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首页 > 热门关键词 > 电机驱动芯片
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SL27624是一款双通道、高速、低端栅极驱动器,能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SL27624采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计,能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力,且传播延迟极小,典型值为20ns。在12V VDD电源供电时,SL27624可提供5.0A的源极和5.0A的漏极峰值驱动电流
  • 1+

    ¥3.192 ¥3.99
  • 10+

    ¥2.576 ¥3.22
  • 30+

    ¥2.264 ¥2.83
  • 100+

    ¥1.952 ¥2.44
  • 500+

    ¥1.768 ¥2.21
  • 1000+

    ¥1.672 ¥2.09
  • 有货
  • 高集成度的H桥驱动芯片、40V、通用型
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.57
    • 30+

      ¥2.28
    • 100+

      ¥1.92
    • 500+

      ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.66
  • 有货
  • 4.5A,4.5V-25V,双反相,高速低功耗MOSFET低边驱动器,带使能,UVLO及过温保护功能
    • 5+

      ¥3.28
    • 50+

      ¥2.52
    • 150+

      ¥2.2
    • 500+

      ¥1.79
    • 2500+

      ¥1.61
    • 4000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 栅极驱动IC@@驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:6V~25V 峰值灌电流:2.0A 峰值拉电流:2.0A
    • 1+

      ¥3.303 ¥3.67
    • 10+

      ¥3.222 ¥3.58
    • 30+

      ¥3.177 ¥3.53
    • 100+

      ¥3.123 ¥3.47
  • 有货
  • 带 SD 功能 MOS 管驱动芯片
    数据手册
    • 1+

      ¥3.35
    • 10+

      ¥2.62
    • 30+

      ¥2.3
    • 100+

      ¥1.91
  • 有货
  • SS6343M产品为三相无刷直流电机驱动器。他们集成了三个半桥,包括六个N沟道功率MOS FET,以及前置驱动器、栅极驱动电源。SS6343M为每个½-H电桥提供使能和PWM输入。
    • 1+

      ¥3.43
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.85
    • 100+

      ¥2.66
    • 500+

      ¥2.54
  • 有货
  • 驱动配置:三相/半桥 中压250V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥3.87
    • 10+

      ¥3.78
    • 30+

      ¥3.71
    • 100+

      ¥3.65
  • 有货
  • 160V三相全桥,互锁,Vo:10-20V,HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑,所有通道高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns,DT:270ns,MT:40ns,MDT:25ns
    数据手册
    • 1+

      ¥3.95
    • 10+

      ¥3.18
    • 30+

      ¥2.8
    • 100+

      ¥2.42
    • 500+

      ¥2.19
  • 有货
  • 此微型集成器件提供了单组件方案,可用于开关直感负载,如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机,而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入,因此能够通过各种器件进行驱动,包括逻辑门极、逆变器和微控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.95
    • 10+

      ¥3.17
    • 30+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.4
    • 500+

      ¥2.09
    • 1000+

      ¥1.97
  • 有货
  • SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开,并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能,可对深度放电的电池进行低电流预充电,并且它还集成了一个PACK+电压监测器,供主机检测PACK+电压
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.22
    • 30+

      ¥2.83
    • 100+

      ¥2.44
    • 500+

      ¥2.21
  • 有货
  • 高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景
    • 1+

      ¥4.05
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.89
    • 100+

      ¥2.51
    • 500+

      ¥2.28
    • 1000+

      ¥2.17
  • 有货
  • 是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端各自都能提供和吸收 1.5A 的峰值电流,上升和下降时间小于 10ns。每个驱动器的输入与 TTL 和 CMOS 兼容,并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间,使其非常适合高频和高功率应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.25
    • 10+

      ¥4.16
    • 30+

      ¥4.09
    • 100+

      ¥4.03
  • 有货
  • 700V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥4.408 ¥4.64
    • 10+

      ¥3.914 ¥4.12
    • 30+

      ¥3.667 ¥3.86
    • 100+

      ¥3.42 ¥3.6
    • 500+

      ¥3.2775 ¥3.45
    • 1000+

      ¥3.2015 ¥3.37
  • 有货
  • 具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动,带关断和可编程死区时间控制功能
    • 1+

      ¥4.44 ¥5.55
    • 10+

      ¥3.576 ¥4.47
    • 30+

      ¥3.144 ¥3.93
    • 100+

      ¥2.712 ¥3.39
    • 500+

      ¥2.456 ¥3.07
    • 1000+

      ¥2.32 ¥2.9
  • 有货
  • 200V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.6/1.0A
    • 1+

