电机驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

应用于DC-DC转换器，UPS,电动汽车快速充电等等。

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型号：NSG2128 编号：C41414527

封装：SOIC-8

300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流：0.3/0.6A

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型号：TC4427AVPA-JSM 编号：C20616628

封装：DIP-8

带上下电保护、欠压保护 TC4427A是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。TC4427A在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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型号：NSG21864 编号：C41414499

封装：SOP-14

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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型号：IRS2004STRPBF 编号：C78066

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：MX1603-MS 编号：C22462548

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。

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型号：SA8349-MS 编号：C22462555

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能，被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。

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型号：UCC23525CDWYR 编号：C49279569

封装：SOIC-6

品牌：TI(德州仪器)

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型号：NSG2067Q 编号：C42411898

封装：QFN-28(5x5)

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型号：SL27714 编号：C20539706

封装：SOP-14

品牌：Slkor(萨科微)

SL27714是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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型号：L297PG 编号：C42396732

封装：DIP-20

品牌：HGC(深圳汉芯)

L297步进电机控制器IC可为微机控制应用中的两相双极和四相单极步进电机生成四相驱动信号。该电机可在半步、正常和波形驱动模式下运行，片上PWM斩波电路允许对绕组电流进行开关模式控制。该器件的一个特点是，它仅需要时钟、方向和模式输入信号

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型号：FAN3226TMX 编号：C903497

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：TF2366M-TGH 编号：C5155307

封装：SOIC-20

高压500V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：NCP51530BDR2G 编号：C904510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

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型号：SL21814 编号：C20539707

封装：SOP-14

品牌：Slkor(萨科微)

SL21814 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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型号：TFB0503-NHP 编号：C7436032

封装：TDFN-10

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IR2110-MNS 编号：C47967292

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

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型号：UCC27323DR 编号：C2677152

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

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型号：FD6288Q 编号：C328453

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达 +250V 电压下工作。

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型号：MS7889(DIP) 编号：C50385415

封装：DIP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

RZ7889-MSK是DC双向直流马达驱动芯片，采用DIP-8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。

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型号：UCC27525D 编号：C1549461

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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型号：TFB0527-NHP 编号：C7436034

封装：TDFN-10

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IRS4426STRPBF-JSM 编号：C7466363

封装：SOP-8

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：6V~25V 峰值灌电流：2.0A 峰值拉电流：2.0A

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型号：NSG2113N 编号：C41414504

封装：SOP-16

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

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型号：ZH6358JU 编号：C53184464

封装：ETSSOP-24

品牌：Semiment(赛卓)

三相正弦无感应器，无功率级、40V、外置MOS、BLDC、即插即用、FOC控制算法

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型号：TF2118-TAH 编号：C20616230

封装：SOIC-8

高边高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：FT8132Q 编号：C5126659

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FT8132 是一款三相内置 Pre-driver 直流无刷马达驱动 IC。芯片高度集成，外围元器件少，电机噪声低，转矩脉动小。GUI 可配置客户电机参数、启动和调速方式，并储存在内置的 EEPROM。调速接口可选择模拟电压、PWM、I2C、CLOCK 调节电机转速。集成转速指示功能，可通过 FG 引脚或 I2C 接口实时读取电机转速。控制方式可选择恒转速、恒电流、恒功率和电压环控制。集成过流、欠压、过压、堵转、缺相、Hall 异常等多种保护模式，睡眠电流约 50μA。

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型号：NSG21276 编号：C41414526

封装：SOIC-8

NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

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型号：IR2128STRPBF-JSM 编号：C18194994

封装：SOIC-8

应用于电机控制和驱动，电动汽车快速充电。

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型号：IR21814STRPBF-JSM 编号：C7498987

封装：SOP-14