您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 电机驱动芯片
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共10067
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
驱动配置:三相/半桥 中压250V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
  • 1+

    ¥3.87
  • 10+

    ¥3.78
  • 30+

    ¥3.71
  • 100+

    ¥3.65
  • 有货
  • 160V三相全桥,互锁,Vo:10-20V,HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑,所有通道高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns,DT:270ns,MT:40ns,MDT:25ns
    数据手册
    • 1+

      ¥3.95
    • 10+

      ¥3.18
    • 30+

      ¥2.8
    • 100+

      ¥2.42
    • 500+

      ¥2.19
  • 有货
  • SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开,并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能,可对深度放电的电池进行低电流预充电,并且它还集成了一个PACK+电压监测器,供主机检测PACK+电压
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.22
    • 30+

      ¥2.83
    • 100+

      ¥2.44
    • 500+

      ¥2.21
  • 有货
  • 高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景
    • 1+

      ¥4.05
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.89
    • 100+

      ¥2.51
    • 500+

      ¥2.28
    • 1000+

      ¥2.17
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥4.088 ¥5.11
    • 10+

      ¥3.992 ¥4.99
    • 30+

      ¥3.928 ¥4.91
    • 100+

      ¥3.872 ¥4.84
  • 有货
  • 单相驱动,带SD功能 半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥4.148 ¥4.88
    • 10+

      ¥4.0545 ¥4.77
    • 30+

      ¥3.9865 ¥4.69
    • 100+

      ¥3.9185 ¥4.61
  • 有货
  • 是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端各自都能提供和吸收 1.5A 的峰值电流,上升和下降时间小于 10ns。每个驱动器的输入与 TTL 和 CMOS 兼容,并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间,使其非常适合高频和高功率应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.25
    • 10+

      ¥4.16
    • 30+

      ¥4.09
    • 100+

      ¥4.03
  • 有货
  • 具有 5V UVLO 和使能功能的汽车类 4A/4A 单通道栅极驱动器 5-SOT-23 -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥4.33
    • 10+

      ¥3.48
    • 30+

      ¥3.06
  • 有货
  • 单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥4.365 ¥4.85
    • 10+

      ¥4.266 ¥4.74
    • 30+

      ¥4.203 ¥4.67
    • 100+

      ¥4.14 ¥4.6
  • 有货
  • 700V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥4.408 ¥4.64
    • 10+

      ¥3.914 ¥4.12
    • 30+

      ¥3.667 ¥3.86
    • 100+

      ¥3.42 ¥3.6
    • 500+

      ¥3.2775 ¥3.45
    • 1000+

      ¥3.2015 ¥3.37
  • 有货
  • 具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动,带关断和可编程死区时间控制功能
    • 1+

      ¥4.44 ¥5.55
    • 10+

      ¥3.576 ¥4.47
    • 30+

      ¥3.144 ¥3.93
    • 100+

      ¥2.712 ¥3.39
    • 500+

      ¥2.456 ¥3.07
    • 1000+

      ¥2.32 ¥2.9
  • 有货
  • 200V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.6/1.0A
    • 1+

      ¥4.446 ¥4.68
    • 10+

      ¥3.534 ¥3.72
    • 30+

      ¥3.0875 ¥3.25
    • 100+

      ¥2.6315 ¥2.77
    • 500+

      ¥2.3655 ¥2.49
    • 1000+

      ¥2.2325 ¥2.35
  • 有货
  • 具有 5V UVLO 和分离输出的汽车类 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125
    数据手册
    • 1+

      ¥4.57
    • 10+

      ¥3.71
    • 30+

      ¥3
  • 有货
  • 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥4.626 ¥5.14
    • 10+

      ¥4.509 ¥5.01
    • 30+

      ¥4.437 ¥4.93
    • 100+

      ¥4.365 ¥4.85
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥4.689 ¥5.21
    • 10+

      ¥4.572 ¥5.08
    • 30+

      ¥4.5 ¥5
    • 100+

      ¥4.419 ¥4.91
  • 有货
  • 600V三相全桥,互锁,Vo:10-20V,HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑,所有通道高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:400/380ns,DT:290ns,MT:40ns,MDT:25ns
    数据手册
    • 1+

      ¥4.96
    • 10+

      ¥3.93
    • 30+

      ¥3.42
    • 100+

      ¥2.91
  • 有货
  • BD62110AEFJ是一款内置单通道H桥的直流有刷电机驱动器。该驱动器可通过直接PWM实现低功耗。此IC内置保护电路
    数据手册
    • 1+

      ¥4.99
    • 10+

      ¥4.46
    • 30+

      ¥4.2
    • 100+

      ¥3.93
    • 500+

      ¥3.25
  • 有货
  • 低成本栅极驱动器(提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案) 分立式晶体管对驱动器的出色替代产品(提供与控制器的简便对接) UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A 和5A灌电流的设计,同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.08
    • 10+

      ¥4.97
    • 30+

      ¥4.89
    • 100+

      ¥4.81
  • 有货
  • 6A,4.5V-25V,单通道,同相,高速低功耗MOSFET低边驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.15
    • 10+

      ¥4.07
    • 30+

      ¥3.53
    • 100+

      ¥2.99
    • 500+

      ¥2.67
    • 1000+

      ¥2.5
  • 有货
  • 高压600V,单相,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.184 ¥6.48
    • 10+