      ¥4.446 ¥4.68
    • 10+

      ¥3.534 ¥3.72
    • 30+

      ¥3.0875 ¥3.25
    • 100+

      ¥2.6315 ¥2.77
    • 500+

      ¥2.3655 ¥2.49
    • 1000+

      ¥2.2325 ¥2.35
  • 有货
  • 具有 5V UVLO 和分离输出的汽车类 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125
    数据手册
    • 1+

      ¥4.57
    • 10+

      ¥3.71
    • 30+

      ¥3
  • 有货
  • 600V三相全桥,互锁,Vo:10-20V,HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑,所有通道高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:400/380ns,DT:290ns,MT:40ns,MDT:25ns
    数据手册
    • 1+

      ¥4.96
    • 10+

      ¥3.93
    • 30+

      ¥3.42
    • 100+

      ¥2.91
  • 有货
  • BD62110AEFJ是一款内置单通道H桥的直流有刷电机驱动器。该驱动器可通过直接PWM实现低功耗。此IC内置保护电路
    数据手册
    • 1+

      ¥4.99
    • 10+

      ¥4.46
    • 30+

      ¥4.2
    • 100+

      ¥3.93
    • 500+

      ¥3.25
  • 有货
  • 低成本栅极驱动器(提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案) 分立式晶体管对驱动器的出色替代产品(提供与控制器的简便对接) UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A 和5A灌电流的设计,同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.08
    • 10+

      ¥4.97
    • 30+

      ¥4.89
    • 100+

      ¥4.81
  • 有货
  • 6A,4.5V-25V,单通道,同相,高速低功耗MOSFET低边驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.15
    • 10+

      ¥4.07
    • 30+

      ¥3.53
    • 100+

      ¥2.99
    • 500+

      ¥2.67
    • 1000+

      ¥2.5
  • 有货
  • 高压600V,单相,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.184 ¥6.48
    • 10+

      ¥4.216 ¥5.27
    • 30+

      ¥3.736 ¥4.67
    • 100+

      ¥3.256 ¥4.07
    • 500+

      ¥2.968 ¥3.71
    • 1000+

      ¥2.816 ¥3.52
  • 有货
  • A4952和A4953专为直流电机的脉宽调制(PWM)控制而设计,能够提供高达±2 A的峰值输出电流,工作电压可达40 V。该器件设有输入端子,用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路,可降低PWM运行期间的功耗
    数据手册
    • 1+

      ¥5.22
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.44
    • 100+

      ¥2.95
  • 有货
  • 带上下电保护、欠压保护 IRS4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。IRS4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。
    • 1+

      ¥5.304 ¥6.24
    • 10+

      ¥4.386 ¥5.16
    • 50+

      ¥3.8845 ¥4.57
    • 100+

      ¥3.315 ¥3.9
    • 500+

      ¥3.06 ¥3.6
    • 1000+

      ¥2.9495 ¥3.47
  • 有货
  • 半桥驱动集成电路,可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.32
    • 10+

      ¥4.24
    • 50+

      ¥3.69
  • 有货
  • DRV110 具有电流调节功能的单通道继电器、电磁阀、低侧控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.63
    • 10+

      ¥4.99
    • 30+

      ¥4.39
  • 有货
  • 驱高压600V,高边单通道栅极驱动器 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.7049 ¥6.41
    • 10+

      ¥4.628 ¥5.2
    • 30+

      ¥4.0851 ¥4.59
    • 100+

      ¥3.5511 ¥3.99
    • 500+

      ¥3.2396 ¥3.64
    • 1000+

      ¥3.0705 ¥3.45
  • 有货
    • 1+

      ¥5.73
    • 10+

      ¥5.17
    • 25+

      ¥4.87
    • 100+

      ¥4.52
    • 500+

      ¥4.37
  • 有货
  • 此款步进电机驱动芯片专为精确控制设计,提供0.6A的持续输出电流和高达1.2A的峰值电流能力,确保稳定的动力供给。其宽泛的工作电压范围从4.5V至36V,适应多种电源配置。内置二极管具有1.3V的正向电压,有效提升能效比,减少能耗。该驱动芯片适用于需要精准位置控制的应用场景,如办公自动化设备、消费电子装置等,能够实现高效、平稳的电机运转,满足对速度和位置控制精度的需求。
    • 1+

      ¥5.7855 ¥6.09
    • 10+

      ¥5.6525 ¥5.95
    • 30+

      ¥5.5575 ¥5.85
    • 100+

      ¥5.472 ¥5.76
  • 有货
  • NSG21275是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOIC8封装,可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。
    • 1+

      ¥5.79
    • 10+

      ¥4.67
    • 30+

      ¥4.12
    • 100+

      ¥3.56
    • 500+

      ¥3.23
    • 1000+

      ¥3.06
  • 有货
  • 具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥5.94
    • 10+

      ¥4.73
    • 30+

      ¥4.13
    • 100+

      ¥3.53
  • 有货
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