电机驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

HX34152-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

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型号：HX33151-S 编号：C41399168

封装：SOP-8

HX33151-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

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型号：XL33039 编号：C20069080

封装：SOP-8

品牌：XINLUDA(信路达)

是一种高性能闭环速度控制适配器，通常与无刷直流电机控制器配合使用，无需磁性或光学转速计即可建立全闭环速度控制系统。它包含三个带迟滞的输入缓冲器、三个数字边缘检测器、一个可编程单稳态和一个内部并联稳压器，还包括一个反相器输出，用于需要转换传感器相位的系统。在霍尔效应传感器的每个正或负过渡时，会产生一个具有固定导通时间的脉冲，输出信号可以被滤波以获得与电机速度成正比的电压。

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型号：HX2110-S 编号：C41399164

封装：WSOP-16

HX2110-S/HX2113-S 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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型号：U6310 编号：C41374698

封装：SSOP-24

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款耐压为70V的集成三相全桥栅极驱动器，适合于12V，24V和36V的三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动，同时也集成了12V LDO控制电路和MCU的供电5.0V LDO，简化了整个供电系统。内置比较电路，可用于电流过流检测，简化外围应用电路。内置低侧电源和高侧电源欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。输入脚兼容3.3-5.0V输入逻辑，集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.5A/- 1.8A。集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在高dv/dt噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。

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型号：TPK21E4US5 编号：C51939654

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

该设备是一款紧凑型栅极驱动器，可出色替代 NPN 和 PNP 分立驱动器（缓冲电路）解决方案。适用于 MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件（如 GaN），适合高速应用。其不对称的 4A 峰值源电流和 8A 峰值灌电流可增强对寄生米勒导通效应的免疫力。宽输入迟滞和负输入电压处理等特性可增强瞬态抗扰度。

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型号：SDH2103U 编号：C44606285

封装：SOP-8

SDH2103U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2103U采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：SDH2106U 编号：C44606232

封装：SOP-8

SDH2106U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：HX4426-P 编号：C19186058

封装：DIP-8

HX4426/4427/4428系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出

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型号：HX4427-P 编号：C19186059

封装：DIP-8

HX4426/4427/4428系列双低侧MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。这与双极型器件不同，双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：L9110H(XBLW) 编号：C18723582

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动直流马达驱动，静态电流Iq(Typ)0.1uA，驱动电流 Iout 800mA

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型号：TC4427AVOA713 编号：C5804605

封装：SOIC-8

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

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型号：MS2878 编号：C50385421

封装：ESOP-8

MS2878是一款H桥有刷电机驱动芯片，宽电压供电，6.5V-40V，RDS(ON)电阻为560mΩ，3.6A峰值驱动输出，2A持续输出能力，支持欠压锁定保护，低功耗休眠模式,PWM电流整流,限流,调向等，广泛用于打印机，汽车电子，工业设备，智能家居等可替代AM2878

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￥1.7385 ￥1.83

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型号：MS7889 编号：C47020991

封装：SOP-8

此款电机驱动芯片，具备最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景，可完美替代RZ7889-MS

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型号：TMI8120 编号：C5259218

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8120器件是一款双H桥电机驱动器，适用于低输入电压系统。两组逻辑输入控制H桥驱动器，可驱动双极步进电机或两台直流电机。TMI8120能够驱动峰值电流高达2A的电机

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型号：TMI8230 编号：C5259214

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8230和TMI8230S是低压直流电机驱动IC。内部集成了285mΩ（高侧+低侧典型值）的H桥NMOS开关，可支持1.8V至11V的输入电压范围。最大电流承载能力高达2.8A

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型号：IRS2106STRPBF-JSM 编号：C18194980

封装：SOP-8

IRS2106S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。IRS2106S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：NSG21867 编号：C41414500

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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型号：NSG2184 编号：C7421059

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、集成SD功能,拉/灌电流：4/4A

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型号：NCP81155MNTXG 编号：C173765

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81155 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动降压或降压-升压应用中的高压侧和低压侧电源 MOSFET。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

数据手册

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￥3.32
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￥2.64
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￥2.35
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￥1.98

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型号：L293D(MS) 编号：C19632279

封装：DIP-16

电机驱动芯片，L293D(MS)，逻辑电源电压最高7V;马达驱动，双路全桥驱动，静态电流Iq(Typ)24mA，驱动电流，应用领域：继电器、直流和步进电机和开关电源等领域

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￥1.75

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型号：ZH639D0NU 编号：C53184465

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Semiment(赛卓)

三相栅极驱动器、100V三相、半桥栅极

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￥1.72

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型号：MS2857 编号：C50385419

封装：SOP-8

MS2857是DC双向直流马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景可替代AM2857。

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￥1.92
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￥1.83

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型号：MS2849 编号：C50385420

封装：SOP-8