

封装：Multiwatt-15

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX298N为双全桥式步进电机专用驱动芯片，内部包含4信道逻辑驱动电路，是一种二相和四相步进电机的专用驱动器，可同时驱动2个二相或者1个四相步进电机，内含两个H桥的高压、大电流双全桥式驱动器，接收标准TTL逻辑准位信号，可驱动36V、2A以下的步进电机，且可以直接通过电源来调节输出电压；此芯片可直接由单片机的I/O端口来提供模拟时序信号。有两个使能输入端可分别控制两路H桥工作和截止，每个桥的下端晶体管的发射极相连，并且在外部接一个检测电阻。另一个逻辑电源输入使逻辑电路可工作在较低的电压下。

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￥9.88
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￥8.24
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￥6.7
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￥5.68
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￥5.23

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型号：IRS23364DSTRPBF-JSM 编号：C17701725

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥9.996 ￥11.76
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￥8.4575 ￥9.95
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￥7.497 ￥8.82
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￥6.069 ￥7.14
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￥5.8735 ￥6.91

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型号：TF2110-3BS 编号：C2683771

封装：DIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥10.15
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￥8.46
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型号：DRV8885PWPR 编号：C2150590

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8885 具有集成电流检测功能和 1/16 微步进的 37V、1.5A 双极步进电机驱动器

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￥10.3032 ￥28.62
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￥6.604 ￥25.4
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￥3.8016 ￥23.76
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￥3.4496 ￥21.56
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￥3.3232 ￥20.77
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￥3.2704 ￥20.44

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型号：FAN73896MX-JSM 编号：C17701727

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥10.584 ￥11.76
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￥8.955 ￥9.95
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￥7.938 ￥8.82
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￥6.894 ￥7.66
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型号：HX293E-P 编号：C47002284

封装：DIP-20

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

四通道推挽驱动器，每通道可提供高达1A的输出电流，TTL兼容逻辑输入独立控制每个通道，确保精确可靠运行。每对驱动器（全桥）配有抑制输入，可同时关闭四个晶体管，提高控制灵活性和安全性，适用于多种应用场景。

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￥10.674 ￥11.86
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￥8.451 ￥9.39
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￥8.334 ￥9.26

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型号：MC34152DR2G 编号：C903960

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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￥11
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型号：AMT49406GESSR 编号：C2066114

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

AMT49406是一款三相无传感器无刷直流（BLDC）电机驱动器（栅极驱动器），工作电压范围为5.5至50 V。该器件完全集成了磁场定向控制（FOC）算法，以实现最佳效率和声学噪声性能。它能优化电机在静止状态、风车状态甚至逆风风车状态下的启动性能

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￥11.33
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￥9.6
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￥8.52
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￥6.9

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型号：TPS28225DRBR 编号：C2676914

封装：SON-8-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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￥10.42
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型号：SI8233AD-D-ISR 编号：C22457486

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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￥12.16
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￥11.87
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型号：IR21844STRPBF 编号：C415702

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥12.19
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型号：MP1921HS-A-LF-Z 编号：C7304239

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1921A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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￥12.2888
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￥11.2237
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型号：MCP14E5-E/SN 编号：C635886

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5器件是一系列4.0A缓冲器/MOSFET驱动器。提供双反相、双同相和互补输出等标准逻辑选项。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5驱动器能够在4.5V至18V的单电源下工作，并且可以在15 ns（典型值）内轻松对2200 pF的栅极电容进行充放电。它们在导通和关断状态下均提供低阻抗，以确保MOSFET的预期状态不会受到影响，即使存在大的瞬态信号。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5的输入可以直接由TTL或CMOS（2.4V至18V）驱动。通过使用独立的使能功能，可以对MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5的输出进行额外控制。ENB_A和ENB_B引脚为高电平有效，并且内部上拉至VDD。在标准操作中，这些引脚可以悬空。MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5双输出4.0A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。热增强型DFN封装的低热阻使其能够在驱动较大电容性或电阻性负载时具有更高的功率耗散能力。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们可以承受高达1.5A的反向电流回流到其输出端而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4 kV的静电放电（ESD）保护。

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￥12.55
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型号：UCC27211DDAR 编号：C141980

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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￥13.06
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￥9.88

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型号：TF21364M-TLH 编号：C2683766

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥13.167 ￥14.63
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￥11.277 ￥12.53
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￥10.089 ￥11.21
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￥8.244 ￥9.16
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￥7.695 ￥8.55
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￥7.461 ￥8.29

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型号：UCC27624QDGNRQ1 编号：C7372268

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

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￥13.3
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￥11.21
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￥9.9
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￥8.56

