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MIC5060 MOSFET驱动器专为用作高端或低端开关的N沟道增强型功率MOSFET的栅极控制而设计。MIC5060能够无限期维持导通状态输出。MIC5060的工作电源电压范围为2.75V至30V

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型号：TF21364M-TLH 编号：C2683766

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：MIC4427YMM 编号：C152165

封装：MSOP-8

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效能的特点。这些驱动器可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压摆幅在正电源或地的25mV范围内。相比之下，同类双极型器件的电压摆幅仅能达到电源电压的1V以内

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型号：1ED3125MU12FXUMA1 编号：C17662842

封装：SOIC-8

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

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型号：MC34151DR2G 编号：C236081

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

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型号：TLE9201SGAUMA1 编号：C2653438

封装：DSO-12

TLE9201SG是一款通用型6A H桥，专为汽车应用中的直流电机或其他感性负载控制而设计（但不限于这些应用）。输出可进行脉宽调制，最高频率达20kHz。PWM/DIR控制减少了微控制器端所需的具备PWM功能的引脚数量

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型号：STSPIN820 编号：C160702

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

高级256微步集成电机驱动器，带步进时钟和方向接口

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型号：TC4420CPA 编号：C48733

封装：PDIP-8

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：A3983SLPTR-T 编号：C459279

封装：ETSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3983是一款完整的微步进电机驱动器，内置易于操作的转换器。它旨在以全步、半步、四分之一步和八分之一步模式驱动双极步进电机，输出驱动能力高达35 V和±2 A。A3983包含一个固定关断时间电流调节器，能够在慢速或混合衰减模式下工作。转换器是A3983易于实现的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲，即可驱动电机进行一次微步进。无需相位序列表、高频控制线或复杂的接口编程。A3983接口非常适合没有复杂微处理器或微处理器负担过重的应用。 A3983中的斩波控制会自动选择电流衰减模式（慢速或混合）。当STEP输入引脚出现信号时，A3983会确定该步进是否会导致电机各相电流升高或降低。如果电流变化为升高，则衰减模式设置为慢速衰减。如果电流变化为降低，则电流衰减设置为混合模式（最初在固定关断时间的31.25%内设置为快速衰减，然后在关断时间的其余时间设置为慢速衰减）。这种电流衰减控制方案可降低电机可听噪声、提高步进精度并降低功耗。提供内部同步整流控制电路，以改善PWM操作期间的功耗。内部电路保护包括：带迟滞的热关断、欠压锁定（UVLO）和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A3983采用低外形（最大高度1.2 mm）、24引脚带外露散热焊盘的TSSOP封装（后缀LP）。它是无铅（Pb）产品，引脚框架采用100%雾锡电镀。

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型号：IXDD614PI 编号：C1549426

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：MCP14A0454-E/MS 编号：C635867

封装：MSOP-8

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型号：1ED3123MU12HXUMA1 编号：C17449724

封装：SOIC-8-300mil

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：TC4427EUA713 编号：C628550

封装：MSOP-8

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：DRV8805PWPR 编号：C701793

封装：HTSSOP-16-EP

DRV8805 具有步进/方向控制功能的 60V、2.3A、四通道低侧电机驱动器

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型号：TC4420COA 编号：C636874

封装：SOIC-8

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：DRV8256PPWPR 编号：C3681352

封装：HTSSOP-28

DRV8256 采用集成电流检测和智能调优技术的 50V、8A H 桥电机驱动器

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型号：TC648VOA 编号：C636937

封装：SOIC-8

TC648是一款开关模式的风扇速度控制器，适用于无刷直流风扇。它采用脉宽调制（PWM）实现与温度成比例的速度控制。连接到VIN输入的热敏电阻（或其他电压输出温度传感器）可提供1.25V至2.65V（典型值）的所需控制电压，对应PWM占空比从0%到100%

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型号：DRV8235RTER 编号：C36241341

封装：WQFN-16(3x3)

一款高性能集成式H桥电机驱动器，集成了速度调节并具有其他集成特性，例如失速检测、电流检测输出、电流调节和保护电路。集成的速度和电压调节功能使用电机电压和电流信息来调节电机转速或电压，从而无需外部传感器来检测速度。这减小了电路板尺寸，降低了设计复杂性，并节省了整体系统成本。集成的速度调节功能用于在不断变化的输入电源电压范围内保持恒定的电机转速，从而随着时间的推移，更大限度地减少电流消耗并节省电力

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型号：1ED020I12FA2 编号：C530918

封装：DSO-20

1ED020I12FA2是一款采用PG-DSO-20封装的单通道IGBT电流隔离驱动器，典型输出电流能力为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输

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型号：DRV8353RHRGZR 编号：C2868224

封装：VQFN-48-EP(7x7)

DRV8353R 具有降压稳压器和电流分流放大器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：TC4422CPA 编号：C640752

封装：PDIP-8

TC4421/TC4422是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和IGBT。除了直接过压或过耗散外，这些器件基本上不受任何形式的干扰影响。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些器件不会受到损坏或出现不当操作。它们能够承受超过1A的任一极性的感性电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑错误。此外，所有端子都具备高达4kV的静电放电保护。TC4421/TC4422的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至18V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许该器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔引脚封装以及四种工作温度范围选项，9A MOSFET驱动器系列TC4421/TC4422适用于任何需要高栅极/线路电容驱动的应用。

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型号：EMC2305-1-AP-TR 编号：C621415

封装：QFN-16-EP(4x4)

EMC2305是一款符合SMBus标准的风扇控制器，具备多达五个独立控制的PWM风扇驱动器。每个风扇驱动器由可编程频率的PWM驱动器和风扇转速控制算法控制，该算法既可以闭环方式运行，也可作为直接PWM控制设备运行。闭环风扇转速控制算法（FSC）能够检测老化风扇并向系统发出警报

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型号：MCT8316A1VRGFR 编号：C3681279

封装：VQFN-40(5x7)

MCT8316A 40V 最大电压、8A 峰值电流无传感器梯形控制三相 BLDC 电机驱动器

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型号：MIC4606-2YTS-TR 编号：C628054

封装：TSSOP-16

是85V全桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控全桥两侧，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大化功率效率。防直通电路可防止错误输入和噪声同时导通桥每一侧的两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大化系统效率

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型号：LTC4442IMS8E#PBF 编号：C688570

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4442是一款高频栅极驱动器，专为在同步降压式DC/DC转换器拓扑结构中驱动两个N沟道MOSFET而设计。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4442的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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型号：L2293QTR 编号：C2653514

封装：VFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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型号：TD310IDT 编号：C501103

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

带电流感应的三IGBT/MOS驱动器

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型号：MIC4606-2YML-TR 编号：C621922

封装：VQFN-16-EP(4x4)

MIC4606 是一款 85V 全桥 MOSFET 驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测全桥两侧，以尽量缩短高端和低端 MOSFET 转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。防直通电路可防止错误输入和噪声同时导通桥路每一侧的两个 MOSFET

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型号：TC4423COE 编号：C642020

封装：SOIC-16-300mil