      ¥4.216 ¥5.27
    • 30+

      ¥3.736 ¥4.67
    • 100+

      ¥3.256 ¥4.07
    • 500+

      ¥2.968 ¥3.71
    • 1000+

      ¥2.816 ¥3.52
  • 有货
  • A4952和A4953专为直流电机的脉宽调制(PWM)控制而设计,能够提供高达±2 A的峰值输出电流,工作电压可达40 V。该器件设有输入端子,用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路,可降低PWM运行期间的功耗
    数据手册
    • 1+

      ¥5.22
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.44
    • 100+

      ¥2.95
  • 有货
  • 带上下电保护、欠压保护 IRS4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。IRS4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。
    • 1+

      ¥5.304 ¥6.24
    • 10+

      ¥4.386 ¥5.16
    • 50+

      ¥3.8845 ¥4.57
    • 100+

      ¥3.315 ¥3.9
    • 500+

      ¥3.06 ¥3.6
    • 1000+

      ¥2.9495 ¥3.47
  • 有货
  • 半桥驱动集成电路,可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.32
    • 10+

      ¥4.24
    • 50+

      ¥3.69
  • 有货
  • DRV110 具有电流调节功能的单通道继电器、电磁阀、低侧控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.63
    • 10+

      ¥4.99
    • 30+

      ¥4.39
  • 有货
  • 驱高压600V,高边单通道栅极驱动器 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.7049 ¥6.41
    • 10+

      ¥4.628 ¥5.2
    • 30+

      ¥4.0851 ¥4.59
    • 100+

      ¥3.5511 ¥3.99
    • 500+

      ¥3.2396 ¥3.64
    • 1000+

      ¥3.0705 ¥3.45
  • 有货
  • 此款步进电机驱动芯片专为精确控制设计,提供0.6A的持续输出电流和高达1.2A的峰值电流能力,确保稳定的动力供给。其宽泛的工作电压范围从4.5V至36V,适应多种电源配置。内置二极管具有1.3V的正向电压,有效提升能效比,减少能耗。该驱动芯片适用于需要精准位置控制的应用场景,如办公自动化设备、消费电子装置等,能够实现高效、平稳的电机运转,满足对速度和位置控制精度的需求。
    • 1+

      ¥5.7855 ¥6.09
    • 10+

      ¥5.6525 ¥5.95
    • 30+

      ¥5.5575 ¥5.85
    • 100+

      ¥5.472 ¥5.76
  • 有货
  • NSG21275是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOIC8封装,可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。
    • 1+

      ¥5.79
    • 10+

      ¥4.67
    • 30+

      ¥4.12
    • 100+

      ¥3.56
    • 500+

      ¥3.23
    • 1000+

      ¥3.06
  • 有货
  • 具有 5V UVLO、使能功能和负输入电压处理能力的 5A/5A 双通道栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥5.87
    • 10+

      ¥4.68
    • 30+

      ¥4.08
    • 100+

      ¥3.49
  • 有货
  • 具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥5.94
    • 10+

      ¥4.73
    • 30+

      ¥4.13
    • 100+

      ¥3.53
  • 有货
  • A4985是一款完整的微步进电机驱动器,内置易于操作的转换器。它旨在以整步、半步、四分之一步和八分之一步模式驱动双极步进电机。步进模式可通过MSx逻辑输入进行选择。其输出驱动能力高达35 V和±1 A。A4985包含一个固定关断时间的电流调节器,能够在慢速或混合衰减模式下工作。 ET封装通过在关键输出、检测和电源引脚之间添加未连接引脚,满足了客户对无烟无火(NSNF)设计的要求。因此,在相邻引脚短路的情况下,该器件不会引发冒烟或起火。此外,当任何引脚接地短路或悬空时,该器件也不会引发冒烟或起火。 转换器是A4985易于实现的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲,即可驱动电机进行一次微步进。无需相位序列表、高频控制线或复杂的接口编程。A4985接口非常适合没有复杂微处理器或微处理器负担过重的应用。 在步进操作期间,A4985中的斩波控制会自动选择电流衰减模式,即慢速或混合模式。在混合衰减模式下,器件在固定关断时间的一部分内初始设置为快速衰减,然后在关断时间的剩余部分设置为慢速衰减。混合衰减电流控制可降低电机可听噪声、提高步进精度并减少功耗。 提供内部同步整流控制电路,以改善PWM操作期间的功耗。内部电路保护包括:带迟滞的热关断、欠压锁定(UVLO)和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A4985提供三种表面贴装封装:两种QFN封装,即4 mm×4 mm、标称总高度为0.75 mm的ES封装,以及5 mm×5 mm×0.90 mm的ET封装。LP封装是24引脚的TSSOP。所有三种封装均有外露焊盘以增强散热性能,并且无铅(Pb)(后缀 -T),引脚框架采用100%雾锡电镀。
    数据手册
    • 1+

      ¥6
    • 10+

      ¥4.84
    • 30+

      ¥4.26
    • 100+

      ¥3.35
    • 500+

      ¥3
  • 有货
  • 立创商城为您提供电机驱动芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买电机驱动芯片提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content