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型号：MAX4420ESA+T 编号：C3655522

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

单输出MOSFET驱动器旨在将TTL/CMOS输入转换为高压/大电流输出。低1.5Ω输出阻抗和6A峰值电流输出使其能够快速切换高电容功率MOSFET，提高效率。40ns的延迟时间和25ns的上升或下降时间（驱动2500pF至18V时）可最大程度减少MOSFET开关转换期间的功率损耗。逻辑输入轻松与CMOS或双极型开关模式控制器接口，因为其逻辑输入电流低于10μA

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￥13.37
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￥11.41
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￥8.94

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型号：DRV8850RGYR 编号：C575583

封装：VQFN-24-EP(3.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8850 具有 LDO 和电流反馈功能的 7V、8A H 桥电机驱动器

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1+
￥13.54
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￥11.49
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￥10.2
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￥8.89

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型号：NCV7240BDPR2G 编号：C603983

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7240 是一款汽车八沟道低压侧驱动器，提供高达每沟道 600 mA 的驱动能力。输出控制通过 SPI 端口进行，针对开路负载（或接地短路）、过载和高温条件提供方便的故障报告。另外，输出的并行控制可通过 INx 引脚寻址（成对）。专用的跋行回家模式引脚 (LHI) 启用 OUT1 至 OUT4，而禁用 OUT5 至 OUT8。每个输出驱动器均具有过载电流保护，且包括一个用于电感负载的输出箝位。NCV7240 采用 SSOP24 带保险丝引线封装。

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1+
￥13.88
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￥11.78
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￥10.46
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￥8.3
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￥7.69
1000+
￥7.42

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型号：DRV8812RHDR 编号：C575584

封装：VQFN-28-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8812 具有电流调节功能的 45V、1.6A 双极步进或双通道 H 桥电机驱动器

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1+
￥14.451 ￥48.17
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￥8.344 ￥41.72
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￥3.78 ￥37.8
100+
￥3.45 ￥34.5

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型号：TC642BEOA 编号：C145620

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC642B/TC647B器件是现有TC642/TC647风扇速度控制器的新版本。这些器件为开关模式风扇速度控制器，集成了新的风扇自动重启功能。温度比例速度控制通过脉冲宽度调制实现

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1+
￥14.504 ￥14.8
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￥12.3992 ￥14.09
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￥10.6626 ￥13.67
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￥10.335 ￥13.25
500+
￥10.1868 ￥13.06
1000+
￥10.1166 ￥12.97

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型号：MCT8329A1IREER 编号：C7472751

封装：WQFN-36-EP(5x4)

品牌：TI(德州仪器)

MCT8329A 为需要高速运行或极快启动时间的三相无刷直流 (BLDC) 电机应用提供了一款单芯片、免代码的无传感器梯形控制解决方案。该器件提供三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。该器件使用内部电荷泵生成正确的栅极驱动电压，并通过自举电路增强高端 MOSFET。它还包含一个涓流电荷泵，以支持 100% 的占空比。栅极驱动架构支持高达 1A 源电流和 2A 灌电流的峰值栅极驱动电流。MCT8329A 可由单电源供电，支持 4.5 至 60V 的宽输入电源范围。无传感器梯形控制可通过非易失性 EEPROM（MCT8329A1I）中的寄存器设置进行高度配置，配置范围从电机启动行为到闭环运行，这使得该器件在配置完成后能够独立运行。电机电流通过集成的电流检测放大器进行检测，该放大器支持单个外部分流电阻。该器件通过 PWM 输入、模拟电压、可变频率方波或 I²C 命令接收速度指令。MCT8329A 集成了大量保护功能，旨在保护器件、电机和系统免受故障事件的影响。

1+
￥15.3
10+
￥12.84
30+
￥11.31
100+
￥9.74

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型号：UCC27211DPRR 编号：C2677328

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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1+
￥15.79
10+
￥14.15
30+
￥12.99
100+
￥11.94

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型号：NCP51820AMNTWG 编号：C894995

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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1+
￥15.97
10+
￥13.4
30+
￥11.78
100+
￥10.13

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型号：UCC27282QDRCRQ1 编号：C3654985

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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1+
￥16.13
10+
￥14.07
30+
￥12.78

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型号：DRV8256ERGER 编号：C3681403

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8256 采用集成电流检测和智能调优技术的 50V、8A H 桥电机驱动器

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1+
￥17.78
10+
￥15.1
30+
￥13.51

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型号：WS2410AT 编号：C51907438

封装：eTSSOP-24L

品牌：Winsemi(稳先微)

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￥18.088 ￥19.04
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￥15.3805 ￥16.19
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￥13.6895 ￥14.41
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￥11.951 ￥12.58
500+
￥11.1625 ￥11.75
1000+
￥10.8205 ￥11.39

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